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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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電動(dòng)汽車(chē)中逆變器里的電容到底有什么特別
上半年COVID-19疫情的爆發(fā),給IT設(shè)備領(lǐng)域創(chuàng)造了新的行業(yè)熱點(diǎn),但對(duì)交通出行行業(yè)造成了重創(chuàng)。從中國(guó)汽車(chē)工業(yè)協(xié)會(huì)(CAAM)的數(shù)據(jù)來(lái)看,今年一季度,乘...
2020-10-17 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)逆變器IGBT 8.9k 0
基于Lifetime控制技術(shù)的超級(jí)結(jié)MOSFET產(chǎn)品PrestoMOS
ROHM獨(dú)有的超級(jí)結(jié)MOSFET產(chǎn)品PrestoMOS,運(yùn)用ROHM獨(dú)創(chuàng)的Lifetime控制技術(shù)優(yōu)勢(shì),實(shí)現(xiàn)了極快*的反向恢復(fù)時(shí)間(trr),非常有助于...
2021-01-07 標(biāo)簽:逆變器電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT 3.9k 0
基于IGBT模塊和驅(qū)動(dòng)器IC的電機(jī)驅(qū)動(dòng)和逆變器設(shè)計(jì)方案
電機(jī)和逆變器的使用在工業(yè)自動(dòng)化、機(jī)器人、電動(dòng)汽車(chē)、太陽(yáng)能、白色家電和電動(dòng)工具等應(yīng)用中日漸增長(zhǎng)。隨著這種增長(zhǎng)是對(duì)提高效率、降低成本、縮小封裝和簡(jiǎn)化整體設(shè)計(jì)...
2020-12-28 標(biāo)簽:逆變器電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT 8.3k 0
IGBT和SiC MOSFET差異 柵極驅(qū)動(dòng)器電路設(shè)計(jì)
也許與此主題相關(guān)的最根本的問(wèn)題是問(wèn)為什么使用并行模塊?將2個(gè)200A模塊并聯(lián)成一個(gè)400A模塊有什么好處,為什么不簡(jiǎn)單地使用400A零件呢?在商業(yè)方面,...
IGBT電動(dòng)汽車(chē)空調(diào)有哪些關(guān)鍵技術(shù)
ROHM的RGS系列是符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)、且具有1200V和650V寬耐壓范圍的IGBT產(chǎn)品。該系列具有更低的傳導(dǎo)損耗,有助于提高應(yīng)用產(chǎn)品的效率并...
2020-10-02 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)IGBT 3.3k 0
我們都知道,電源設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)當(dāng)然算是個(gè)技術(shù)活兒,也是累活兒,工作繁雜挑戰(zhàn)諸多。電源設(shè)計(jì)工程師根據(jù)任務(wù)書(shū)選擇合適的器件和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),設(shè)計(jì)符合功能的原型版,電源設(shè)...
2020-10-06 標(biāo)簽:電源設(shè)計(jì)IGBTEMC 1.7k 0
ITECH半導(dǎo)體測(cè)試方案解析,從容應(yīng)對(duì)全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)風(fēng)起云涌
功率模塊供應(yīng)商會(huì)搭建不同的產(chǎn)品解決方案,并進(jìn)行轉(zhuǎn)換效率,溫升等指標(biāo)驗(yàn)證,向下游的客戶(hù)(生產(chǎn)電機(jī)控制器,UPS,光伏逆變器制造商…)提供參考案例并證明其性...
2020-08-17 標(biāo)簽:IGBT功率模塊功率半導(dǎo)體 1.3k 0
IGBT –電動(dòng)汽車(chē)空調(diào)的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)
與使用內(nèi)燃機(jī)的傳統(tǒng)汽車(chē)相比,電動(dòng)汽車(chē)的能效要高得多,但這也帶來(lái)一個(gè)問(wèn)題:來(lái)自電機(jī)的廢熱不再足以滿(mǎn)足車(chē)內(nèi)的取暖需求。
2020-08-04 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)逆變器IGBT 1.8k 0
基于IGBT技術(shù)實(shí)現(xiàn)反并聯(lián)二極管的正確設(shè)計(jì)
二極管的反向恢復(fù)電荷Qrr與正向壓降Vf的關(guān)系曲線(xiàn)可以表示出二極管的特性。這意味著,原則上該曲線(xiàn)上的每一個(gè)點(diǎn)都能實(shí)現(xiàn),如圖1所示。因此,可以設(shè)計(jì)出低Qr...
