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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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一種針對(duì)小功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)的全新壓注模表面貼裝型智能功率模塊
為了將盡可能多的分立元器件集成到IPM封裝中,我們采用了將IGBT和FWD集成為單個(gè)芯片中的RC-IGBT芯片,以確保有足夠的空間用于其他芯片/器件的封...
變頻器(VFD)在運(yùn)行時(shí)突然發(fā)出爆炸聲,同時(shí)外部保險(xiǎn)絲燒斷,拆機(jī)時(shí)發(fā)現(xiàn)VFD的igbt模塊損壞。測(cè)試相關(guān)板卡后發(fā)現(xiàn)igbt觸發(fā)電路損壞,其他板卡正常。在...
分析和比較驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)和功率回路耦合特性對(duì)于并聯(lián)IGBT均流特性的影響
本文作者北京交通大學(xué)電氣工程學(xué)院穆峰,劉宜鑫,賈靜雯,郝欣,楊勇,黃先進(jìn) 摘要:隨著電力電子應(yīng)用越發(fā)趨于高壓與高功率密度,單個(gè)模塊已經(jīng)無(wú)法滿足其需求,功...
Littelfuse專為電機(jī)控制和逆變器設(shè)計(jì)的IGBT模塊,有何特點(diǎn)
Littelfuse公司是全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè),已擴(kuò)充其專為電機(jī)控制和逆變器應(yīng)用設(shè)計(jì)的IGBT模塊功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。 IGBT功率模塊提供廣泛的包裝...
IGBT驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì):揭秘門極電壓選擇的奧秘
絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)作為一種結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和雙極結(jié)型晶體管(BJT)優(yōu)點(diǎn)的功率半導(dǎo)體器件,因其具有低開(kāi)關(guān)損...
PicoScope示波器在IGBT動(dòng)態(tài)性能測(cè)試中的應(yīng)用
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是功率半導(dǎo)體的一種,它可以被簡(jiǎn)化的看作為一個(gè)能夠快速切換的開(kāi)關(guān),可以被用來(lái)通過(guò)低壓脈沖來(lái)控制高壓信號(hào)的通斷。IGBT具有三個(gè)...
波老師那個(gè)年代上大學(xué)都是自己攢機(jī)裝電腦,買CPU先問(wèn)主頻多少Hz?后來(lái)買手機(jī)也是,先看幾個(gè)核,再看主頻...所以估計(jì)大家都也差不多,都烙下病根兒了。 可...
在電力電子領(lǐng)域,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是兩種非常重要的功率半導(dǎo)體器件。它們各自具有獨(dú)特的工作原理、結(jié)構(gòu)...
4.5kV IGBT/二極管芯片組在高壓直流輸電領(lǐng)域的應(yīng)用
制造商已經(jīng)為高壓直流 (HVDC) 應(yīng)用開(kāi)發(fā)出新的 4.5kV 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)/ 二極管芯片組并對(duì)其性能進(jìn)行了優(yōu)化 。
2014-10-28 標(biāo)簽:IGBT英飛凌科技FZ1200R45HL3 5.4k 0
雙脈沖測(cè)試是否能夠反映器件在真實(shí)換流中的各種電應(yīng)力
大家好,前段時(shí)間在知乎上看到有個(gè)網(wǎng)友問(wèn):“在大功率變頻器應(yīng)用中,我們常用雙脈沖測(cè)試評(píng)估器件的動(dòng)態(tài)特征,在實(shí)際中有可比性嗎?”感覺(jué)這個(gè)問(wèn)題提的比較好,也是...
IGBT的電流是器件基本參數(shù)之一,顯而易見(jiàn)FS450R12KE4就是450A1200VIGBT模塊。這樣的理解對(duì)于日常工作交流來(lái)說(shuō)是足夠了,但對(duì)于一位設(shè)...
淺談汽車PTC模塊中用低側(cè)驅(qū)動(dòng)器IC的作用分析
分立式電路的一個(gè)顯著缺點(diǎn)是它不提供保護(hù),而柵極驅(qū)動(dòng)器IC集成了對(duì)于確??深A(yù)測(cè)和穩(wěn)定的柵極驅(qū)動(dòng)非常重要的功能。
2021-05-31 標(biāo)簽:MOSFETIGBT電源開(kāi)關(guān) 5.3k 0
GaN和SiC器件或?qū)⒊蔀楣β兽D(zhuǎn)換應(yīng)用中的新型解決方案
基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開(kāi)關(guān)技術(shù)的出現(xiàn)促使性能大幅提升,超越了基于MOSFET和IGBT技術(shù)的傳統(tǒng)系統(tǒng)。
硅IGBT與碳化硅MOSFET的優(yōu)缺點(diǎn)
Si IGBT和SiC MOSFET之間的主要區(qū)別在于它們可以處理的電流類型。一般來(lái)說(shuō),MOSFET更適合高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用,而IGBT更適合高功率應(yīng)用。
2023-10-17 標(biāo)簽:MOSFET逆變器電機(jī)驅(qū)動(dòng) 5.3k 0
氮化鎵提供更低的開(kāi)關(guān)損耗、更快的開(kāi)關(guān)速度、更高的功率密度、更好的熱預(yù)算、從而提高電動(dòng)汽車的功率輸出和能效,且降低了重量和成本。
2018-07-17 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車igbtSiC 5.3k 0
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