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標(biāo)簽 > pn結(jié)
采用不同的摻雜工藝,通過擴散作用,將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)體(通常是硅或鍺)基片上,在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)。
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二極管是用半導(dǎo)體材料(硅、鍺等)制成的一種電子器件 在PN結(jié)上加上封裝和引線。它具有單向?qū)щ娦阅埽?即給二極管陽極和陰極加上正向電壓時,二極管導(dǎo)通。 當(dāng)...
二維材料電致橫向PN結(jié)及縱向異質(zhì)結(jié)快速轉(zhuǎn)移制備
該團隊還針對化學(xué)氣相沉積方法可巨量生長的二維薄膜材料的異質(zhì)結(jié)的快速制備問題,發(fā)展出了一種高效且高質(zhì)量的制備方法,創(chuàng)造性地利用水膜浸潤轉(zhuǎn)移界面,根據(jù)材料或...
雙向晶閘管的外形結(jié)構(gòu)與普通晶閘管類似,有螺栓形、平板形和塑封型等結(jié)構(gòu)。其內(nèi)部是一種NPNPN 五層結(jié)構(gòu)三端引出線的器件。 在雙向晶閘管中有四個...
PN結(jié)是半導(dǎo)體的基礎(chǔ),摻雜是半導(dǎo)體的靈魂,先明確幾點。
IGBT中的若干PN結(jié)—PNP結(jié)構(gòu)(1)
我們常說IGBT是由BJT(雙極型晶體管)和MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管)所構(gòu)成
2023-11-28 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管IGBT 2.4k 0
二極管的全稱是晶體二極管,是一種具有單向?qū)щ娞匦缘陌雽?dǎo)體器件,其內(nèi)部結(jié)構(gòu)由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體構(gòu)成,在外部具有兩個引腳,P型半導(dǎo)體所引出的電極引腳叫做...
2023-02-21 標(biāo)簽:二極管PN結(jié)半導(dǎo)體器件 2.3k 0
當(dāng)對二極管施加正向電壓時,電子和空穴會不斷擴散并存儲大量電荷,從而導(dǎo)致反向恢復(fù)過程的存在。 在施加正向電壓時,P區(qū)的空穴向N區(qū)擴散,N區(qū)的電子向P區(qū)擴散...
IGBT的終端耐壓結(jié)構(gòu)—柱面結(jié)和球面結(jié)的耐壓差異(1)
回顧《平面結(jié)和柱面結(jié)的耐壓差異1》中柱面結(jié)的示意圖,在三維結(jié)構(gòu)中,PN結(jié)的擴散窗口會同時向x方向和z方向擴散,那么在角落位置就會形成如圖所示的1/8球面結(jié)。
晶體管作為電子電路中的核心元件,其基本工作模式對于理解其工作原理和應(yīng)用至關(guān)重要。晶體管的工作模式主要可以分為兩大類:放大模式和開關(guān)模式。這兩種模式基于晶...
三極管,也就是半導(dǎo)體三極管,是一種控制電流的半導(dǎo)體器件,其作用就是吧微弱信號放大成幅度值較大的電信號,也用作于無觸點開關(guān)。通常,三極管具有電流放大的作用...
2025-04-12 標(biāo)簽:三極管半導(dǎo)體開關(guān)電源 2.2k 0
你知道LED靜電失效原理和檢測方法嗎?隨著LED業(yè)內(nèi)競爭的不斷加劇,LED品質(zhì)受到了前所未有的重視。
穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓時處于什么偏置狀態(tài)
1. 穩(wěn)壓二極管的工作原理 穩(wěn)壓二極管(也稱為齊納二極管)是一種利用PN結(jié)的反向擊穿特性來實現(xiàn)穩(wěn)壓的半導(dǎo)體器件。在穩(wěn)壓二極管中,PN結(jié)的反向擊穿電壓(也...
2024-08-29 標(biāo)簽:穩(wěn)壓二極管電壓PN結(jié) 2.2k 0
PN結(jié)如何形成 PN結(jié)伏安特性的解釋 MOSFET基礎(chǔ)知識
當(dāng)n型半導(dǎo)體與p型半導(dǎo)體接觸時,電子與空穴都從濃度高處向濃度低處擴散,稱為擴散運動。當(dāng)電子進入p型區(qū)域,空穴進入n型區(qū)域后,即與對方多子復(fù)合,留下了固定...
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的半導(dǎo)體器件,具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、快速開關(guān)速度等特點。然而,IGBT在長時間工作過程中,...
恒流二極管,也稱為恒流晶體管,是一種具有恒定電流輸出特性的半導(dǎo)體器件。它在電子電路中具有廣泛的應(yīng)用,如電源管理、信號處理、光電子學(xué)等。 一、恒流二極管的...
2024-07-24 標(biāo)簽:電源管理PN結(jié)半導(dǎo)體器件 2.1k 0
基于碰撞電離率模型的Miller公式S參數(shù)擬合分析
我們應(yīng)用簡單的Fulop模型對平行平面結(jié)進行了分析,對復(fù)雜的Chynoweth模型進行了化簡,由化簡的公式可得碰撞電離率積分和外加電壓之間存在一定的關(guān)系。
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