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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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放大器設(shè)計(jì):晶體管BJT的工作原理 MOS和BJT晶體管的區(qū)別
對(duì)于BJT晶體管,電流從一個(gè)基極到另一個(gè)發(fā)射極,決定了從集電極到發(fā)射極能流多少電流。 對(duì)于MOSFET晶體管,電壓柵極和源極之間的電流決定了有多少電流...
引言:在開(kāi)始講解MOS的減速加速電路之前,我們還是先來(lái)回顧MOS開(kāi)啟與關(guān)閉的根本機(jī)制。以NMOS為例,開(kāi)啟NMOS本質(zhì)是對(duì)G極進(jìn)行充電,至Cgs電荷充滿...
2023-07-23 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)NMOSMOS 4.3k 0
1腳就是柵極,這個(gè)柵極就是控制極,在柵極加上電壓和不加上電壓來(lái)控制2腳和3腳的相通與不相通,N溝道的,在柵極加上電壓2腳和3腳就通電了,去掉電壓就關(guān)斷了...
2022-12-02 標(biāo)簽:電路圖場(chǎng)效應(yīng)管MOS 4.3k 0
直流充電樁基本構(gòu)成包括:功率單元、控制單元、計(jì)量單元、充電接口、供電接口及人機(jī)交互界面等。功率單元是指直流充電模塊,控制單元是指充電樁控制器。
2023-11-01 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBTMOS 4.3k 0
Lg越大,P-WeLL的長(zhǎng)度越大,P-WeLL的阱電阻越大,面對(duì)ESD的過(guò)沖電壓越高,開(kāi)啟電阻Ron也隨之增大。同時(shí)載流子的穿透深度越大,其壽命越長(zhǎng),從...
2023-12-04 標(biāo)簽:串聯(lián)電阻二極管ESD 4.3k 0
詳細(xì)介紹OVP過(guò)壓保護(hù)芯片的功能及使用方法
OVP過(guò)壓保護(hù)IC:為了保護(hù)后級(jí)電路,平芯微早早推出了系列OVP過(guò)壓保護(hù)芯片產(chǎn)品,很多客戶對(duì)于OVP過(guò)壓保護(hù)芯片的功能和使用仍然存在一些誤解。這次我們平...
2024-02-22 標(biāo)簽:示波器過(guò)壓保護(hù)輸出電壓 4.2k 0
MOSFET柵極電路的常見(jiàn)作用 PNP加速關(guān)斷驅(qū)動(dòng)電路
首先說(shuō)一下電源IC直接驅(qū)動(dòng),下圖是我們最常用的直接驅(qū)動(dòng)方式,在這類方式中,我們由于驅(qū)動(dòng)電路未做過(guò)多處理,因此我們進(jìn)行PCB LAYOUT時(shí)要盡量進(jìn)行優(yōu)化。
MOS管是一種電壓型控制器件,具有開(kāi)掛速度快,輸入阻抗高,驅(qū)動(dòng)功率小等一系列優(yōu)點(diǎn)。
就是邏輯為高的時(shí)候,MOS管是關(guān)的,低的時(shí)候它為開(kāi),這個(gè)很容易出問(wèn)題。假設(shè)我這個(gè)板子給軟件工程師來(lái)調(diào)試,一上電會(huì)嚇?biāo)廊说摹?/p>
SIC MOS驅(qū)動(dòng)電壓15V和18V之辯
使用SIC MOS的開(kāi)發(fā)人員是越來(lái)越多,但驅(qū)動(dòng)電壓到底選15V還是18V,每個(gè)人都有自己的理解,今晚聽(tīng)許老師講SIC MOS驅(qū)動(dòng)技術(shù),有些感悟分享給大家。
2022-11-07 標(biāo)簽:MOSSiC驅(qū)動(dòng)電壓 4.2k 0
SimpleFOC之多路PWM驅(qū)動(dòng),相電流監(jiān)測(cè)1
開(kāi)關(guān)元器件的和嚴(yán)格意義并不是相同的。IGBT,MOS并不是理想開(kāi)關(guān)器件,其開(kāi)通時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間不是嚴(yán)格一致的,如果兩端有電壓,將導(dǎo)致直流電源短路,損壞橋臂...
三管MOS DRAM基本單元電路原理 單管MOS動(dòng)態(tài)RAM基本單元電路原理
如果需要讀出數(shù)據(jù),首先需要給T4加上一個(gè)預(yù)充電信號(hào),然后VDD給讀數(shù)據(jù)線充電,代表需要讀出的數(shù)據(jù)是“1”,進(jìn)行讀出時(shí),讀選擇線是高電平。此時(shí),如果原...
在汽車電子領(lǐng)域,MOS管的應(yīng)用非常廣泛。其中大部分是用作開(kāi)關(guān)管的,從電源到各類型的功率驅(qū)動(dòng),都少不了MOS管的身影。今天我們來(lái)簡(jiǎn)單介紹一下汽車電子中,M...
開(kāi)關(guān)電源MOS的8大損耗計(jì)算與選型原則
MOS管損耗的8個(gè)組成部分在器件設(shè)計(jì)選擇過(guò)程中需要對(duì)MOSFET的工作過(guò)程損耗進(jìn)行先期計(jì)算(所謂先期計(jì)算是指在沒(méi)能夠測(cè)試各工作波形的情況下,利用器件規(guī)格...
2025-02-11 標(biāo)簽:負(fù)載電流開(kāi)關(guān)電源電壓 4k 0
便攜式設(shè)備的開(kāi)關(guān)機(jī)電源電路設(shè)計(jì)
便攜式設(shè)備最大的特點(diǎn)是攜帶方便、可以在任何時(shí)間、任何場(chǎng)合進(jìn)行使用,可以脫離電源線供電,使用電池,且大多產(chǎn)品支持電池的自行更換,這個(gè)電量問(wèn)題經(jīng)常也是用戶...
2023-04-24 標(biāo)簽:原理圖電路設(shè)計(jì)便攜式設(shè)備 4k 0
常規(guī)LDO一般采用PMOS作為功率管,壓差受到PMOS特性影響。而NMOS管作為功率MOS性能優(yōu)于PMOS;ME6403采用NMOS功率MOS,極大程度...
2022-09-30 標(biāo)簽:芯片線性穩(wěn)壓器MOS 4k 0
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