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標(biāo)簽 > nmos
NMOS意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體,而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。 MOS晶體管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路,由NMOS組成的電路就是NMOS集成電路,由PMOS管組成的電路就是PMOS集成電路,由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補(bǔ)MOS電路,即CMOS電路。
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模擬開關(guān)是電子開關(guān)的一種,為了導(dǎo)通(或隔離)模擬信號(hào)(包括電壓和電流信號(hào))以及支持模擬應(yīng)用(例如音頻和視頻數(shù)據(jù)傳輸)而設(shè)計(jì)的。需要注意跟負(fù)載開關(guān)做區(qū)分,...
2023-02-09 標(biāo)簽:NMOS模擬開關(guān)PMOS 3.6k 0
從應(yīng)用側(cè)出發(fā)來給大家介紹一下MOS管里面最常見的NMOS
對于這個(gè)高速的PWM波控制場景是致命的。當(dāng)PWM波的周期接近于這個(gè)爬升時(shí)間時(shí),這個(gè)波形就會(huì)失真。一般來說Cgs大小和Rds(on)是成反比的關(guān)系。Rds...
2022-08-12 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS管NMOS 3.6k 0
場效應(yīng)管(Field Effect Transistor,簡稱FET)在電路中調(diào)節(jié)電流的方式主要通過控制其柵極(Gate)電壓來實(shí)現(xiàn)。以下將詳細(xì)闡述場效...
2024-07-23 標(biāo)簽:電流場效應(yīng)管NMOS 3.5k 0
使用NMOS和升降壓驅(qū)動(dòng)IC實(shí)現(xiàn)防反保護(hù)電路設(shè)計(jì)
設(shè)計(jì)具有 NMOS 和驅(qū)動(dòng)IC 的防反保護(hù)電路時(shí),NMOS 需放置在高邊,驅(qū)動(dòng)IC也從高邊取電,這里將產(chǎn)生一個(gè)大于輸入電壓 (VIN) 的內(nèi)部電壓,給 ...
2023-06-14 標(biāo)簽:保護(hù)電路電路設(shè)計(jì)NMOS 3.5k 0
汽車電源系統(tǒng)常在極為惡劣的環(huán)境下運(yùn)行,數(shù)以百計(jì)的負(fù)載掛在汽車電池上,需要同時(shí)確定負(fù)載狀態(tài)的汽車電池可能面臨極大的挑戰(zhàn)。當(dāng)負(fù)載處于不同工作條件和潛在故障狀...
2023-03-06 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器保護(hù)電路NMOS 3.5k 0
NMOS防反接電路原理圖 基于MOS管的防反接電路和降壓電路設(shè)計(jì)
在我們?nèi)粘4蚪坏赖碾娮赢a(chǎn)品中,基本上所有的電子元件都是用的直流電,因此當(dāng)我們的電源線插反時(shí),極易容易燒壞電子產(chǎn)品。因此當(dāng)我們設(shè)計(jì)出一個(gè)電子產(chǎn)品,最先就應(yīng)...
SGM61630 是一款電流反饋型的異步降壓轉(zhuǎn)換器,支持 60V 高壓輸入并可持續(xù)輸出 3A 電流。
2023-03-08 標(biāo)簽:場效應(yīng)管NMOS降壓轉(zhuǎn)換器 3.5k 0
我們從最簡單的電路開始一點(diǎn)一點(diǎn)分析,先定義一下輸入阻抗的計(jì)算過程。我們可以粗略的把負(fù)載作為一個(gè)黑盒子來對待,所謂的輸入阻抗,就是計(jì)算輸入到這個(gè)黑盒子的電...
眾所周知MOS是電壓型驅(qū)動(dòng),只有G極比S極高一個(gè)開啟電壓Vth之后,MOS才會(huì)導(dǎo)通(這里指NMOS)。
2023-02-10 標(biāo)簽:NMOS驅(qū)動(dòng)MOS 3.3k 0
功耗越低,同等電量下電子產(chǎn)品工作時(shí)間越長,便攜性設(shè)備的電池容量和體積設(shè)計(jì)的困難度也會(huì)降低。例如,手機(jī)越做越薄,性能還不受影響,就是因?yàn)榈凸脑O(shè)計(jì)發(fā)揮了至...
我一直認(rèn)為,對于電子工程師來講,最好的學(xué)習(xí)資料就是芯片或者電子器件的數(shù)據(jù)手冊,可能一開始讀起來會(huì)很吃力,但只要你能堅(jiān)持住,并且本著一種不懂就問,不會(huì)就查...
干貨|這篇文章把MOS管的基礎(chǔ)知識(shí)講透了
MOS管是一種具有絕緣柵的FET,其中電壓決定了器件的電導(dǎo)率。發(fā)明MOS管是為了克服FET中存在的缺點(diǎn),如高漏極電阻、中等輸入阻抗和較慢的操作。所以MO...
電平轉(zhuǎn)換電路的實(shí)現(xiàn)原理及電路圖分享
5V和3.3V是單片機(jī)系統(tǒng)中常見的電平,對于IIC和SPI等輸傳輸協(xié)議,芯片和芯片之間存在高低電平定義范圍不一致的問題,所以需要電平轉(zhuǎn)換電路來保證這些芯...
2024-11-13 標(biāo)簽:NMOS電平轉(zhuǎn)換 3k 0
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