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標(biāo)簽 > 芯片封裝
安裝半導(dǎo)體集成電路芯片用的外殼,起著安放、固定、密封、保護(hù)芯片和增強(qiáng)電熱性能的作用,而且還是溝通芯片內(nèi)部世界與外部電路的橋梁——芯片上的接點(diǎn)用導(dǎo)線連接到封裝外殼的引腳上,這些引腳又通過印制板上的導(dǎo)線與其他器件建立連接。
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使用分裂圓柱諧振器和法布里珀羅諧振器進(jìn)行介電常數(shù)測(cè)量
應(yīng)用于5G/6G通信、高速服務(wù)器和汽車?yán)走_(dá)等領(lǐng)域的電子設(shè)備,其工作頻率已超過100 GHz。在以上這些應(yīng)用場景下,因?yàn)閭鬏斆浇榈慕殡娞匦詴?huì)直接影響電磁波...
在芯片封裝生產(chǎn)的精細(xì)流程中,有一個(gè)看似簡單卻至關(guān)重要的環(huán)節(jié)——銀膠烘焙。這道工序雖不像光刻或蝕刻那樣備受關(guān)注,卻直接決定著芯片的穩(wěn)定性和壽命。銀膠烘焙定...
TPSM33606-Q1汽車級(jí)同步降壓電源模塊技術(shù)文檔總結(jié)
TPSM336xx-Q1 是一款 0.6A、1A 或 2A、36V 輸入、汽車、同步降壓 DC/DC 電源模塊,將引線倒裝芯片封裝、集成功率 MOSFE...
TPSM33610-Q1 3V至36V輸入,1A同步降壓模塊技術(shù)手冊(cè)
TPSM336xx-Q1 是一款 0.6A、1A 或 2A、36V 輸入、汽車、同步降壓 DC/DC 電源模塊,將引線倒裝芯片封裝、集成功率 MOSFE...
什么是金屬間化合物(IMC)金屬間化合物(IMC)是兩種及以上金屬原子經(jīng)擴(kuò)散反應(yīng)形成的特定化學(xué)計(jì)量比化合物,其晶體結(jié)構(gòu)決定界面機(jī)械強(qiáng)度與電學(xué)性能。在芯片...
在摩爾定律趨近物理極限、功率器件制程仍停留在百納米節(jié)點(diǎn)的背景下,芯片“尺寸縮小”與“性能提升”之間的矛盾愈發(fā)尖銳。
電力電子器件作為現(xiàn)代能源轉(zhuǎn)換與功率控制的核心載體,正經(jīng)歷著從傳統(tǒng)硅基器件向SiC等寬禁帶半導(dǎo)體器件的迭代升級(jí),功率二極管、IGBT、MOSFET等器件的...
芯片封裝是半導(dǎo)體制造過程中至關(guān)重要的一步,它不僅保護(hù)了精密的硅芯片免受外界環(huán)境的影響,還提供了與外部電路連接的方式。通過一系列復(fù)雜的工藝步驟,芯片從晶圓...
紅外 LED 封裝技術(shù)及應(yīng)用:創(chuàng)新封裝驅(qū)動(dòng)智能感知未來
引言:紅外LED——隱形的智能之眼在當(dāng)今智能化浪潮中,紅外LED(InfraredLED,IRLED)作為不可見光領(lǐng)域的核心器件,正以"隱形之...
本文介紹了芯片封裝失效的典型現(xiàn)象:金線偏移、芯片開裂、界面開裂、基板裂紋和再流焊缺陷。
混合集成電路(HIC)芯片封裝對(duì)工藝精度和產(chǎn)品質(zhì)量要求極高,真空回流爐作為關(guān)鍵設(shè)備,其選型直接影響封裝效果。本文深入探討了在混合集成電路芯片封裝過程中選...
2025-06-16 標(biāo)簽:集成電路芯片封裝半導(dǎo)體設(shè)備 973 0
打線鍵合就是將芯片上的電信號(hào)從芯片內(nèi)部“引出來”的關(guān)鍵步驟。我們要用極細(xì)的金屬線(多為金線、鋁線或銅線)將芯片的焊盤(bond pad)和支架(如引線框...
功率器件中銀燒結(jié)技術(shù)的應(yīng)用解析:以SiC與IGBT為例
隨著電力電子技術(shù)向高頻、高效、高功率密度方向發(fā)展,碳化硅(SiC)和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)等功率器件在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。在這些功率器件的封裝...
半導(dǎo)體硅表面氧化處理:必要性、原理與應(yīng)用
半導(dǎo)體硅作為現(xiàn)代電子工業(yè)的核心材料,其表面性質(zhì)對(duì)器件性能有著決定性影響。表面氧化處理作為半導(dǎo)體制造工藝中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),通過在硅表面形成高質(zhì)量的二氧化硅(S...
2025-05-30 標(biāo)簽:半導(dǎo)體芯片封裝半導(dǎo)體設(shè)備 1.2k 0
在現(xiàn)代電子制造領(lǐng)域,焊接工藝的優(yōu)劣直接關(guān)乎產(chǎn)品的性能與可靠性。隨著電子器件不斷向小型化、高性能化發(fā)展,傳統(tǒng)焊接技術(shù)逐漸暴露出諸多局限性。在此背景下,甲酸...
2025-05-28 標(biāo)簽:半導(dǎo)體芯片封裝半導(dǎo)體設(shè)備 1.2k 0
針對(duì)BGA(球柵陣列)底部填充膠(Underfill)固化異常延遲或不固化的問題,需從材料、工藝、設(shè)備及環(huán)境等多方面進(jìn)行綜合分析。以下為常見原因及解決方...
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