基于IGBT器件的三相逆變器驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)與分析
電 力 電 子 變 換 技 術(shù) 的 發(fā) 展 , 使 得 各 種 各 樣 的 電 力 電 子 器 件 得 到 了 迅 速 的 發(fā) 展 。 20世 紀(jì) 80...
2020-07-16 標(biāo)簽:逆變器igbt驅(qū)動(dòng)電路 3.9k 0
焊機(jī)的基本知識(shí)、電路拓?fù)渑cIGBT選擇的建議
焊機(jī)作為比較傳統(tǒng)的行業(yè),但是任何一個(gè)行業(yè)不可能是停滯不前的。俗話(huà)說(shuō):原地踏步就等于退步。所以,隨著電子元器件的發(fā)展,各個(gè)行業(yè)也都在不停地迭代更新,推出新...
小白常犯的錯(cuò)誤:IGBT的頻率的高底取決于散熱和電流
首先,開(kāi)關(guān)頻率是指IGBT在一秒鐘內(nèi)開(kāi)關(guān)次數(shù)。而在確定的母線(xiàn)電壓和導(dǎo)通電流下,IGBT每次開(kāi)關(guān)都會(huì)產(chǎn)生一定的損耗,開(kāi)通損耗是Eon,關(guān)斷損耗是Eoff,...
實(shí)際上,三相380伏輸入的IGBT的耐壓值是1200伏,往往要求工作在800伏以?xún)?nèi),考慮到電壓如果升高,都會(huì)有個(gè)慣性問(wèn)題,也就是你馬上讓制動(dòng)電阻工作了,...
硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)幾個(gè)方面的不同
硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)兩者電氣參數(shù)特性差別較大,碳化硅MOSFET對(duì)于驅(qū)動(dòng)的要求也不同于傳統(tǒng)硅器件,主要體現(xiàn)在GS開(kāi)通電壓、GS關(guān)斷電壓、短...
基于MOSFET和IGBT器件在電機(jī)控制應(yīng)用中的選擇
長(zhǎng)期以來(lái),發(fā)動(dòng)機(jī)控制一直處于研究和開(kāi)發(fā)活動(dòng)的前沿,其目標(biāo)是在兩個(gè)層面上找到有效和高效的微電子解決方案,一個(gè)是計(jì)算軟件,另一個(gè)是可以在微電子層次集成的電力...
2020-01-30 標(biāo)簽:mosfet電動(dòng)機(jī)igbt 4.5k 0
PMA等離子釬焊機(jī)的工作原理及應(yīng)用特點(diǎn)
原理:在陰極和噴嘴的內(nèi)壁之間產(chǎn)生電弧,輸入氣體后,氣體被陰極和噴嘴之間的電弧加熱并造成全部或部分電離,然后由噴嘴噴出形成等離子火焰,外部火焰溫度高達(dá)15...
如何為IGBT提供合適柵極信號(hào)的柵極驅(qū)動(dòng)器
在開(kāi)關(guān)期間,晶體管會(huì)處于同時(shí)施加了高電壓和高電流的狀態(tài)。根據(jù)歐姆定律,這將導(dǎo)致一定的損耗,具體取決于這些狀態(tài)的持續(xù)時(shí)間(參見(jiàn)圖2)。目標(biāo)是要最大程度地減...
2019-10-10 標(biāo)簽:IGBT總線(xiàn)柵極驅(qū)動(dòng)器 2k 0
IGBT及驅(qū)動(dòng)電路的過(guò)壓保護(hù)
IGBT集-射極之間的瞬時(shí)過(guò)壓會(huì)對(duì)IGBT造成損壞,筆者采用箝位式吸收電路對(duì)瞬時(shí)過(guò)電壓進(jìn)行抑制。
2019-09-30 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動(dòng)電路 1.1萬(wàn) 0
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