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標簽 > mos管
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導體（semiconductor）場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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MOS管導通的實質(zhì)是對GS結(jié)電容充電，在上圖所示的原理圖我在G級串聯(lián)一個電阻是為了限制充電速度，防止充電過快產(chǎn)生震蕩。
導電溝道剛剛形成的時候那個正偏電壓Vgs，稱為開啟電壓Vgs（th）（或稱為“閾值電壓”）；Vgs大于Vgs（th）的這一段電壓區(qū)間，稱為可變電阻區(qū)，M...
拆過手機或者平板的用戶，應該都注意過，在手機或者平板的鋰電池部分，其上端有一塊質(zhì)地較軟且被塑料膜包裹起來的電路板(電池大小不同，電路板尺寸也不一樣)...
極限參數(shù)也叫絕對最大額定參數(shù)，MOS管在使用過程當中，任何情況下都不能超過下圖的這些極限參數(shù)，否則MOS管有可能損壞。
先講連續(xù)時或臨界時MOS管DS波形，在講斷續(xù)模式下mos管Ds波形。
在轉(zhuǎn)移特性曲線上，gm 是曲線在某點上的斜率，也可由iD的表達式求導得出，單位為 S 或 mS。（6） 最大漏極電流 IDM（7） 最大漏極耗散功率 P...
從多個維度分析了米勒效應，針對Cgd的影響也做了定量的推導，今天我們再和大家一起，結(jié)合米勒效應的仿真，探討下如何減小米勒平臺。
2023-02-14 標簽：開關(guān)電路示波器MOS管 1.4萬 0
IR21814后面接推挽放電電路。不同的是，為了MOS管的可靠關(guān)斷，在推挽后面增加負壓電路，C338/D318和C340/D322。當DCPWM1A輸入...
充電樁充電模塊常見結(jié)構(gòu)、原理以及市場調(diào)研
隨著電動汽車的快速發(fā)展，充電樁作為電動汽車產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)設施建設越來越受到中央和地方政府的重視，對充電樁電源模塊的要求也越來越高，充電模塊屬于電源產(chǎn)品中的一...
之前介紹過H橋電機驅(qū)動電路的基本原理，但是以集成的電機驅(qū)動芯片為示例。這些集成的芯片使用起來比較簡單，但是只能適用于一些小電流電機，對于大電流的電機(比...
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種雙極性功率半導體器件，由BJT（雙極型三極管）和MOS管復合而成，兼...
當MOS管電壓上升到A點時,輸出整流管導通,初級勵磁電感箝位于V1. 此時,漏感和雜散電容諧振, 由于變壓器線圈存在直流和交流電阻,該振蕩位阻尼振蕩,消...
2018-01-09 標簽：mos管 1.4萬 0
通用測試儀器大全之電子負載儀（特性，工作原理，使用方法，應用范圍）
以增強AVRRISC結(jié)構(gòu)的ATmega16控制器為核心，設計并制作了直流電子負載儀。系統(tǒng)通過斜波發(fā)生器產(chǎn)生的鋸齒波和電流采樣信號與控制信號的誤差信號作比...
不同的封裝、不同的設計，MOS管的規(guī)格尺寸、各類電性參數(shù)等都會不一樣，而它們在電路中所能起到的作用也會不一樣；另外，封裝還是電路設計中MOS管選擇的重要...
推挽（push-pull）輸出是由兩個MOS或者三極管組成，兩個管子始終保持一個導通，另一個截止的狀態(tài)。
常見的晶體管有二極管、三極管和MOS管，主要的邏輯門電路：與門、或門、非門、與非門、或非門、異或門等，這篇文章介紹用晶體管搭建常見的邏輯門電路。
MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管型號和增...
在嵌入式軟件開發(fā)中，經(jīng)常需要根據(jù)硬件原理圖去進行GPIO口配置；如果你硬件知識一點都不懂，那么在開發(fā)中遇到問題，你就很難初步判定是硬件的問題，還是軟件配...
一般可以使用在電源的正極串入一個二極管解決，不過，由于二極管有壓降，會給電路造成不必要的損耗，尤其是電池供電場合，本來電池電壓就3.7V，你就用二極管...
單相逆變器常見的調(diào)制方法有：單極性SPWM調(diào)制、雙極性SPWM調(diào)制和單極性等效雙極性SPWM調(diào)制
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