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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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LV HV P-Well BCD技術(shù)的芯片與制程剖面結(jié)構(gòu)的資料概述
LV/HV P-Well BCD技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)低壓 5 V 與高壓 100~700 V(或更高)兼容的 BCD 工藝。為了便于高低壓 MOS 器件兼容集成...
multisim怎么修改場效應(yīng)管MOS的參數(shù)
Multisim是一種基于電路仿真的軟件,可以用于仿真和分析各種電路,包括場效應(yīng)管MOS。要修改MOS的參數(shù),首先需要了解MOS的基本原理和參數(shù),然后使...
2024-01-04 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MultisimMOS 1.6萬 0
三相逆變電路 2.導(dǎo)通原理 如上圖所示,為一相的逆變橋。上下MOS管不能同時(shí)導(dǎo)通,那么可以有幾種控制方式: PWM控制上管,下管電平控制(恒高或者橫低)...
2024-11-19 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)PWMMOS 1.5萬 0
Buck電源的SW振鈴產(chǎn)生原因是什么?如何抑制呢?
正好手上有一塊電源板,一時(shí)興起,點(diǎn)了下SW節(jié)點(diǎn)。如下圖所示,振鈴還是很明顯的,最高達(dá)到18.4V。
對于速度飽和所引起的電流飽和情況,一般說來,當(dāng)電場很強(qiáng)、載流子速度飽和之后,再進(jìn)一步增大源-漏電壓,也不會(huì)使電流增大。因此,這時(shí)的飽和電流原則上是與源-...
mos是什么電子元件 如何建立mos管和電路的關(guān)系
MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)是一種常見的電子元件,特別是在集成電路中廣泛使用。MOS是一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu),其中包括一個(gè)金...
MOS管學(xué)名是場效應(yīng)管,是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管,屬于絕緣柵型,本文就結(jié)構(gòu)構(gòu)造、特點(diǎn)、實(shí)用電路等幾個(gè)方面用工程師的話簡單描述。
關(guān)于MOS應(yīng)用設(shè)計(jì),這些要點(diǎn)不可忽視
這是網(wǎng)上評價(jià)非常高的一篇關(guān)于MOS管電路工作原理的講解,從管腳的識(shí)別,到極性的分辨,再到常用
2017-12-15 標(biāo)簽:mos高功率因數(shù) 1.3萬 0
你了解IC內(nèi)部結(jié)構(gòu)嗎本文帶你深入了解
本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是IC內(nèi)部結(jié)構(gòu) 你了解IC內(nèi)部結(jié)構(gòu)嗎本文帶你深入了解
12V轉(zhuǎn)220V逆變器電路圖 12V轉(zhuǎn)交流220V逆變器的工作原理
今天我們來介紹一款逆變器(見圖1)主要由MOS場效應(yīng)管,普通電源變壓器構(gòu)成。其輸出功率取決于MOS場效應(yīng)管和電源變壓器的功率,免除了煩瑣的變壓器繞制,適...
2023-07-17 標(biāo)簽:變壓器場效應(yīng)管電源電路 1.2萬 0
如下圖所示,左邊為NMOS,右邊為PMOS,由MOS管的結(jié)構(gòu)可以看出,其襯底B與漏極D整好構(gòu)成一個(gè)PN結(jié),這個(gè)PN是由于MOS結(jié)構(gòu)天然而成的,如果將...
負(fù)載開關(guān)電路日常應(yīng)用比較廣泛,主要用來控制后級負(fù)載的電源開關(guān)。此功能可以直接用IC也可以用分立器件搭建,分立器件主要用PMOS加三極管實(shí)現(xiàn)。本文主要討論...
2023-03-10 標(biāo)簽:電路分析開關(guān)電路電源開關(guān) 1.2萬 0
使用單片機(jī)經(jīng)常會(huì)碰到的一些問題和解決方法
工作和生活中會(huì)遇到許許多多的問題,可能讓你一時(shí)陷于其中,但是總有解決的辦法。隨時(shí)記下遇到的問題,并做好總結(jié),一方面有助于積累,另一方面也避免同一次錯(cuò)誤再犯。
MOS晶體管中的漏極/源極和襯底結(jié)在晶體管工作期間被反向偏置。這會(huì)導(dǎo)致器件中出現(xiàn)反向偏置的漏電流。這種漏電流可能是由于反向偏置區(qū)域中少數(shù)載流子的漂移/擴(kuò)...
MOS場效應(yīng)晶體管使用注意事項(xiàng)_MOS場效應(yīng)管安裝及拆卸流程
MOS場效應(yīng)晶體管在使用時(shí)應(yīng)注意分類,不能隨意互換。MOS場效應(yīng)晶體管由于輸入阻抗高(包括MOS集成電路)極易被靜電擊穿,使用時(shí)應(yīng)注意以下規(guī)則。
2020-10-02 標(biāo)簽:MOSMOS場效應(yīng)管 1.1萬 0
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