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MOS管,是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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MOT (仁懋) MOT4160G 技術(shù)全解析:41.6kΩ 精密網(wǎng)絡(luò)電阻的工業(yè)級(jí)信號(hào)處理方案
在工業(yè)自動(dòng)化控制、精密儀器儀表等對(duì)電阻精度與穩(wěn)定性要求嚴(yán)苛的場(chǎng)景中,網(wǎng)絡(luò)電阻的阻值一致性、溫度特性及抗干擾能力直接決定電路信號(hào)處理的準(zhǔn)確性。MOT(仁懋...
ZK100G68P:一款高性能功率半導(dǎo)體器件的深度解析
在電子電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域,功率半導(dǎo)體器件作為能量轉(zhuǎn)換與控制的核心部件,其性能直接決定了整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定性、效率與可靠性。ZK100G68P作為一款典型的功率器件...
2025-10-22 標(biāo)簽:電子元器件場(chǎng)效應(yīng)管MOS 72 0
MOT (仁懋) MOT4170J 技術(shù)全解析:精密薄膜網(wǎng)絡(luò)電阻的工業(yè)級(jí)信號(hào)處理方案
在工業(yè)自動(dòng)化、精密儀器儀表等對(duì)電阻精度與穩(wěn)定性要求嚴(yán)苛的場(chǎng)景中,網(wǎng)絡(luò)電阻的阻值一致性、溫度特性及抗干擾能力直接影響電路信號(hào)處理的準(zhǔn)確性。MOT(仁懋)推...
MOT (仁懋) MOT4733J 技術(shù)全解析:高精度網(wǎng)絡(luò)電阻的工業(yè)級(jí)應(yīng)用方案
在工業(yè)控制、精密儀器等對(duì)電阻精度與穩(wěn)定性要求嚴(yán)苛的場(chǎng)景中,網(wǎng)絡(luò)電阻的一致性、功率承載及環(huán)境適應(yīng)性直接影響電路性能。MOT(仁懋)推出的MOT4733J隔...
2025-10-22 標(biāo)簽:MOS網(wǎng)絡(luò)電阻仁懋電子 17 0
ZK30N100G:Trench工藝加持的100A低壓MOS管,重構(gòu)低壓功率控制新生態(tài)
在低壓功率電子領(lǐng)域,“大電流承載”與“低損耗運(yùn)行”始終是終端設(shè)備追求的核心目標(biāo)。中科微電推出的ZK30N100G N溝道MOS管,以30V額定電壓為基礎(chǔ)...
2025-10-22 標(biāo)簽:電子元器件場(chǎng)效應(yīng)管MOS 56 0
多顆MOS并聯(lián)時(shí)熱分布不均,導(dǎo)致個(gè)別器件過(guò)熱失效的原因與對(duì)策
在高功率應(yīng)用中,為了分擔(dān)電流、降低損耗,工程師往往會(huì)將多顆MOSFET并聯(lián)使用。例如在DC-DC電源、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)或逆變器電路中,通過(guò)并聯(lián)MOS實(shí)現(xiàn)更大的電...
ZK30N140T:Trench工藝賦能的30V/140AN溝道MOS管,重塑低壓大電流應(yīng)用新標(biāo)桿
在低壓大電流功率電子領(lǐng)域,MOS管的導(dǎo)通損耗、電流承載能力與封裝適配性,直接決定了終端設(shè)備的能效、可靠性與設(shè)計(jì)靈活性。中科微電推出的ZK30N140TN...
2025-10-22 標(biāo)簽:電子元器件場(chǎng)效應(yīng)管MOS 63 0
在12V/24V工業(yè)電源、低壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)等中功率電力電子場(chǎng)景中,MOSFET的導(dǎo)通損耗與電流承載能力直接影響系統(tǒng)能效與穩(wěn)定性。MOT(仁懋)推出的MOT1...
ZK100G08P應(yīng)用全景:TO-220封裝與SGT工藝驅(qū)動(dòng)多場(chǎng)景功率控制升級(jí)
在功率電子領(lǐng)域,“適配性”與“可靠性”是器件立足市場(chǎng)的核心。中科微電推出的ZK100G08PN溝道MOSFET,以100V耐壓、88A連續(xù)漏極電流為性能...
