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標(biāo)簽 > nmos
NMOS意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體,而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。 MOS晶體管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路,由NMOS組成的電路就是NMOS集成電路,由PMOS管組成的電路就是PMOS集成電路,由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補(bǔ)MOS電路,即CMOS電路。
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NMOS/PMOS防反接電路原理圖 基于MOS管的防反接電路設(shè)計(jì)
電子元件大都是使用直流工作,電源線反接就有可能就會(huì)燒壞,那電路如何防反接?首當(dāng)其沖我們想到的就是二極管了,運(yùn)用其單向?qū)ㄌ匦钥捎行Х乐闺娫捶唇佣鴵p壞電路...
Resistor不單獨(dú)用于芯片的ESD保護(hù),它往往用于輔助的ESD保護(hù),如芯片Input第一級(jí)保護(hù)和第二級(jí)保護(hù)之間的限流電阻。如圖5,當(dāng)ESD電流過大,...
NMOS低邊開關(guān)電路切換的是對(duì)地的導(dǎo)通,PMOS作為高邊開關(guān)電路切換的是對(duì)電源的導(dǎo)通。
2023-08-14 標(biāo)簽:led開關(guān)電路NMOS 1.1萬(wàn) 0
場(chǎng)效應(yīng)管可以用在控制回路中,起到控制負(fù)載回路通斷的作用,也可以用在防反接電路中,避免電源防接將電路燒壞。二極管可以實(shí)現(xiàn)電源防反接,但是二極管會(huì)產(chǎn)生正向壓...
2019-11-24 標(biāo)簽:反接場(chǎng)效應(yīng)管NMOS 1.1萬(wàn) 0
???上文和大家討論了PMOS的負(fù)載開關(guān)電路,使用PMOS來控制后繼電路的開關(guān)。然而在日常應(yīng)用中PMOS可供選擇的類型較少,價(jià)格也相對(duì)昂貴。因此選用NM...
2023-03-10 標(biāo)簽:電路分析負(fù)載開關(guān)電路 1.1萬(wàn) 1
PMOS中的空穴遷移率比NMOS中電子的遷移率低,所以為了實(shí)現(xiàn)相同的電流輸出,我們需要將PMOS的寬度做的是NMOS寬度的2~3倍。
OVP(Over Voltage Protection)即過壓保護(hù),電壓值超過一定值后,對(duì)后級(jí)電路起到了保護(hù)作用,避免因輸入電壓過大,導(dǎo)致后級(jí)電路損壞。
淺析CMOS電路的靜態(tài)功耗和動(dòng)態(tài)功耗
CMOS電路功耗主要由動(dòng)態(tài)功耗和靜態(tài)功耗組成,動(dòng)態(tài)功耗又分為開關(guān)功耗、短路功耗兩部分
在常規(guī)使用中,似乎流經(jīng)NMOS和PMOS的電流只朝一個(gè)方向流動(dòng),但實(shí)際情況是,MOS的電流流向和BJT不一樣,BJT的電流流向已經(jīng)固定,但是MOS并沒有。
硬件工程師的很多項(xiàng)目是在洞洞板上完成的,但有存在不小心將電源正負(fù)極接反的現(xiàn)象,導(dǎo)致很多電子元器件都燒毀,甚至整塊板子都廢掉,還得再焊接一塊,不知道有什么...
MOS管做電源開關(guān)的經(jīng)驗(yàn)分享
一般的電源開關(guān)電路,控制電源的目的是省電,控制靜態(tài)電流。不過以下的電路存在著幾個(gè)缺點(diǎn)。
2022-10-31 標(biāo)簽:MOS管NMOS電源開關(guān) 9k 0
本章定性和定量分析MOS的電流IDS與柵源電壓VGS、漏源電壓VDS間的IV特性關(guān)系。NMOS的剖面結(jié)構(gòu)圖以及其電路符合如下圖所示,由柵極(G),漏極(...
在網(wǎng)上查了一些關(guān)于 PMOS 和 NMOS 哪個(gè)更適合用于電源開關(guān)這種場(chǎng)合,大部分都是從工藝,導(dǎo)通電阻 Rds 來解釋,但隨著半導(dǎo)體工藝的進(jìn)步,現(xiàn)今...
NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)類型,它們?cè)诙鄠€(gè)方面存在顯著的差異。以下將從結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特...
阱區(qū)注入的工藝說明如下圖所示,是高能量離子注入過程,因?yàn)樗枰纬哨鍏^(qū)建立MOS晶體管。NMOS晶體管形成于P型阱區(qū)內(nèi),而P型晶體管形成于N型阱區(qū)。
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