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MOS管，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）。

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mos技術(shù)

MOS管的隔離作用

如果我們想實現(xiàn)線路上電流的單向流通，比如只讓電流由A——> B，阻止由B——>A請問可以怎么做？

2023-02-24 標簽：二極管 MOS管 MOS 6.2k 0

電氣符號傻傻分不清？一個N-MOS管和P-MOS管驅(qū)動應用實例

MOS管在電路設計中是比較常見的，按照驅(qū)動方式來分的話，有兩種，即：N-MOS管和P-MOS管。MOS管跟三極管的驅(qū)動方式有點類似，但又不完全相同，那么...

2025-03-14 標簽：電路設計 MOS 電氣符號 6.2k 0

揭秘芯片制造工藝——硅的氧化過程

由于只有熱氧化法可以提供最低界面陷阱密度的高質(zhì)量氧化層，因此通常采用熱氧化的方法生成柵氧化層和場氧化層。

2024-03-13 標簽：集成電路芯片制造 MOS 6k 0

MOS規(guī)格書的選型及應用

我們這里當然不是說規(guī)格書在挖坑，規(guī)格書的數(shù)據(jù)都是用儀器一個個測出來的，是剛正不阿的存在！

2022-10-17 標簽：電容數(shù)據(jù)MOS 6k 0

怎么樣才能給Boost電路加保護電路

開關(guān)電源最常見的三種結(jié)構(gòu)布局是降壓（buck）、升壓（boost）和降壓–升壓（buck-boost），這三種布局都不是相互隔離的。今天介紹的主角是bo...

2020-12-20 標簽：三極管 Boost MOS 6k 0

如何設計防反接保護電路？

利用MOS管的開關(guān)特性，控制電路的導通和斷開來設計防反接保護電路，由于功率MOS管的內(nèi)阻很小，解決了現(xiàn)有采用二極管電源防反接方案存在的壓降和功耗過大的問題。

2016-11-10 標簽：mos 5.9k 0

ADC采樣電路圖設計方案詳解

開關(guān)電容的噪聲仿真通常有三種方法：基本的.ac/.noise Spice仿真，周期穩(wěn)態(tài)仿真，瞬態(tài)噪聲。

2023-10-13 標簽：電路圖電路設計 adc 5.9k 0

IC芯片中的功耗

弱反轉(zhuǎn)電流/次閾值電流：MOS的亞閾值區(qū)域是VG工作的區(qū)域≈VT和VDS》0（在nMOS環(huán)境中）。在該區(qū)域，電壓不足以為MOS開始導電構(gòu)建完整的表面通道...

2023-02-06 標簽：電流 MOS IC芯片 5.9k 0

IGBT中的MOS結(jié)構(gòu)—閾值電壓（上）

MOS之所以能夠以電壓控制，并起到開關(guān)的作用，正是由于上述反型層的機制

2023-11-29 標簽：多晶硅 IGBT MOS 5.9k 0

常用的MOS做電源開關(guān)的電路分享

由于NMOS和PMOS在原理和生產(chǎn)工藝上存在差異，導致同價格的NMOS在開通速度、額定電流、導通內(nèi)阻這些參數(shù)上均優(yōu)于PMOS，所以設計中盡量優(yōu)先選擇NMOS。

2024-04-25 標簽：電機控制導通電阻電源開關(guān) 5.8k 0

MOSFET的基本工作原理和特性

MOS柵結(jié)構(gòu)是MOSFET的重要組成部分，一個典型的N溝道增強型結(jié)構(gòu)示意圖如圖1所示。其中柵極、源極和漏極位于同一個平面內(nèi)，半導體的另一個平面可以稱為體...

2022-09-06 標簽：二極管 MOSFET MOS 5.8k 0

輻射對元器件的作用機理

當帶電離子、電子或射線通過MOS結(jié)構(gòu)的硅和二氧化硅絕緣層時，引起原子電離而產(chǎn)生電子—空穴對，在外加電場條件下，電子在1ps(1×10-12s)時間內(nèi)被電...

2024-02-27 標簽：元器件電子系統(tǒng)MOS 5.7k 0

靜電放電對元器件的損傷及其控制要求

半導體器件在使用過程中最常見的失效模式之一，就是靜電放電和電浪涌引起對器件造成的損傷。其破壞性是嚴重的，已成了影響元器件可靠性最大的隱患，因而其實際的防...

2024-03-04 標簽：二極管 ESD 元器件 5.7k 0

低Vth加濕器MOS管解決方案與設計電路圖 100V耐壓MOS管 N溝道

惠海半導體中低壓場效率管（MOSFET） MOS管型號：HC160N10LS 絲印：HC510 參數(shù)：100V5A（5N10）內(nèi)阻：145mR（VGS...

2021-01-19 標簽：電路圖 MOSFET 場效應管 5.6k 3

電源快速放電功能的簡單介紹

為了避免反復開關(guān)負載引起電源異常，那么一般就要增加快速放電電路。一個非常簡單的放電電路就是加一個對地開關(guān)MOS，當需要放電時，就打開MOS，不需要放電時...

2022-11-03 標簽：電源路由器 MOS 5.6k 0

一文吃透MOS管的構(gòu)造、特點以及實用電路

MOS管學名是場效應管，是金屬-氧化物-半導體型場效應管，屬于絕緣柵型。本文就結(jié)構(gòu)構(gòu)造、特點、實用電路、靜電防護等幾個方面用工程師的話簡單描述。

2023-01-30 標簽：半導體場效應管 MOS管 5.6k 0

衛(wèi)星抗輻射加固設計方案

帶電粒子輻射作為主要的空間輻射環(huán)境，是引起航天器故障的重要原因之一。因此，分析空間輻射環(huán)境對航天器的具體影響，并針對性開展抗輻射加固設計，是航天器設計的...

2023-06-07 標簽：衛(wèi)星航天器充放電 5.6k 0

MOS驅(qū)動好不好？一看波形就清楚了！

如何從MOS管的驅(qū)動波形來判斷驅(qū)動好不好，到底是哪里出了問題？本文分享幾種常見的MOS管驅(qū)動波形。

2023-02-08 標簽：三極管 MOS管驅(qū)動 5.6k 0

推挽、開漏、OC、OD一文解析

常說的與推挽輸出相對的就是開漏輸出（Open Drain Output），對于開漏輸出和推挽輸出的區(qū)別最普遍的說法就是開漏輸出無法真正輸出高電平，即高電...

2023-01-29 標簽：三極管 STM32 MOS 5.5k 0

IGBT中的MOS結(jié)構(gòu)—反型層論述

在“IGBT中的若干PN結(jié)”一章中我們提到，IGBT是由BJT（雙極型晶體管）和MOSFET（金屬氧化物半導體場效應管）所構(gòu)成

2023-11-29 標簽：MOSFET IGBT 晶體管 5.5k 0

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IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準確的翻譯應該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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　　SDK一般指軟件開發(fā)工具包，軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺、操作系統(tǒng)等建立應用軟件時的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
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802.11ac與11基站測試（base station tests）在基站設備安裝完畢后，對基站設備電氣性能所進行的測量。n的區(qū)別，802.11n無線網(wǎng)卡驅(qū)動，802.11n怎么安裝。
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wifi模塊ESP8266的默認波特率是115200，但是單片機不能達到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設置的時候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點DSP處理器
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為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進行靜電中和等。

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