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碳化硅MOSFET

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碳化硅mosfet技術(shù)

三電平電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及碳化硅MOSFET應(yīng)用深度分析報(bào)告

傾佳電子三電平電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及碳化硅MOSFET應(yīng)用深度分析報(bào)告傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。他...

2025-08-17 標(biāo)簽：MOSFET 三電平電源拓?fù)?/a> 2.5k 0

第二代碳化硅MOSFET B2M040120R在OBC中的應(yīng)用

國芯思辰，國產(chǎn)芯片替代

2023-08-17 標(biāo)簽：OBC 碳化硅MOSFET 國芯思辰 1.5k 0

國產(chǎn)第二代碳化硅MOSFET B2M040120Z在電動(dòng)汽車中的應(yīng)用

國芯思辰，國產(chǎn)芯片替代

2023-08-09 標(biāo)簽：MOSFET 碳化硅MOSFET 國芯思辰 1.5k 0

國產(chǎn)第二代碳化硅MOSFET在直流充電樁電源模塊中的應(yīng)用

國芯思辰，國產(chǎn)芯片替代

2023-08-02 標(biāo)簽：MOSFET 充電樁碳化硅MOSFET 2.1k 0

國芯思辰| 碳化硅B2M040120H可替代英飛凌、安森美助力光伏儲(chǔ)能

國芯思辰，國產(chǎn)芯片替代

2023-07-27 標(biāo)簽：光伏碳化硅MOSFET 光伏儲(chǔ)能 1.5k 0

國芯思辰 |第二代碳化硅MOSFET B2M065120H助力光儲(chǔ)一體機(jī)

國芯思辰，國產(chǎn)芯片替代

2023-05-29 標(biāo)簽：汽車電子碳化硅MOSFET 國芯思辰 1.2k 0

SiC碳化硅二極管和SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)鏈介紹

我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進(jìn)過化合先合成碳化硅，然后碳化硅打磨成為粉末，碳化硅粉末...

2023-02-21 標(biāo)簽：碳化硅MOSFET 碳化硅二極管 3k 0

碳化硅MOSFET有幾種電壓介紹

下面我們拿慧制敏造出品的KNSCHA品牌碳化硅功率器件說明。碳化硅 (SiC）二極管采用全新技術(shù)，提供比硅材質(zhì)更勝一籌的開關(guān)性能和可靠性。目前主流的能量...

2023-02-21 標(biāo)簽：二極管碳化硅MOSFET 2.3k 0

碳化硅mosfet帖子

柵極驅(qū)動(dòng)芯片LM5112失效問題

標(biāo)簽：MOS 柵極驅(qū)動(dòng)碳化硅MOSFET 3362 0

40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!

