mos管

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mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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mos管技術(shù)

反激電源高壓MOS管尖峰電流的來源和減小方法

做電源的都測(cè)試過流過高壓MOS的電流波形，總會(huì)發(fā)現(xiàn)電流線性上升之前會(huì)冒出一個(gè)尖峰電流，并且有個(gè)時(shí)候甚至比正常的峰值電流還要高?？雌饋砗懿凰?。那這尖峰怎么...

2019-02-17 標(biāo)簽：電源 mos管 1.7萬 0

一文詳解MOS管的基本知識(shí)

MOS，是MOSFET的縮寫。MOSFET 金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor ...

2022-12-26 標(biāo)簽：MOS管可變電阻 VDS 1.7萬 0

一個(gè)簡(jiǎn)單的NMOS 驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

在搭建一個(gè)測(cè)試電路，需要用到 NMOS 器件，同事設(shè)計(jì)了一個(gè)電路如下：同事搭建的 NMOS 驅(qū)動(dòng)電路，部分電路看了一眼這個(gè)電路，我感覺有問題，MOS ...

2021-01-29 標(biāo)簽：MOS管 NMOS 發(fā)光二極管 1.7萬 0

淺談MOS管的高端驅(qū)動(dòng)和低端驅(qū)動(dòng)

MOS管相對(duì)于負(fù)載在電勢(shì)的低端，其中D通過負(fù)載接電源，S直接接地。對(duì)于NMOS，只有當(dāng)Vgs大于開啟電壓時(shí)，MOS管才能導(dǎo)通。

2020-01-31 標(biāo)簽：MOS管 PMOS 1.7萬 0

H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路電路圖 H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的工作原理和控制方式

H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路是一種廣泛應(yīng)用于電機(jī)控制領(lǐng)域的電子電路，其名稱來源于其形狀類似于英文字母“H”的電路布局。H橋電路主要用于控制直流電機(jī)（包括有刷直流電機(jī)...

2024-06-21 標(biāo)簽：電路圖 MOS管驅(qū)動(dòng)電路 1.7萬 0

兩種MOS管緩啟動(dòng)電路講解

　　利用的都是MOS管的米勒平臺(tái)效應(yīng)，分為NMOS和PMOS兩種，一般的NMOS用在接地端，PMOS用在電源的正端，這是由與他們的開啟電壓不同造成的，以...

2023-02-02 標(biāo)簽：mcu MOS管 NMOS 1.7萬 0

DC-DC中同步整流和異步整流的區(qū)別

　　同步：同步整流是采用導(dǎo)通電阻極低的專用功率MOS，來取代整流二極管以降低整流損耗。它能大大提高DC-DC變換器的效率并且不存在由肖特基勢(shì)壘電壓而造成...

2023-06-06 標(biāo)簽：整流二極管 MOS管變換器 1.7萬 0

MOSFET原理詳解與參數(shù)測(cè)試（2）

Rds(ON)是MOSFET工作（啟動(dòng)）時(shí)，漏極D和源極S之間的電阻值。在上文中我們介紹了MOSFET在導(dǎo)通后，Rds(ON)的值不是一成不變的，主要取...

2023-05-26 標(biāo)簽：二極管 MOSFET MOS管 1.7萬 0

什么是半橋驅(qū)動(dòng)芯片？與普通芯片區(qū)別點(diǎn)在哪里？

由于低側(cè)MOS管驅(qū)動(dòng)電壓的參考點(diǎn)為地，較容易設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路；而高側(cè)的驅(qū)動(dòng)電壓的參考點(diǎn)是跟隨VS電壓浮動(dòng)的，因此如何很好地驅(qū)動(dòng)高側(cè)MOS管是設(shè)計(jì)能否成功的關(guān)鍵。

2022-09-14 標(biāo)簽：MOS管半橋驅(qū)動(dòng)芯片 1.7萬 0

OC門和OD門的主要區(qū)別

OC門，又稱集電極開路(漏極開路)與非門門電路，Open Collector(Open Drain)。

2022-08-12 標(biāo)簽：MOS管三態(tài)門 OC門 1.7萬 0

按鍵開關(guān)機(jī)電路圖按鍵開關(guān)機(jī)電路設(shè)計(jì)方案

最近做個(gè)基于STM32腦波檢測(cè)的項(xiàng)目，甲方爸爸要求使用按鍵進(jìn)行開關(guān)機(jī)。在網(wǎng)上查了一些資料，找到了很多案例分享，在此進(jìn)行總結(jié)。

