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圣邦微電子推出SGM33685系列Sub-1G射頻功率放大器(RFPA)

圣邦微電子 ? 來源:圣邦微電子 ? 2024-02-29 11:46 ? 次閱讀
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圣邦微電子推出 SGM33685 系列 Sub-1G 射頻功率放大器RFPA)。

芯片采用先進的 InGaP/GaAs HBT 制程,具有高線性、高效率及高穩(wěn)定性等特點;支持多種 Sub-1G 協(xié)議標準和平臺方案,包括 LoRa、Sigfox、Wi-Fi HaLow、Wi-SUN、CAT-M、Walkie-Talkie、FM、GSM、E-GSM 以及其它各類頻率在 1GHz 以內(nèi)的物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用。SGM33685 采用符合環(huán)保理念的 TQFN-3×3-16L 綠色封裝。

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圖 1 SGM33685A 典型應(yīng)用電路圖

SGM33685 典型特性

SG Micro Corp

SGM33685 系列產(chǎn)品典型特性參數(shù)請見表 1。

表 1 SGM33685A/B/C 典型特性

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SGM33685 溫度特性

SG Micro Corp

1.在 -40℃ 至 +105℃ 溫度范圍內(nèi),SGM33685 產(chǎn)品系列輸出功率穩(wěn)定,在額定輸出功率范圍內(nèi)增益平坦,滿足各種嚴苛的工業(yè)環(huán)境應(yīng)用。

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圖 2 SGM33685A 增益(Gain)曲線

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圖 3 SGM33685B 增益(Gain)曲線

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圖 4 SGM33685C 增益(Gain)曲線

2.SGM33685 產(chǎn)品系列具有良好線性輸出能力,在未加外置帶通濾波器的情況下,鄰信道泄漏比(ACLR)也能夠滿足 3GPP 標準。

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圖 5 SGM33685A 鄰信道泄漏比(ACLR)曲線

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圖 6 SGM33685B 鄰信道泄漏比(ACLR)曲線

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圖 7 SGM33685C 鄰信道泄漏比(ACLR)曲線

3.SGM33685 兼具高效率、高線性度及低功耗等特點。低功耗應(yīng)用場景對射頻功率放大器的電流消耗尤為關(guān)注。例如各類電池供電的 IoT 終端模組,要求在額定輸出功率下,既要有良好的帶外抑制能力,又要足夠低的功耗,以延長電池使用壽命。SGM33685 產(chǎn)品系列正是針對這類應(yīng)用需求而開發(fā)。

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圖 8 SGM33685A 功耗(ICC)曲線

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圖 9 SGM33685B 功耗(ICC)曲線

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圖 10 SGM33685C 功耗(ICC)曲線

SGM33685 應(yīng)用場景

SG Micro Corp

SGM33685A/B/C 適用于多種調(diào)制方式(BPSK、QPSK、16-QAM、64-QAM 等),支持多種帶寬需求(1MHz、2MHz、4MHz 及 8MHz 四種帶寬)。在 26dBm 輸出功率下,傳輸距離達到 5km,并且滿足高速率傳輸要求,實現(xiàn)遠距離圖傳。同時,功耗低至 400mA 左右,滿足戶外設(shè)備低功耗需求。

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圖 11 SGM33685 應(yīng)用示意圖





審核編輯:劉清

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原文標題:圣邦微電子推出 SGM33685 系列 Sub-1G 射頻功率放大器

文章出處:【微信號:sg-micro,微信公眾號:圣邦微電子】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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