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標(biāo)簽 > sram
SRAM(Static Random Access Memory),即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存,不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。
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對(duì)RAM、SRAM、SSRAM、DRAM、FLASH、EEPROM的簡(jiǎn)單介紹
RAM(Random Access Memory) 隨機(jī)存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入,且存取的速度與存儲(chǔ)單元的位置無(wú)關(guān)的存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器...
基于FPGA的ARM并行總線設(shè)計(jì)與仿真分析
由于FPGA技術(shù)和ARM技術(shù)應(yīng)用越來(lái)越廣泛,通過(guò)設(shè)計(jì)并行總線接口來(lái)實(shí)現(xiàn)兩者之間的數(shù)據(jù)交換,可以較容易地解決快速傳輸數(shù)據(jù)的需求,因此設(shè)計(jì)滿足系統(tǒng)要求的FP...
存儲(chǔ)器:存儲(chǔ)器是MCU主板的重要組成部分,用于存儲(chǔ)程序代碼和數(shù)據(jù)。主板上通常包括閃存、SRAM、EEPROM等存儲(chǔ)器。
ECC(Error Correcting Code)的目的是保證RAM和Flash等存儲(chǔ)器中數(shù)據(jù)和程序代碼的完整性和可靠性,在汽車(chē)MCU中被廣泛應(yīng)用,引...
多功能存儲(chǔ)器芯片測(cè)試系統(tǒng)硬件設(shè)計(jì)方法
隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展, 存儲(chǔ)器的種類日益繁多,每一種存儲(chǔ)器都有其獨(dú)有的操作時(shí)序,為了提高存儲(chǔ)器芯片的測(cè)試效率,一種多功能存儲(chǔ)器芯片的測(cè)試系統(tǒng)應(yīng)運(yùn)而生。...
靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(Static Random Access Memory,簡(jiǎn)稱SRAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(Dynamic Random Access Me...
單粒子翻轉(zhuǎn)引起SRAM型FPGA的故障機(jī)理闡述
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的高速發(fā)展,大規(guī)模集成電路變得更加復(fù)雜,開(kāi)發(fā)周期變得更長(zhǎng)。FPGA由于具備可編程性,其廣泛應(yīng)用可以降低電路的開(kāi)發(fā)成本。然而,單粒子翻轉(zhuǎn)(S...
借助高度集成的 Arm? Cortex? MCU 更有效地滿足應(yīng)用要求
作者:Stephen Evanczuk 投稿人:DigiKey 北美編輯 2024-06-04 消費(fèi)品、工業(yè)、智慧城市和醫(yī)療保健等應(yīng)用領(lǐng)域?qū)χ悄墚a(chǎn)品的要...
SRAM的基本結(jié)構(gòu)、應(yīng)用及挑戰(zhàn)
存算一體化是指將傳統(tǒng)以計(jì)算為中心的架構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)橐詳?shù)據(jù)為中心的架構(gòu),它可以突破馮·諾伊曼架構(gòu)下存算分離的瓶頸,直接利用存儲(chǔ)器進(jìn)行數(shù)據(jù)處理,從而把數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與計(jì)...
通過(guò)SRAM PUF實(shí)現(xiàn)物聯(lián)網(wǎng)安全的解決方案
本文介紹了SRAM PUF(物理不可克隆功能)是什么以及如何工作的基礎(chǔ)知識(shí),以及它在物聯(lián)網(wǎng)(IoT)安全性中提供的功能(作為任何設(shè)備的信任錨)。 在任何...
2021-03-27 標(biāo)簽:sram物聯(lián)網(wǎng)晶體管 7.4k 0
基于FT245R芯片的存儲(chǔ)測(cè)試系統(tǒng)USB接口的設(shè)計(jì)
接口電路是測(cè)試系統(tǒng)與外部計(jì)算機(jī)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)耐ǖ?,是存?chǔ)測(cè)試系統(tǒng)的重要組成部分。眾所周知,串口使用受波特率的限制,制約了存儲(chǔ)測(cè)試系統(tǒng)與計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)傳輸?shù)男?..
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)的一種,以其獨(dú)特的靜態(tài)存儲(chǔ)方式而著稱。所謂“靜態(tài)”,意味著只要保持通電狀態(tài),SRAM內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)...
2024-09-26 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器sram計(jì)算機(jī) 7.1k 0
汽車(chē)信息安全-MCU安全啟動(dòng)加密算法選擇
大家思考一個(gè)問(wèn)題,在汽車(chē)MCU運(yùn)行時(shí)代碼通常都是直接在flash中運(yùn)行,很少出現(xiàn)把一個(gè)功能??截惖絩am中運(yùn)行,主要是MCU的SRAM通常十分珍貴
動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器和靜態(tài)存儲(chǔ)器的區(qū)別
SRAM 中的每個(gè)存儲(chǔ)單元由多個(gè)觸發(fā)器構(gòu)成。每個(gè)觸發(fā)器可以存儲(chǔ)一個(gè)位的數(shù)據(jù),并在電源供電時(shí)一直保持該狀態(tài),不需要刷新操作。
CPU無(wú)時(shí)不刻的在處理著大量的事務(wù),但有些事情卻沒(méi)有那么重要,比方說(shuō)數(shù)據(jù)的復(fù)制和存儲(chǔ)數(shù)據(jù),如果我們把這部分的CPU資源拿出來(lái),讓CPU去處理其他的復(fù)雜計(jì)...
下圖顯示了Intel的第6代晶體管(6T)SRAM尺寸縮小時(shí)間表,以及多晶硅柵刻蝕技術(shù)后從90nm到22nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)6TSRAM單元的SEM圖像俯視視圖...
硬件面試的時(shí)候,看到應(yīng)聘者簡(jiǎn)歷上寫(xiě)著,有過(guò)AMD工作或?qū)嵙?xí)經(jīng)歷,熟悉CPU和內(nèi)存。于是我問(wèn),那請(qǐng)你畫(huà)一下SRAM和DRAM的基本cell出來(lái),然后簡(jiǎn)要說(shuō)...
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