2023-09-15 標(biāo)簽：電路圖單片機(jī)MOS管 1.7萬 0

開關(guān)MOS管DS波形到底能得出多少信息？

當(dāng)MOS管電壓上升到A點(diǎn)時(shí),輸出整流管導(dǎo)通,初級(jí)勵(lì)磁電感箝位于V1. 此時(shí),漏感和雜散電容諧振, 由于變壓器線圈存在直流和交流電阻,該振蕩位阻尼振蕩,消...

2018-05-02 標(biāo)簽：MOS管數(shù)字示波器 1.7萬 0

之所以圖上沒畫出來，就是想說：沒有那些RCD之類的電路，變壓器照樣可以自感出個(gè)電壓使自己復(fù)位。當(dāng)然，這里又要注意，自己復(fù)位，是只能回到剩磁點(diǎn)的。也就是，...

2019-05-06 標(biāo)簽：變壓器電路 MOS管 1.7萬 1

MOS管的柵極G、源極S、漏極D的判定方法

　　MOS管有三個(gè)引腳，分別是，柵極G、源極S、漏極D，這三個(gè)腳，用于鏈接外部的電路。其中柵極G是控制引腳，通過改變引腳的電平，我們可以直接控制這個(gè)MO...

2023-02-27 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器 MOS管柵極 1.7萬 0

緩啟動(dòng)電路的工作原理、實(shí)例分析與應(yīng)用

通信產(chǎn)品一般采用分散供電方式，各單板上采用DC/DC模塊將-48V電源轉(zhuǎn)換為其所需的5V、3.3V、2.5V等子電源。由于輸入電壓高，電源電路中又存在用...

2023-06-29 標(biāo)簽：原理圖 MOS管波形 1.7萬 0

單片機(jī)中常見GPIO的八種工作模式詳解

GPIO 是通用輸入/輸出端口的簡(jiǎn)稱，是 STM32 可控制的引腳。GPIO 的引腳與外部硬件設(shè)備連接，可實(shí)現(xiàn)與外部通訊、控制外部硬件或者采集外部硬件數(shù)...

2023-06-13 標(biāo)簽：單片機(jī)MOS管 STM32 1.6萬 0

MOS管封裝分類

DIP封裝結(jié)構(gòu)形式有：多層陶瓷雙列直插式DIP、單層陶瓷雙列直插式DIP、引線框架式DIP(含玻璃陶瓷封接式、塑料包封結(jié)構(gòu)式、陶瓷低熔玻璃封裝式)等。D...

2019-05-07 標(biāo)簽：封裝 MOS管晶體管 1.6萬 0

穩(wěn)壓二極管的工作原理基于穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓電路圖

簡(jiǎn)單的說，穩(wěn)壓二極管其實(shí)就是利用二極管反向擊穿后在繼續(xù)增加電流的情況下二極管兩端電壓保持不變特性制成的二極管。就普通二極管而言反向擊穿不可恢復(fù)，穩(wěn)壓二極...

2023-08-03 標(biāo)簽：三極管二極管電路圖 1.6萬 0

怎么去選擇使用gm的三種表達(dá)式呢？

我們?cè)趯懣鐚?dǎo)gm的表達(dá)式時(shí)，知道gm有三種表達(dá)式。表達(dá)式含有的變量其實(shí)只有三個(gè)，一個(gè)W/L，一個(gè)Vgs-Vth，還有一個(gè)Id。

2023-09-17 標(biāo)簽：MOS管變量 1.6萬 0

IGBT與MOS管、可控硅的區(qū)別 IGBT驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

IGBT在結(jié)構(gòu)上是NPN行MOSFET增加一個(gè)P結(jié)，即NPNP結(jié)構(gòu)，在原理上是MOS推動(dòng)的P型BJT。

2023-10-18 標(biāo)簽：可控硅晶閘管 MOS管 1.6萬 0

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DC/DC轉(zhuǎn)換器為轉(zhuǎn)變輸入電壓后有效輸出固定電壓的電壓轉(zhuǎn)換器。DC/DC轉(zhuǎn)換器分為三類：升壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器、降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器以及升降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器。
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