2025-10-21 標(biāo)簽:電子元器件場(chǎng)效應(yīng)管MOS 95 0
在開(kāi)關(guān)電源、高頻逆變器等中功率電力電子系統(tǒng)中,肖特基整流二極管的正向壓降與浪涌耐受能力直接影響系統(tǒng)能效與可靠性。MOT(仁懋)推出的MBR10150F作...
ZK100G08T:SGT工藝加持的緊湊型MOSFET,賦能中小型功率設(shè)備高效運(yùn)行
在中小型功率電子設(shè)備朝著“小型化、低功耗、高可靠性”升級(jí)的進(jìn)程中,MOSFET作為電能控制的核心器件,其性能與尺寸的平衡成為設(shè)計(jì)關(guān)鍵。中科微電推出的ZK...
2025-10-21 標(biāo)簽:電子元器件場(chǎng)效應(yīng)管MOS 117 0
ZG6287A:集成二極管的三相電能調(diào)控芯片,賦能多場(chǎng)景穩(wěn)定運(yùn)行
在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,高集成度、寬適配性的芯片是推動(dòng)電子系統(tǒng)小型化、高效化的核心動(dòng)力。中科微電推出的ZG6287A芯片,以260V三相輸入規(guī)格為基礎(chǔ),融合7...
2025-10-21 標(biāo)簽:電子元器件場(chǎng)效應(yīng)管MOS 66 0
在400V以上高壓工業(yè)電源、100kW級(jí)新能源逆變器等場(chǎng)景中,MOSFET的反向耐壓能力與低損耗特性直接決定系統(tǒng)安全性與能效。MOT(仁懋)推出的MOT...
在30kW級(jí)工業(yè)電源、60kW直流快充樁等大功率電力電子場(chǎng)景中,MOSFET的電流承載能力與功率密度直接決定系統(tǒng)集成效率。MOT(仁懋)推出的MOT11...
新潔能NCE65TF099:高頻開(kāi)關(guān)性能如何賦能不同產(chǎn)品應(yīng)用?
在當(dāng)今快速發(fā)展的電子技術(shù)領(lǐng)域,高頻開(kāi)關(guān)性能已成為衡量功率器件性能的關(guān)鍵指標(biāo)之一。新潔能憑借其卓越的高頻開(kāi)關(guān)性能,正在為各種產(chǎn)品應(yīng)用帶來(lái)前所未有的賦能與變...
2025-10-20 標(biāo)簽:MOS功率器件高頻開(kāi)關(guān) 338 0
在工業(yè)電源、新能源充電樁等大功率電力電子系統(tǒng)中,MOSFET的開(kāi)關(guān)速度與功率承載能力直接決定整機(jī)性能上限。MOT(仁懋)作為國(guó)家級(jí)專精特新“小巨人”企業(yè)...
MOT1145HD 技術(shù)解析:仁懋 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 特性與應(yīng)用
一、基本參數(shù)與結(jié)構(gòu)MOT1145HD是**仁懋電子(MOT)**推出的N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET),采用TO-252貼片封裝,適用于中大功率開(kāi)關(guān)...
MOT (仁懋) MBR20200F 肖特基整流二極管技術(shù)全解析
在開(kāi)關(guān)電源、高頻逆變器等電力電子設(shè)備中,肖特基整流二極管的性能直接影響系統(tǒng)能效與穩(wěn)定性。MOT(仁懋)推出的MBR10150F作為10A級(jí)別肖特基整流器...
從適配到超越:ZK100G200B替代IRFB4110PBF的全場(chǎng)景解決方案
IRFB4110PBF作為安森美等國(guó)際品牌的經(jīng)典N溝道功率MOSFET,長(zhǎng)期以來(lái)憑借100V耐壓、180A電流的性能,成為工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、新能源車載低壓系...
2025-10-20 標(biāo)簽:電子元器件場(chǎng)效應(yīng)管MOS 69 0
中低壓MOS管:功率電子領(lǐng)域的“高效開(kāi)關(guān)”核心
在電力電子系統(tǒng)中,從手機(jī)充電器到工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng),從智能家居設(shè)備到新能源汽車低壓輔助系統(tǒng),都離不開(kāi)一款關(guān)鍵器件——中低壓MOS管。作為電壓等級(jí)在100V及以...
2025-10-20 標(biāo)簽:電子元器件場(chǎng)效應(yīng)管MOS 135 0
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