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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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IGBT的工作原理/性能優(yōu)勢(shì)/應(yīng)用領(lǐng)域/技術(shù)趨勢(shì)/測(cè)試與選型要點(diǎn)——你知道多少?
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,融合了 MOSFET 的高輸入阻抗和 BJT(雙極型晶體管)的低導(dǎo)通壓降優(yōu)勢(shì),在...
數(shù)明半導(dǎo)體推出全新600V/4A半橋門極驅(qū)動(dòng)SiLM228x系列
在工業(yè)電機(jī)控制、新能源逆變以及開關(guān)電源等高壓高功率應(yīng)用中,傳統(tǒng)門極驅(qū)動(dòng)方案長(zhǎng)期面臨三大技術(shù)瓶頸:在高壓環(huán)境下,抗干擾能力薄弱易引發(fā)誤觸發(fā);驅(qū)動(dòng)效率低下導(dǎo)...
2025-05-30 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源IGBT 1.2k 0
硅基時(shí)代的黃昏:為何SiC MOSFET全面淘汰IGBT?
革命性替代:為何SiC MOSFET全面淘汰IGBT? —— 當(dāng)效率差距跨越臨界點(diǎn),IGBT被淘汰便是唯一結(jié)局 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模...
揚(yáng)杰IGBT七單元模塊:全封裝矩陣平替進(jìn)口,重構(gòu)國(guó)產(chǎn)化功率器件新生態(tài)
國(guó)產(chǎn)化破局 重構(gòu)功率器件生態(tài) IGBT Localization 在全球供應(yīng)鏈震蕩與國(guó)產(chǎn)替代浪潮中,揚(yáng)杰科技推出七單元IGBT全封裝解決方案,以六大封裝...
陸芯科技正式推出1200V40A Gen3的IGBT單管,產(chǎn)品型號(hào)為AU40N120T3A5。產(chǎn)品采用LUXIN FS-Trench Gen3平臺(tái),Pi...
什么是IGBT/SiC/GaN HEMT功率芯片/模塊/模組?特性是什么?主要應(yīng)用哪里?
IGBT/SiC/GaN HEMT功率芯片/模塊/模組 一、核心器件定義 ? IGBT(絕緣柵雙極型晶體管) ? 電力電子領(lǐng)域核心開關(guān)器件,通過柵極電壓...
逆變焊機(jī)新時(shí)代:碳化硅(SiC)技術(shù)開啟高效節(jié)能新篇章
在工業(yè)制造領(lǐng)域,焊接設(shè)備是核心生產(chǎn)力工具之一,其效率與能耗直接影響生產(chǎn)成本和環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)。傳統(tǒng)焊機(jī)多采用IGBT(絕緣柵雙極晶體管)技術(shù),但在高頻應(yīng)用場(chǎng)景下...
部分外資廠商IGBT模塊失效報(bào)告作假對(duì)中國(guó)功率模塊市場(chǎng)的深遠(yuǎn)影響
部分IGBT模塊廠商失效報(bào)告作假的根本原因及其對(duì)中國(guó)功率模塊市場(chǎng)的深遠(yuǎn)影響,可以從技術(shù)、商業(yè)、行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)等多維度分析,并結(jié)合中國(guó)功率模塊市場(chǎng)的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行...
大功率IGBT模塊你了解多少?結(jié)構(gòu)特性是什么?主要應(yīng)用在哪里?
一、核心定義與結(jié)構(gòu)特性 大功率IGBT模塊是以絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)為核心,集成續(xù)流二極管(FWD)的復(fù)合功率器件,通過多層封裝技術(shù)實(shí)現(xiàn)高電壓、...
大功率IGBT模塊/在線測(cè)試/檢修/失效分析IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀SC5016
IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀SC5016 一、產(chǎn)品技術(shù)概述 SC5016是面向第三代半導(dǎo)體測(cè)試需求開發(fā)的高精度自動(dòng)化測(cè)試平臺(tái),采用專利型多級(jí)程控電源架構(gòu),實(shí)現(xiàn)...
電機(jī)控制器是電動(dòng)汽車及工業(yè)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的核心部件,負(fù)責(zé)將動(dòng)力電池的直流電轉(zhuǎn)換為驅(qū)動(dòng)電機(jī)所需的三相交流電,并精確控制電機(jī)的轉(zhuǎn)速、轉(zhuǎn)矩及運(yùn)行狀態(tài)。其主要由殼體、...
國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊的必然性
國(guó)產(chǎn)SiC模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊的必然性 ——傾佳電子楊茜 BASiC基本半導(dǎo)體一級(jí)代理傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率...
新品 | 儲(chǔ)能用1200V 500A NPC2 三電平IGBT EasyPACK? 3B模塊
新品儲(chǔ)能用1200V500ANPC2三電平IGBTEasyPACK3B模塊1200V500ANPC2三電平模塊,采用EasyPACK3B封裝和最新開發(fā)的...
IGBT的靜態(tài)參數(shù)有哪些?怎樣去精確測(cè)量這些參數(shù)呢?
IGBT靜態(tài)參數(shù)是評(píng)估其正常工作狀態(tài)下電學(xué)特性的關(guān)鍵指標(biāo),主要包含以下核心參數(shù)及定義: 一、基本靜態(tài)參數(shù) ? 柵極-發(fā)射極閾值電壓(VGE(th)) ?...
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種復(fù)合型功率半導(dǎo)體器件,結(jié)合了?雙極型晶體管(BJT)?和?絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)?的技術(shù)優(yōu)勢(shì),廣泛應(yīng)用于高...
浮思特 | 從IGBT到超結(jié)MOSFET:超結(jié)MOSFET成冰箱變頻技術(shù)新寵
目前全球每年銷售約2.2億臺(tái)冰箱和冰柜,2024年市場(chǎng)規(guī)模約為750億美元。預(yù)計(jì)該市場(chǎng)將以6.27%的年復(fù)合增長(zhǎng)率持續(xù)增長(zhǎng),到2032年將達(dá)到約1200...
上海貝嶺獲評(píng)2025中國(guó)汽車芯片產(chǎn)業(yè)十大創(chuàng)新成果
上海貝嶺是國(guó)內(nèi)早期布局汽車發(fā)動(dòng)機(jī)點(diǎn)火IGBT研發(fā)的企業(yè),整體方案成熟、多樣。如圖2所示,在預(yù)驅(qū)上,我們可以提供分立、集成等方案;在核心功率器件IGBT上...
2025-05-14 標(biāo)簽:發(fā)動(dòng)機(jī)IGBT汽車芯片 1.2k 0
什么是IGBT?IGBT的靜態(tài)參數(shù)和動(dòng)態(tài)參數(shù)分別是什么?
IGBT(?Insulated Gate Bipolar Transistor?,絕緣柵雙極型晶體管)是一種復(fù)合型功率半導(dǎo)體器件,由?雙極型三極管(BJ...
SiC賦能IGBT:突破硅基極限,開啟高壓高效新時(shí)代
自1982年由通用電氣(GE)首次展示以來,基于硅材料的絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在過去四十余年間經(jīng)歷了顯著進(jìn)化。雖然GE最早實(shí)現(xiàn)了IGBT的商業(yè)化...
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