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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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在電子電路中,MOS管和IGBT管會經(jīng)常出現(xiàn),它們都可以作為開關(guān)元件來使用,MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似。那為什么有些電路用MOS管,...
P溝道MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一...
在一些實際應(yīng)用中,我們時常會用到需要提供負(fù)壓的場合。針對負(fù)壓的設(shè)計,小白之前就講述過一種方式,即采用charge pump的方法。然而呢,由于其帶負(fù)...
2022-11-08 標(biāo)簽:MOS管DCDCBuck-Boost 1.2萬 0
如下圖所示,左邊為NMOS,右邊為PMOS,由MOS管的結(jié)構(gòu)可以看出,其襯底B與漏極D整好構(gòu)成一個PN結(jié),這個PN是由于MOS結(jié)構(gòu)天然而成的,如果將...
PDN阻抗是從負(fù)載端看過去的電源分配網(wǎng)絡(luò)的阻抗,PDN阻抗要小于目標(biāo)阻抗,這些概念對于做電源完整性的人來說再熟悉不過了,網(wǎng)上也有大量的文檔介紹,但是很多...
主要有因在柵極和源極之間如果存在電壓浪涌和靜電而引起的破壞,即柵極過電壓破壞和由上電狀態(tài)中靜電在GS兩端(包括安裝和和測定設(shè)備的帶電)而導(dǎo)致的柵極破壞
常用的mos管驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)如圖1所示,驅(qū)動信號經(jīng)過圖騰柱放大后,經(jīng)過一個驅(qū)動電阻Rg給mos管驅(qū)動。其中Lk是驅(qū)動回路的感抗,一般包含mos管引腳的感抗...
上周討論了MOS管的Rdson和Vgs、Vds有怎樣的關(guān)系?,這個屬于比較細(xì)節(jié)的問題,在面試中基本不會遇到,但是今天討論的這個問題還是很有可能碰到的。
MOS管的構(gòu)造,工作原理,特性,電壓極性和符號規(guī)則的詳細(xì)資料概述
隨著社會的進步和發(fā)展,MOS管在電子行業(yè)的應(yīng)用越來越廣泛,薩科微電子SLKOR作為能夠研發(fā)生產(chǎn)碳化硅SiC產(chǎn)品的“碳化硅專家”,必須來科普一下這方面的知識。
NMOS/PMOS防反接電路原理圖 基于MOS管的防反接電路設(shè)計
電子元件大都是使用直流工作,電源線反接就有可能就會燒壞,那電路如何防反接?首當(dāng)其沖我們想到的就是二極管了,運用其單向?qū)ㄌ匦钥捎行Х乐闺娫捶唇佣鴵p壞電路...
在時鐘系統(tǒng)部分主要介紹時鐘源選擇,PLL倍頻配置,時鐘分發(fā)等內(nèi)容。在看門狗模塊部分主要介紹了開門狗復(fù)位的觸發(fā)路徑,看門狗模塊的工作原理,CPU EndI...
在上一篇文章中我們聊了“Rdson對應(yīng)MOS管的哪個工作區(qū)?”這個問題,并得出Rdson對應(yīng)的是可變電阻區(qū)的結(jié)論。在討論的過程中,提到了Vgs對MOS管...
單片機只是一個控制中心,IO的驅(qū)動能力是很弱的,只能用于信號處理或者信號控制,最多是驅(qū)動一個LED作為指示燈。驅(qū)動負(fù)載需要加入三極管、場效應(yīng)管、繼電器、...
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