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標(biāo)簽 > mos管

mos管

mos管

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mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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mos管技術(shù)

MOS管的分類 增強(qiáng)型和耗盡型MOS管介紹

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場(chǎng)效應(yīng)管FET(Field Effect Transistor),是利用輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,分為結(jié)型(JFET)和絕緣...

2023-11-17 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 1.1萬(wàn) 0

溝道反型層閾值電壓Vth介紹

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如圖,電流分?jǐn)U散電流和漂移電流,工作時(shí)的mosfet電流很大,主要是漂移電流,因此忽略掉擴(kuò)散電流的成分。

2023-05-30 標(biāo)簽:電容器MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 1.1萬(wàn) 0

MOS管的概念、結(jié)構(gòu)及原理

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MOS管也就是常說(shuō)的MOSFET。 MOSFET全稱是:Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transisto...

2023-03-23 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 1.1萬(wàn) 0

九種簡(jiǎn)易MOS管開(kāi)關(guān)電路圖

九種簡(jiǎn)易MOS管開(kāi)關(guān)電路圖

電路由1顆MOS管、4只電阻、發(fā)光二極管、電池組成,電路非常簡(jiǎn)單。

2023-06-25 標(biāo)簽:電路圖開(kāi)關(guān)電路MOS管 1.1萬(wàn) 0

關(guān)于MOS管、IGBT米勒平臺(tái)的分析

關(guān)于MOS管、IGBT米勒平臺(tái)的分析

米勒平臺(tái)的形成與其材料、制造工藝息息相關(guān),當(dāng)GE之間電壓大于閾值點(diǎn)的時(shí)候,管子的CE電壓開(kāi)始下降,但是下降的速度十分緩慢

2023-11-03 標(biāo)簽:MOS管IGBT驅(qū)動(dòng)電流 1.1萬(wàn) 0

針對(duì)MOS管寄生參數(shù)振蕩損壞電路仿真模擬方案

針對(duì)MOS管寄生參數(shù)振蕩損壞電路仿真模擬方案

通過(guò)對(duì)PFC MOS管進(jìn)行測(cè)試和深入分析發(fā)現(xiàn),MOS管的寄生參數(shù)對(duì)振蕩起著關(guān)鍵作用。

2021-02-07 標(biāo)簽:振蕩器MOS管PFC 1.1萬(wàn) 0

張飛帶你學(xué)硬件--三極管/MOS管/運(yùn)放/電路設(shè)計(jì)

放專題講解,重點(diǎn)講解了運(yùn)放的內(nèi)部電路結(jié)構(gòu),幫助深入理解運(yùn)放的工作原理。

2019-05-12 標(biāo)簽:三極管MOS管運(yùn)放 1.1萬(wàn) 0

耗盡模式和增強(qiáng)模式MOS管是什么?有什么區(qū)別?

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耗盡型 MOSFET 類似于開(kāi)路開(kāi)關(guān)。在此模式下,施加?xùn)艠O到源極電壓 (VGS) 以關(guān)閉器件。當(dāng)柵極電壓為負(fù)時(shí),正電荷會(huì)在通道中累積。這會(huì)導(dǎo)致溝道中的耗...

2023-02-19 標(biāo)簽:MOSFETMOS管 1.1萬(wàn) 0

MOS管的種類、結(jié)構(gòu)及導(dǎo)通特性詳解

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一般情況下,普遍用于高端驅(qū)動(dòng)的MOS,導(dǎo)通時(shí)需要是柵極電壓大于源極電壓,而高端驅(qū)動(dòng)的MOS管導(dǎo)通時(shí)源極電壓與漏極電壓(VCC)相同,所以這時(shí)柵極電壓要比...

2023-08-02 標(biāo)簽:MOSFETMOS管晶體管 1.1萬(wàn) 0

全橋LLC電路移相發(fā)波原理詳解

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在調(diào)寬狀態(tài)當(dāng)占空比較小的時(shí)候,由圖 2可知調(diào)寬橋臂MOS管Sa和Sb的驅(qū)動(dòng)信號(hào)有很長(zhǎng)一段時(shí)間處于低電平,諧振電流只能流過(guò)MOS管的體二極管。一旦諧振電流...

