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標(biāo)簽 > 集成驅(qū)動(dòng)器
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ADS9117 18位5MSPS SAR ADC,帶ADC驅(qū)動(dòng)器和基準(zhǔn)電壓源技術(shù)手冊(cè)
ADS911x是18位高速模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)系列,具有用于ADC輸入的集成驅(qū)動(dòng)器。集成的ADC驅(qū)動(dòng)器簡(jiǎn)化了信號(hào)鏈,降低了精密應(yīng)用的功耗,并支持超過(guò)1M...
2025-10-22 標(biāo)簽:adc模數(shù)轉(zhuǎn)換器基準(zhǔn)電壓 304 0
?DRV8873 H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片技術(shù)文檔總結(jié)
DRV8873器件是一款集成驅(qū)動(dòng)器IC,用于驅(qū)動(dòng)工業(yè)應(yīng)用中的有刷直流電機(jī)。兩個(gè)邏輯輸入控制H橋驅(qū)動(dòng)器,該驅(qū)動(dòng)器由四個(gè)N溝道MOSFET組成,以高達(dá)10A...
2025-10-16 標(biāo)簽:電源供電峰值電流有刷直流電機(jī) 238 0
LMG3522R030 650V 30mΩ GaN FET,集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告數(shù)據(jù)手冊(cè)
LMG352xR030 集成了一個(gè)硅驅(qū)動(dòng)器,可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 150V/ns 的開(kāi)關(guān)速度。與分立硅柵極驅(qū)動(dòng)器相比,TI 的集成精密柵極偏置可實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān) S...
LMG3527R030 650V 30mΩ GaN FET,集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和零電流檢測(cè)數(shù)據(jù)手冊(cè)
LMG352xR030 集成了一個(gè)硅驅(qū)動(dòng)器,可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 150V/ns 的開(kāi)關(guān)速度。與分立式硅柵極驅(qū)動(dòng)器相比,TI 的集成精密柵極偏置可實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān) ...
LMG2656 650V、230mΩ GaN 半橋,集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流檢測(cè)數(shù)據(jù)手冊(cè)
該LMG2656是650V 230mΩ GaN功率FET半橋。該LMG2656通過(guò)在6mm x 8mm QFN封裝中集成半橋功率FET、柵極驅(qū)動(dòng)器、自舉...
2025-08-06 標(biāo)簽:電路板emi電平轉(zhuǎn)換器 724 0
技術(shù)資料#LMG3410R070 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 600V 70mΩ GaN
LMG341xR070 GaN 功率級(jí)具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能,使設(shè)計(jì)人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比,L...
2025-02-26 標(biāo)簽:GaN電力電子系統(tǒng)輸出電容 466 0
技術(shù)資料#LMG3411R070 具有集成驅(qū)動(dòng)器和逐周期過(guò)流保護(hù)的 600V 70mΩ GaN
LMG341xR070 GaN 功率級(jí)具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能,使設(shè)計(jì)人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比,L...
2025-02-26 標(biāo)簽:過(guò)流保護(hù)GaN電力電子系統(tǒng) 911 0
技術(shù)資料#LMG3410R050 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 600V 50mΩ GaN
LMG341xR050 GaN 功率級(jí)具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能,使設(shè)計(jì)人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比,L...
技術(shù)資料#LMG3411R050 具有集成驅(qū)動(dòng)器和逐周期過(guò)流保護(hù)的 600V 50mΩ GaN
LMG341xR050 GaN 功率級(jí)具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能,使設(shè)計(jì)人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比,L...
2025-02-25 標(biāo)簽:電子系統(tǒng)PFCGaN 834 0
技術(shù)資料#LMG3411R150 具有集成驅(qū)動(dòng)器和逐周期過(guò)流保護(hù)的 600V 150mΩ GaN
LMG341xR150 GaN FET 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能,使設(shè)計(jì)人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比,...
2025-02-25 標(biāo)簽:MOSFET電子系統(tǒng)GaN 604 0
用于IMVP-7 VCORE且具有2個(gè)集成驅(qū)動(dòng)器的降壓控制器TPS51640A,TPS59640 和 TPS59641 數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-04-07 標(biāo)簽:控制器集成驅(qū)動(dòng)器 294 0
具有過(guò)流保護(hù)功能的LMG341xR050 600V 50mΩ集成式GaN功率級(jí)數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-03-28 標(biāo)簽:GaN集成驅(qū)動(dòng)器 395 0
具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能的LMG3522R030-Q1 650V 30m? GaN FET數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-03-28 標(biāo)簽:GaN集成驅(qū)動(dòng)器 302 0
使用帶集成驅(qū)動(dòng)器的功率器件板實(shí)現(xiàn)機(jī)器人控制立即下載
類別:傳感與控制 2017-05-10 標(biāo)簽:傳感器機(jī)器人集成驅(qū)動(dòng)器 664 0
瑞薩電子推出業(yè)界超高性能80V雙向升降壓和兩相降壓直流DC/DC控制器
ISL81801雙向升降壓和ISL81802兩相降壓控制器,可為48V電信、數(shù)據(jù)中心及工業(yè)應(yīng)用可靠供電提供所需額外電壓裕量。
瑞薩電子推出面向物聯(lián)網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)的 第二代多相數(shù)字控制器和智能功率級(jí)單元模塊(SPS)
瑞薩電子移動(dòng)、基礎(chǔ)設(shè)施及物聯(lián)網(wǎng)電源事業(yè)部副總裁Andrew Cowell表示:“瑞薩電子為客戶打造了業(yè)界廣泛的數(shù)字多相產(chǎn)品系列,是唯一可為1000A+超...
2020-10-15 標(biāo)簽:電源設(shè)計(jì)物聯(lián)網(wǎng)瑞薩電子 1.9k 0
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