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標(biāo)簽 > MOS管
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。
雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個(gè)大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另一種晶體管，叫做場效應(yīng)管（FET），把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transconductance， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側(cè)圖片（N溝道耗盡型MOS管）。而P溝道常見的為低壓mos管。
場效應(yīng)管通過投影一個(gè)電場在一個(gè)絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實(shí)上沒有電流流過這個(gè)絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）晶體管，或，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（MOSFET）。因?yàn)镸OS管更小更省電，所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場合取代了雙極型晶體管。
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。
雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個(gè)大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另一種晶體管，叫做場效應(yīng)管（FET），把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transconductance， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側(cè)圖片（N溝道耗盡型MOS管）。而P溝道常見的為低壓mos管。
場效應(yīng)管通過投影一個(gè)電場在一個(gè)絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實(shí)上沒有電流流過這個(gè)絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）晶體管，或，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（MOSFET）。因?yàn)镸OS管更小更省電，所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場合取代了雙極型晶體管。
智能高邊開關(guān)空載關(guān)斷延時(shí)案例分析
隨著新能源汽車智能化進(jìn)程加速，智能高邊開關(guān)憑借其智能化特性與全面的保護(hù)功能，在汽車市場廣泛應(yīng)用。亞成微智能高邊開關(guān)系列產(chǎn)品順勢拓展，已成功落地商用車、乘...
2025-10-07 標(biāo)簽：延時(shí)MOS管高邊開關(guān) 894 0
車載OBC中全橋變換器功率MOS管的應(yīng)用及注意事項(xiàng)
隨著電動汽車的發(fā)展，功率MOS管在汽車電子的應(yīng)用也日益增多，本文就車載OBC中全橋變換器功率MOS管應(yīng)用及注意事項(xiàng)做簡單記要。
這個(gè)電控界的MOS管，但想讓它聽話，還得靠驅(qū)動電路！整理了 4 種常用方案。
在 BUCK 電源設(shè)計(jì)中，MOS 管的 “快開快關(guān)” 是減少損耗的關(guān)鍵，而實(shí)現(xiàn)這一需求的核心，離不開前級驅(qū)動與滯回比較器的精妙配合。今天我們就從電路搭建...
1、LLC 電路拓?fù)?LLC 電路是由 2 個(gè)電感和 1 個(gè)電容構(gòu)成的諧振電路，故稱之為 LLC。其拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)根據(jù) MOS 管的配列可以分為半橋或全橋類型...
微碩WINSOK高性能MOS管WSF45P06在汽車燃油泵上的應(yīng)用
汽車燃油泵是電噴發(fā)動機(jī)燃油系統(tǒng)的核心部件，位于油箱內(nèi)部，負(fù)責(zé)將燃油從油箱吸出并加壓輸送至供油管，與燃油壓力調(diào)節(jié)器配合建立穩(wěn)定的燃油壓力??，F(xiàn)代燃油泵多采...
中科微電ZK60N120G：SGT工藝賦能的高壓大電流MOS管標(biāo)桿
中科微電ZK60N120G是一款專為中大功率場景設(shè)計(jì)的N 溝道增強(qiáng)型功率MOS管，其型號編碼精準(zhǔn)勾勒出核心性能邊界：“60” 代表60A連續(xù)漏極電流（I...
2025-10-10 標(biāo)簽：電子元器件場效應(yīng)管MOS管 502 0
中科微電MOS管ZK30N100G的技術(shù)優(yōu)勢與場景革命
中科微電ZK30N100G的型號命名，是對其核心性能的直觀注解：“30” 對應(yīng)30A持續(xù)漏極電流（I_D） ，滿足中大功率設(shè)備的電流承載需求；“100”...
2025-10-09 標(biāo)簽：電子元器件場效應(yīng)管MOS管 377 0
中科微電mos管ZK60N120G：高壓大電流場景下的N溝道MOS管性能標(biāo)桿
ZK60N120G 作為一款高性能 N 溝道增強(qiáng)型 MOS 管，憑借其在高壓耐受與大電流承載方面的突出表現(xiàn)，成為工業(yè)自動化、新能源設(shè)備等中大功率場景的關(guān)...
