后摩爾時(shí)代芯片互連新材料及工藝革新
來(lái)源：中國(guó)科學(xué)雜志社
因原文過(guò)大，篇幅有限。
審核編輯：湯梓紅
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原文標(biāo)題：【新】后摩爾時(shí)代芯片互連新材料及工藝革新
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UCIe為后摩爾時(shí)代帶來(lái)什么？
隨著摩爾定律的失效，芯片集成度的提高遇到了困難。英特爾（Intel）創(chuàng)始人之一戈登·摩爾（Gordon Moore）于上世紀(jì)60年代提出，芯片集成度每18-24個(gè)月就會(huì)翻一番，性能也會(huì)
全球首個(gè)符合ASIL-D的車規(guī)級(jí)Chiplet D2D互連IP流片
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發(fā)表于 06-15 14:07
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研究透視：芯片-互連材料
編輯語(yǔ) 集成電路占用面積的不斷縮小，正在將性能限制，從晶體管本身轉(zhuǎn)移到晶體管之間的互連工藝。互連的電阻-電容延遲，隨著器件密度的增加而惡化，因?yàn)?b class='flag-5'>互連路徑變長(zhǎng)，導(dǎo)線變窄，并且隨著
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