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標簽 > 英諾賽科
英諾賽科成立于2015年12月，是一家致力于第三代半導體硅基氮化鎵研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化的高新技術(shù)企業(yè)。公司采用IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式，集芯片設(shè)計、外延生長、芯片制造、測試與失效分析于一體，擁有全球最大的8英寸硅基氮化鎵晶圓的生產(chǎn)能力。
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英諾賽科推出基于InnoGaN ISG6121TD的4kW雙向PFC電源方案，助力智能電網(wǎng)高效發(fā)展
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英諾賽科成立于2015年12月，是一家致力于第三代半導體硅基氮化鎵研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化的高新技術(shù)企業(yè)。公司采用IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式，集芯片設(shè)計、外延生長、芯片制造、測試與失效分析于一體，擁有全球最大的8英寸硅基氮化鎵晶圓的生產(chǎn)能力。公司的主要產(chǎn)品涵蓋從低壓到高壓（30V-650V）的氮化鎵功率器件，產(chǎn)品設(shè)計及性能均達到國際先進水平。
英諾賽科已在激光雷達、數(shù)據(jù)中心、5G通訊、高密度高效快速充電、無線充電、車載充電器、LED 燈照明驅(qū)動等方面發(fā)布產(chǎn)品方案，并與國內(nèi)多家應用頭部企業(yè)開展深度合作，實現(xiàn)量產(chǎn)。英諾賽科作為技術(shù)全球領(lǐng)先的第三代半導體公司，在8英寸硅基氮化鎵核心技術(shù)和關(guān)鍵工藝領(lǐng)域已實現(xiàn)重大突破，建立了高功率密度、高效率、高增益、低成本的硅基氮化鎵量產(chǎn)平臺，實現(xiàn)了中國第三代半導體零的突破。
我們的核心技術(shù)團隊
英諾賽科的核心技術(shù)團隊由半導體和（電力）電子行業(yè)的專家和資深人士組成。 他們均來自世界一流的領(lǐng)先公司，在硅基氮化鎵技術(shù)的開發(fā)和大規(guī)模量產(chǎn)方面擁有豐富的經(jīng)驗。
此外，為了展示英諾賽科在氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域擁有的潛力，并更加順利地推廣產(chǎn)品，英諾賽科還匯集了系統(tǒng)工程領(lǐng)域的專家，用于進行面向特殊應用和客戶的開發(fā)板及其他電路系統(tǒng)的研制。
英諾賽科（Innoscience）創(chuàng)立于2015年12月17日，旨在打造全球最大的采用全產(chǎn)業(yè)鏈模式，集設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體氮化鎵（GaN ）的生產(chǎn)基地。
公司成立之初，英諾賽科的創(chuàng)始人就深知，如果想實現(xiàn)氮化鎵技術(shù)在市場上的廣泛應用，產(chǎn)品的性能和可靠性只是根本。氮化鎵功率電子器件在市場上要進行大規(guī)模推廣，還需要解決另外三個痛點：首先是成本，具備合理的價格才能被廣泛采用。其次是具備大規(guī)模量產(chǎn)能力，以應對市場的爆發(fā)。第三，要確保器件供應鏈穩(wěn)定，有了穩(wěn)定的貨源供應，客戶可以全心全意投入產(chǎn)品和系統(tǒng)的開發(fā)，無需擔心因氮化鎵器件供應戰(zhàn)略的變化而導致停產(chǎn)。因此，Innoscience 明白，只有擴大 GaN 器件的產(chǎn)能并擁有自主可控的生產(chǎn)線，才有可能解決氮化鎵功率電子器件在市場上進行大規(guī)模推廣的三個痛點（價格、數(shù)量和供應安全）。
從一開始，英諾賽科就戰(zhàn)略性地將采用8英寸晶圓，與6英寸相比，8英寸晶圓的器件數(shù)量比6英寸晶圓多80%。同時，英諾賽科采用C-MOS工藝，以便將多年來在三極管生產(chǎn)領(lǐng)域積累的經(jīng)驗和優(yōu)化措施應用在氮化鎵晶圓的生產(chǎn)工藝中。
今天，英諾賽科已實現(xiàn)了最初的規(guī)劃。目前，公司擁有兩座8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)基地，采用最先進的8英寸生產(chǎn)工藝，是全球產(chǎn)能最高的氮化鎵器件廠商。
目前，英諾賽科8英寸硅基氮化鎵的產(chǎn)能達到每月10000片，并將逐漸擴大至每月70000片以上。
我們能取得這些成就，離不開招銀國際、ARM、SK和CATL等世界級投資方的支持。
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