標(biāo)簽：碳化硅MOSFET 1117 1

碳化硅SiC MOSFET:低導(dǎo)通電阻和高可靠性的肖特基勢壘二極管

標(biāo)簽：嵌入式碳化硅MOSFET 2085 0

如何使用高速柵極驅(qū)動(dòng)器IC驅(qū)動(dòng)碳化硅MOSFET？

標(biāo)簽：MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器碳化硅 13808 0

標(biāo)準(zhǔn)硅MOSFET功率晶體管的結(jié)構(gòu)/二次擊穿/損耗

標(biāo)簽：MOSFET 功率晶體管碳化硅MOSFET 2848 0

碳化硅MOS管650V-1200V-1700V-2000V-3300V，電流1A-200A（碳化硅MOS、模塊、晶圓裸die）

標(biāo)簽：OBC SiC模塊碳化硅MOSFET 16649 33

SIC碳化硅MOSFET及功率模塊在電源領(lǐng)域的應(yīng)用與發(fā)展

標(biāo)簽：SiC 碳化硅MOSFET 5167 13

碳化硅mosfet資料下載

基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET C2M0080120D立即下載

類別：電子資料 2022-09-22 標(biāo)簽：碳化硅MOSFET 589 0

基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET C2M0040120D立即下載

類別：電子資料 2022-09-22 標(biāo)簽：碳化硅MOSFET 274 0

基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET BM08H60N3立即下載

類別：電子資料 2022-09-22 標(biāo)簽：碳化硅MOSFET 720 0

基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET B1M160120HC立即下載

類別：電子資料 2022-09-22 標(biāo)簽：碳化硅MOSFET 354 0

基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET B1M080120HK立即下載

類別：電子資料 2022-09-22 標(biāo)簽：碳化硅MOSFET 415 0

基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET B1M080120HC立即下載

類別：電子資料 2022-09-22 標(biāo)簽：碳化硅MOSFET 325 0

碳化硅MOSFET橋臂電路串?dāng)_抑制方法立即下載

類別：模擬數(shù)字論文 2017-01-04 標(biāo)簽：碳化硅MOSFET 橋臂電路串?dāng)_抑制 1.3k 0

碳化硅mosfet資訊

傾佳電子T型三電平逆變器應(yīng)用綜合分析：B3M010C075Z與B3M013C120Z碳化硅MOSFET黃金組合的性能與價(jià)值

傾佳電子T型三電平逆變器應(yīng)用綜合分析：B3M010C075Z與B3M013C120Z碳化硅MOSFET黃金組合的性能與價(jià)值傾佳電子（Changer T...

2025-10-11 標(biāo)簽：逆變器碳化硅MOSFET 1.2k 0

2035年中國能源目標(biāo)下的全球風(fēng)光儲(chǔ)市場趨勢、電力電子發(fā)展及碳化硅MOSFET技術(shù)支撐深度分析

2035年中國能源目標(biāo)下的全球風(fēng)光儲(chǔ)市場趨勢、電力電子發(fā)展及碳化硅MOSFET技術(shù)支撐深度分析傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)...

2025-10-14 標(biāo)簽：風(fēng)光儲(chǔ)碳化硅MOSFET 380 0

傾佳電子碳化硅MOSFET短路特性與退飽和保護(hù)（DESAT）深度研究報(bào)告

傾佳電子碳化硅MOSFET短路特性與退飽和保護(hù)（DESAT）深度研究報(bào)告傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的...

2025-09-01 標(biāo)簽：柵極驅(qū)動(dòng)碳化硅MOSFET DESAT 391 0

Wolfspeed推出新型頂部散熱（TSC）碳化硅MOSFET和肖特基二極管，優(yōu)化熱管理并節(jié)約能耗

Wolfspeed 推出新型頂部散熱（TSC）碳化硅 MOSFET 和肖特基二極管優(yōu)化熱管理并節(jié)約能耗 Wolfspeed 正在擴(kuò)展其行業(yè)領(lǐng)先的碳化...

2025-07-09 標(biāo)簽：肖特基二極管 TSC 熱管理 1.1k 0

Nexperia推出行業(yè)領(lǐng)先的D2PAK-7封裝車規(guī)級(jí)1200 V碳化硅MOSFET

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出一系列高效耐用的車規(guī)級(jí)碳化硅(SiC) MOSFET，其RDS(on)值分別...

2025-05-09 標(biāo)簽：MOSFET 碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 3.4萬 0

瑞能半導(dǎo)體攜多款高性能功率器件解決方案亮相2025慕尼黑上海電子展

日前，瑞能半導(dǎo)體攜多款高性能功率器件解決方案亮相2025慕尼黑上海電子展（Electronica China 2025），全方位展示了在碳化硅、IGBT...

2025-04-17 標(biāo)簽：IGBT 功率器件慕尼黑上海電子展 724 0

國產(chǎn)碳化硅MOSFET通過技術(shù)優(yōu)勢推動(dòng)GB20943-2025能效新標(biāo)準(zhǔn)的實(shí)現(xiàn)

GB20943-2025標(biāo)準(zhǔn)的核心更新內(nèi)容,基于GB20943-2025能效標(biāo)準(zhǔn)的國產(chǎn)SiC MOSFET技術(shù)優(yōu)勢分析以及產(chǎn)生的功率半導(dǎo)體行業(yè)變革: G...