2025-10-09 標(biāo)簽：場效應(yīng)管MOS管驅(qū)動芯片 358 0
中科微電車規(guī)MOS管ZK60G270G：汽車核心系統(tǒng)的高效功率控制解決方案
中科微電車規(guī)MOS管ZK60G270G：汽車核心系統(tǒng)的高效功率控制解決方案
2025-09-30 標(biāo)簽：場效應(yīng)管MOS管驅(qū)動芯片 292 0
FS2117 高效 DC-DC 同步整流升壓轉(zhuǎn)換器中文手冊立即下載
類別：IC中文資料 2025-09-23 標(biāo)簽：MOS管升壓轉(zhuǎn)換器
中低壓MOS管MDDG10R20D數(shù)據(jù)手冊立即下載
類別：IC datasheet pdf 2025-07-10 標(biāo)簽：MOS管
中低壓MOS管MDDG10R08P數(shù)據(jù)手冊立即下載
類別：IC datasheet pdf 2025-07-10 標(biāo)簽：MOS管
中低壓MOS管MDDG10R08G數(shù)據(jù)手冊立即下載
類別：IC datasheet pdf 2025-07-10 標(biāo)簽：MOS管
中低壓MOS管MDDG10R08D數(shù)據(jù)手冊立即下載
類別：IC datasheet pdf 2025-07-10 標(biāo)簽：MOS管
中低壓MOS管MDDG10R04P數(shù)據(jù)手冊立即下載
類別：IC datasheet pdf 2025-07-10 標(biāo)簽：MOS管
中低壓MOS管MDDG10R04B數(shù)據(jù)手冊立即下載
類別：IC datasheet pdf 2025-07-10 標(biāo)簽：MOS管
電子元件是電子設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行的核心組成，包括半導(dǎo)體主動器件和被動器件，承擔(dān)功率轉(zhuǎn)換、信號處理、電路防護(hù)等關(guān)鍵功能。合科泰提供豐富的電子元件，涵蓋主動器件如...
在工業(yè)控制板的設(shè)計(jì)之中，PWM轉(zhuǎn)0-10V方案常面臨小體積與性能達(dá)標(biāo)的要求，尤其在工業(yè)變頻器控制板、車載電源模塊、智能照明驅(qū)動板等等場景中更加突出。如果...
電子電路中，負(fù)電壓的產(chǎn)生往往需要特殊配置，但有一種利用運(yùn)算放大器和地線的簡單方法，將運(yùn)算放大器配置為反相放大器，輸入端接地，通過調(diào)整電阻和電源電壓的參數(shù)...
合科泰MOS管HKTD15N10在功率放大器的應(yīng)用
在音頻功率放大、工業(yè)控制和電源管理等電子系統(tǒng)里，對功率放大器的設(shè)計(jì)需要多方平衡，既要覆蓋足夠的帶寬范圍，又要保證在工作頻段內(nèi)的增益穩(wěn)定性。因此，對于MO...
合科泰MOS管HKTQ50N03的三個(gè)核心優(yōu)勢
在低壓大電流設(shè)計(jì)的時(shí)候，想要省成本、縮體積，所以想省個(gè)散熱器，但是又怕過熱炸管子;大封裝倒是散熱好了，結(jié)果又占了半塊PCB板。兩難抉擇下，怎么選擇MOS...
工程師們在電子設(shè)備電路設(shè)計(jì)時(shí)，是不是常常被MOS管選型搞得頭大?電壓、電流、封裝需求五花八門，封裝不匹配安裝難，溝道類型或參數(shù)不對影響整機(jī)性能，而MOS...
2024年全球逆變器系統(tǒng)市場規(guī)模達(dá)215.9億美元，預(yù)計(jì)2029年將增至449.5億美元，年復(fù)合增長率約15.8%。也就是說該行業(yè)在5年內(nèi)將翻一番，如何...
飛虹MOS管FHP180N08V在不間斷電源的應(yīng)用
不間斷電源的應(yīng)用范圍在不斷擴(kuò)大，除了傳統(tǒng)的通信、醫(yī)院、航天等領(lǐng)域外，針對小型領(lǐng)域的使用也在增多，比如機(jī)械硬盤領(lǐng)域，飛牛fnOS在9月份表示將為其數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)...
PKDV5151高壓差分探頭在開關(guān)電源MOS管電壓測試中的應(yīng)用方案
一、應(yīng)用場景背景 開關(guān)電源是電子設(shè)備的核心部件，其穩(wěn)定性與可靠性直接影響設(shè)備的整體性能。在開關(guān)電源的研發(fā)和調(diào)試過程中，MOS管作為關(guān)鍵的功率器件，其漏源...
2025-09-28 標(biāo)簽：開關(guān)電源MOS管高壓差分探頭 220 0
龍騰半導(dǎo)體650V 99mΩ超結(jié)MOSFET重磅發(fā)布
龍騰半導(dǎo)體最新推出650V/40A/99mΩ超結(jié)MOSFET，其內(nèi)置FRD，適應(yīng)LLC應(yīng)用，并適合多管應(yīng)用，具有更快的開關(guān)速度，更低的導(dǎo)通損耗；極低的柵...
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