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標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
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對于變頻器的維修,總的來說,首先要對其工作原理有較透徹的理解,對每個電路的性能指標、工作點及器件的性能、好壞都能有一個正確的判別,才能真正地修好每一臺設...
MOSFET全稱功率場效應晶體管。它的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。主要優(yōu)點是熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大,缺點是擊穿電壓低,工作電流小。
目前IGBT 的電流/電壓等級已達1800A/1200V,關斷時間已經(jīng)縮短到40ns,工作頻率可達40kHz,擎住現(xiàn)象得到改善,安全工作區(qū)(SOA)擴大...
為什么要找替代的IGBT?因為面對世界的不穩(wěn)定因素,國內(nèi)如果有好的電子元器件替代的話,為什么不選擇呢?這樣才能更好保障自己的產(chǎn)品穩(wěn)定性。
ACPL-P349/W349評估板特性 IGBT或SiC/GaN MOSFET柵極驅動器配置分析
本手冊概述了 ACPL-P349/W349 評估板的特性以及評估隔離式 IGBT 或 SiC/GaN MOSFET 柵極驅動器所需的配置。需要目視檢查以...
晶閘管(Thyristor)與絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT)作為電力電子領域中的關...
雙脈沖測試系統(tǒng):該系統(tǒng)用于產(chǎn)生所需的雙脈沖信號,以模擬實際工作中的開關動作。它能夠精確地控制脈沖的寬度、幅度和頻率,以滿足測試需求。
2024-03-11 標簽:測試系統(tǒng)IGBT功率器件 4.8k 0
雖然可控硅調光電源可能存在一些噪聲,但在一般情況下,這些噪聲水平是可以接受的,并不會對其正常功能和性能產(chǎn)生顯著影響。如果噪聲超出了所期望的范圍,并且造...
IGBT全稱為絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor),所以它是一個有MOS Gate的BJT晶體管。奇...
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