2025-03-03 標(biāo)簽：碳化硅MOSFET 744 0

經(jīng)濟(jì)晚報(bào)：第九屆“創(chuàng)客中國”上饒賽區(qū)開賽，萬年芯獲一等獎(jiǎng)

8月1日，由上饒市工信局、市財(cái)政局、市促進(jìn)非公有制經(jīng)濟(jì)發(fā)展領(lǐng)導(dǎo)小組辦公室聯(lián)合主辦的第九屆“創(chuàng)客中國”上饒市中小企業(yè)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽精彩開賽，來自全市工業(yè)領(lǐng)域...

2024-08-08 標(biāo)簽：SiC 碳化硅碳化硅MOSFET 804 0

第二代SiC碳化硅MOSFET關(guān)斷損耗Eoff

2024-06-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅MOSFET 1.3k 0

一文了解SiC MOS的應(yīng)用

作為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料，碳化硅MOSFET具有更高的開關(guān)頻率和使用溫度，能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸，提高系統(tǒng)電力轉(zhuǎn)換...

2024-06-19 標(biāo)簽：碳化硅MOSFET SiC MOS 世輝 1.5k 0

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加速度傳感器

加速度傳感器

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加速度傳感器是一種能夠測量加速度的傳感器。通常由質(zhì)量塊、阻尼器、彈性元件、敏感元件和適調(diào)電路等部分組成。
OBD

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OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫，中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個(gè)系統(tǒng)隨時(shí)監(jiān)控發(fā)動(dòng)機(jī)的運(yùn)行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài)，一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況，會(huì)馬上發(fā)出警示。
傅里葉變換

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盡管最初傅里葉分析是作為熱過程的解析分析的工具，但是其思想方法仍然具有典型的還原論和分析主義的特征。“任意”的函數(shù)通過一定的分解，都能夠表示為正弦函數(shù)的線性組合的形式，而正弦函數(shù)在物理上是被充分研究而相對簡單的函數(shù)類，這一想法跟化學(xué)上的原子論想法何其相似！
TOF

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角度傳感器

角度傳感器

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角度傳感器，顧名思義，是用來檢測角度的。它的身體中有一個(gè)孔，可以配合樂高的軸。當(dāng)連結(jié)到RCX上時(shí)，軸每轉(zhuǎn)過1/16圈，角度傳感器就會(huì)計(jì)數(shù)一次。
L298

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DMD

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DMD是一種整合的微機(jī)電上層結(jié)構(gòu)電路單元，利用COMS SRAM記憶晶胞所制成。DMD上層結(jié)構(gòu)的制造是從完整CMOS內(nèi)存電路開始，再透過光罩層的使用，制造出鋁金屬層和硬化光阻層交替的上層結(jié)構(gòu)
OV7620

OV7620

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ov7620是一款CMOS攝像頭器件，是彩色CMOS型圖像采集集成芯片，提供高性能的單一小體積封裝，該器件分辨率可以達(dá)到640X480，傳輸速率可以達(dá)到30幀。
MC9S12XS128

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HCS12X系列單片機(jī)簡介 Freescale 公司的16位單片機(jī)主要分為HC12 、HCS12、HCS12X三個(gè)系列。HC12核心是16位高速CPU12核，總線速度8MHZ；HCS12系列單片機(jī)以速度更快的CPU12內(nèi)核為核心，簡稱S12系列，典型的S12總線速度可以達(dá)到25MHZ。
TDC-GP2

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干擾器

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干擾器有多種類型，如GPS干擾器是適用于長途客車司機(jī)以及一些不想被GPS信號(hào)追蹤到的人群的一個(gè)機(jī)器，手機(jī)信號(hào)干擾器主要針對各類考場、學(xué)校、加油站、教堂、法庭、圖書館、會(huì)議中心（室）、影劇院、醫(yī)院、政府、金融、監(jiān)獄、公安、軍事重地等禁止使用手機(jī)的場所。
重力傳感器

