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標(biāo)簽 > nmos
NMOS意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體,而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。 MOS晶體管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路,由NMOS組成的電路就是NMOS集成電路,由PMOS管組成的電路就是PMOS集成電路,由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補(bǔ)MOS電路,即CMOS電路。
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Buck降壓芯片是一種集成電路,用于實(shí)現(xiàn)Buck電路的功能。市場上有許多廠商提供各種不同型號(hào)和規(guī)格的Buck降壓芯片。以下是一些常見的Buck降壓芯片品...
簡單的柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì),我們會(huì)使用NMOS來作防反電路,原因是成本較低。 PMOS一般會(huì)放置在電路的高邊,NMOS則是在低邊放置。兩者的功能類似。不過,...
最近在公司做電動(dòng)車控制器壞機(jī)解析的工作中碰到了一些MOS損壞的機(jī)子。在以前的工作中雖然對(duì)MOS有一些應(yīng)用,但是其中的工作原理還沒有仔細(xì)的學(xué)習(xí)過,希望能通...
源漏區(qū)嵌入SiC 應(yīng)變技術(shù)被廣泛用于提高90nm 及以下工藝制程 NMOS 的速度,它是通過外延生長技術(shù)在源漏嵌入 SiC 應(yīng)變材料,利用硅和碳晶格常數(shù)...
其利天下技術(shù)·Nmos和Pmos的區(qū)別及實(shí)際應(yīng)用·無刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案開發(fā)
NMOS(N型金屬氧化物半導(dǎo)體)和PMOS(P型金屬氧化物半導(dǎo)體)是兩種常見的場效應(yīng)晶體管(MOSFET)類型。它們的主要區(qū)別體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面:其利天...
干貨分享:Air700ECQ的硬件設(shè)計(jì),第一部分
?# 一、緒論 Air700ECQ是一款基于移芯EC716E平臺(tái)設(shè)計(jì)的LTE Cat 1無線通信模組。支持移動(dòng)雙模FDD-LTE/TDD-LTE的4G遠(yuǎn)...
2024-10-25 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)傳輸NMOSLTE 1.8k 0
大家好,當(dāng)我說到MOS管的時(shí)候呢,你的腦子里可能是一團(tuán)糨糊的。
在90納米制程之前,每一代集成電路技術(shù)節(jié)點(diǎn)的縮放不僅帶來了更高的器件密度,還提升了器件性能。然而,當(dāng)CMOS IC從90納米發(fā)展到65納米節(jié)點(diǎn)時(shí),縮放并...
TPS482H85-Q1 汽車級(jí) 48V、85mΩ 雙通道智能高側(cè)開關(guān)數(shù)據(jù)手冊
TPS4H82H85-Q1 器件是完全受保護(hù)的雙通道智能高側(cè)開關(guān),帶有兩個(gè)集成的 85mΩ NMOS 功率 FET,適用于 24V 和 48V 汽車電源...
2025-05-06 標(biāo)簽:NMOSFET電源系統(tǒng) 1.6k 0
使用4200A-SCS軟件和矩陣開關(guān)搭建可靠性評(píng)估平臺(tái)
在現(xiàn)代ULSI電路中溝道熱載流子(CHC)誘導(dǎo)的退化是一個(gè)重要的與可靠性相關(guān)的問題。載流子在通過MOSFET通道的大電場加速時(shí)獲得動(dòng)能。當(dāng)大多數(shù)載流子到...
2024-12-11 標(biāo)簽:MOSFETNMOS矩陣開關(guān) 1.6k 0
基于0.18μm CMOS工藝的高響應(yīng)度太赫茲探測器線陣
探測器陣列由3個(gè)太赫茲像素線性排列,每個(gè)像素由帶交叉耦合電容的源極差分驅(qū)動(dòng)自混頻功率探測電路、高增益片上環(huán)形差分天線和集成電壓放大器組成。各像素單元的輸...
引言:和上一節(jié)不同的逆變器(傳送門:FCD-6:逆變器)不同的是,本節(jié)簡述的整流器是和逆變器相反的一個(gè)過程,即將交流電AC轉(zhuǎn)換為直流電DC。小功率輸入的...
使用耗盡型MOSFET簡化PD3.1快充設(shè)計(jì)(上)
盡管說如今的充電器,集成度越來越高,外圍器件的數(shù)量越來越少。但是PD3.1的推出,支持28V及以上的輸出電壓,更寬的輸出電壓范圍,超出了高耐壓的原邊控制...
設(shè)計(jì)具有 NMOS 和驅(qū)動(dòng)IC 的防反保護(hù)電路時(shí),NMOS 需放置在高邊,驅(qū)動(dòng)IC也從高邊取電,這里將產(chǎn)生一個(gè)大于輸入電壓 (VIN) 的內(nèi)部電壓,給 ...
2022-10-24 標(biāo)簽:保護(hù)電路電路設(shè)計(jì)NMOS 1.4k 0
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