2023-03-30 標(biāo)簽:MOS管LLC功率電路 1.1萬(wàn) 0

IGBT中米勒效應(yīng)的影響和處理方法

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之前我們?cè)诮榻BMOS和IGBT的文章中也有提到米勒電容和米勒效應(yīng)的概念,在IGBT的導(dǎo)通過(guò)程分析的文章中我們也簡(jiǎn)單提到過(guò)米勒平臺(tái)

2023-05-25 標(biāo)簽:三極管MOSFETMOS管 1.1萬(wàn) 0

什么是MOS管?MOS管的典型應(yīng)用和電路符號(hào)

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MOS管是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,英文全稱為Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor...

2024-01-02 標(biāo)簽:放大器MOS管晶體管 1.1萬(wàn) 0

CDM防護(hù)措施以及設(shè)計(jì)思路

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前幾期曾經(jīng)講過(guò),對(duì)封裝后的芯片進(jìn)行CDM測(cè)試,大量非平衡載流子會(huì)通過(guò)金線集聚到封裝框架中。所以封裝也是影響CDM的關(guān)鍵因素之一,恰宜的封裝能大幅度提升芯...

2023-05-16 標(biāo)簽:二極管ESDMOS管 1.1萬(wàn) 0

關(guān)于各種恒流IC的解決方案

方案名稱:景觀燈共陽(yáng)極恒流IC,投光燈恒流IC,泛光燈恒流IC,2.4GLED控制方案觸摸RGBW調(diào)光恒流IC,共陽(yáng)極洗墻燈恒流IC,低電壓電源燈具恒流...

2018-05-08 標(biāo)簽:ledmos管pwm 1.1萬(wàn) 0

Buck電路和Boost電路的工作原理

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Buck電路,也就是常說(shuō)的降壓電路,為直流進(jìn)-直流出。電路沒(méi)有變壓器,輸入輸出公共一個(gè)地。下圖為Buck電路的簡(jiǎn)化示意圖。

2024-10-08 標(biāo)簽:MOS管boost電路buck電路 1.1萬(wàn) 0

想要全面了解要MOS管 看這個(gè)就夠了(下)

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二、灌流電路 1、MOS管作為開(kāi)關(guān)管應(yīng)用的特殊驅(qū)動(dòng)電路; 灌流電路MOS管和普通晶體三極管相比,有諸多的優(yōu)點(diǎn),但是在作為大功率開(kāi)關(guān)管應(yīng)用時(shí),由于MOS管...

2021-03-25 標(biāo)簽:三極管開(kāi)關(guān)電源電路MOS管 1.1萬(wàn) 0

MOS管為什么會(huì)被靜電擊穿?

MOS管一個(gè)ESD敏感器件,它本身的輸入電阻很高,而柵-源極間電容又非常小,所以極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應(yīng)而帶電(少量電荷就可能在極間電容上形成相當(dāng)高...

2016-04-06 標(biāo)簽:MOS管敏感器件ESD管 1.1萬(wàn) 0

使用MOS管的注意事項(xiàng)

使用MOS管的注意事項(xiàng)

MOSMOS管由于輸入阻抗極高,所以在運(yùn)輸、貯藏中必須將引出腳短路,要用金屬屏蔽包裝,以防止外來(lái)感應(yīng)電勢(shì)將柵極擊穿。尤其要注意,不能將MOSMOS管放入...

2019-07-08 標(biāo)簽:二極管元器件MOS管 1.1萬(wàn) 0

淺談MOS管的輸出特性曲線

恒流區(qū)在輸出特性曲線中間的位置,電流Id基本不隨Uds變化,Id的大小主要決定于電壓Ugs,所以叫做恒流區(qū),也叫飽和區(qū)。當(dāng)MOS用來(lái)做放大電路時(shí),就是工...

2022-09-29 標(biāo)簽:三極管MOSFETMOS管 1.1萬(wàn) 0

設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源時(shí),mos管驅(qū)動(dòng)電路參數(shù)、要求

mos管因?yàn)閮?nèi)阻低,開(kāi)發(fā)速度低被廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電路中。mos管往往根據(jù)電源IC和mos管的參數(shù)選擇合適的驅(qū)動(dòng)電路。

2022-12-12 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源MOS管驅(qū)動(dòng)電路 1.1萬(wàn) 2

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