重力傳感器

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采用彈性敏感元件制成懸臂式位移器，與采用彈性敏感元件制成的儲(chǔ)能彈簧來驅(qū)動(dòng)電觸點(diǎn)，完成從重力變化到電信號(hào)的轉(zhuǎn)換，廣泛應(yīng)用在中高端智能手機(jī)和平板電腦內(nèi)。
線束

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半導(dǎo)體工藝

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機(jī)械臂

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MPSoC

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直流無刷電機(jī)

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無刷直流電機(jī)由電動(dòng)機(jī)主體和驅(qū)動(dòng)器組成，是一種典型的機(jī)電一體化產(chǎn)品。無刷電機(jī)是指無電刷和換向器（或集電環(huán)）的電機(jī)，又稱無換向器電機(jī)。早在十九紀(jì)誕生電機(jī)的時(shí)候，產(chǎn)生的實(shí)用性電機(jī)就是無刷形式，即交流鼠籠式異步電動(dòng)機(jī)，這種電動(dòng)機(jī)得到了廣泛的應(yīng)用。
Genesys

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半導(dǎo)體制冷片

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聲紋識(shí)別

聲紋識(shí)別

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聲紋識(shí)別，生物識(shí)別技術(shù)的一種，也稱為說話人識(shí)別，包括說話人辨認(rèn)和說話人確認(rèn)。聲紋識(shí)別就是把聲信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)，再用計(jì)算機(jī)進(jìn)行識(shí)別。不同的任務(wù)和應(yīng)用會(huì)使用不同的聲紋識(shí)別技術(shù)，如縮小刑偵范圍時(shí)可能需要辨認(rèn)技術(shù)，而銀行交易時(shí)則需要確認(rèn)技術(shù)。
零序

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直流電壓

直流電壓

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凡是電流方向不隨時(shí)間變化的電流稱為直流電壓。電流值可以全為正值，也可以全為負(fù)值。在直流電流中又可分為兩種：穩(wěn)恒直流和脈動(dòng)直流。直流輸電技術(shù)已經(jīng)由簡單的端對端工程朝著大規(guī)模多端輸電的方向發(fā)展，這些工程將是未來直流電網(wǎng)的組成部分，將相同電壓等級(jí)的直流工程連接成網(wǎng)遠(yuǎn)比不同電壓等級(jí)下的獨(dú)立工程更經(jīng)濟(jì)、便捷。
ATmega16單片機(jī)

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緩沖電路

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LPC2368

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Buck-Boost

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buck是降壓型電路，boost是升壓型電路，可以分開單獨(dú)使用，buck-boost電路就是把2種電路合在一起，可升可降。buck-boost拓?fù)潆娐房梢詫?shí)現(xiàn)升降壓功能，常見的buck-boost電路有兩種，第一種是輸入與輸出電壓極性相反，只需采用一個(gè)開關(guān)管和二極管。另外一種是采用兩個(gè)開關(guān)管和兩個(gè)二極管，可實(shí)現(xiàn)同極性電壓升降壓功能。
識(shí)別技術(shù)

識(shí)別技術(shù)

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所謂識(shí)別技術(shù)，也稱為自動(dòng)識(shí)別技術(shù)，通過被識(shí)別物體與識(shí)別裝置之間的交互自動(dòng)獲取被識(shí)別物體的相關(guān)信息，并提供給計(jì)算機(jī)系統(tǒng)供進(jìn)一步處理。
電磁繼電器

電磁繼電器

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電磁繼電器是一種電子控制器件，它具有控制系統(tǒng)（又稱輸入回路）和被控制系統(tǒng)（又稱輸出回路），通常應(yīng)用于自動(dòng)控制電路中，它實(shí)際上是用較小的電流、較低的電壓去控制較大電流、較高的電壓的一種“自動(dòng)開關(guān)”。故在電路中起著自動(dòng)調(diào)節(jié)、安全保護(hù)、轉(zhuǎn)換電路等作用。
VCM

VCM

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制冷片

制冷片

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