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三菱電機(jī)1200V級SiC MOSFET技術(shù)解析

三菱電機(jī)半導(dǎo)體 ? 來源:三菱電機(jī)半導(dǎo)體 ? 2024-12-04 10:50 ? 次閱讀
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1200V級SiC MOSFET是一種能充分發(fā)揮SiC優(yōu)勢的器件,廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車等領(lǐng)域。目前,1200V級SiC MOSFET被多家器件廠商定位為主力產(chǎn)品,本文主要介紹三菱電機(jī)1200V級SiC MOSFET的技術(shù)開發(fā)概要。

截至2024年,三菱電機(jī)已量產(chǎn)第二代平面柵SiC MOSFET芯片,并配套于各種模塊實現(xiàn)產(chǎn)品化。圖1顯示了第二代平面柵SiC MOSFET的MOS元胞截面結(jié)構(gòu)及其特點。首先,使用n型離子注入技術(shù)(JFET摻雜)來優(yōu)化MOS元胞JFET區(qū)的結(jié)構(gòu),降低了JFET區(qū)域的電阻。此外,與以往相比,縮小了MOS元胞的尺寸,通過提高M(jìn)OS溝道密度來降低電阻,并通過使SiC襯底更薄來降低電阻。通過這些改進(jìn),如圖2所示,三菱電機(jī)的第二代SiC MOSFET與第一代相比,導(dǎo)通電阻降低了30%以上。此外,用于保持第二代SiC MOSFET耐壓的終端結(jié)構(gòu)采用了FLR(Field Limiting Ring),形成適當(dāng)?shù)谋砻姹Wo(hù)膜。

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圖1:第二代平面柵SiC MOSFET的MOS元胞截面結(jié)構(gòu)

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圖2:第二代SiC MOSFET與第一代SiC MOSFET的通態(tài)特性比較

迄今為止,三菱電機(jī)的第二代SiC MOSFET已被廣泛應(yīng)用于市場上多個系統(tǒng)中,充分證明其故障率低、性能穩(wěn)定。目前,以第二代SiC MOSFET結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ),進(jìn)一步進(jìn)行改良,繼續(xù)開發(fā)便于使用的SiC MOSFET,推進(jìn)高性能、高可靠性SiC模塊的產(chǎn)品化。

作為耐壓1200V級SiC MOSFET的下一代產(chǎn)品,三菱電機(jī)正在推進(jìn)第四代溝槽柵SiC MOSFET的開發(fā)。另外,三菱電機(jī)第三代SiC MOSFET采用SBD嵌入式MOSFET,將在下一章節(jié)進(jìn)行介紹。圖3顯示了正在開發(fā)的溝槽柵SiC MOSFET結(jié)構(gòu),采用離子注入技術(shù),形成獨特的MOS元胞結(jié)構(gòu)。其特點是,在高電場容易集中的溝槽底部,進(jìn)行p型離子注入(BPW:bottom p-well)來降低電場強(qiáng)度,對溝槽側(cè)壁進(jìn)行p型和n型離子注入,使BPW的電位保持恒定,確保開關(guān)時穩(wěn)定工作,并降低了電流路徑的電阻。因此,三菱電機(jī)的溝槽柵SiC MOSFET可實現(xiàn)高可靠性、穩(wěn)定工作和低導(dǎo)通電阻。圖4比較了三菱電機(jī)的溝槽柵SiC MOSFET和平面柵SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻,可見溝槽柵MOSFET的導(dǎo)通電阻大幅降低。室溫下比導(dǎo)通電阻為2mΩ·cm2左右,達(dá)到世界先進(jìn)水平。從圖4也可看出,高閾值電壓時,溝槽柵SiC MOSFET導(dǎo)通電阻相對平面柵降低的比例更大。這是溝槽柵SiC MOSFET的優(yōu)點,因為MOS溝道形成在與(0001)面垂直的面上,MOS通道的有效遷移率比較大。三菱電機(jī)的溝槽柵MOSFET結(jié)構(gòu)上的特點是離子注入濃度和區(qū)域等設(shè)計自由度高,因此可以調(diào)整各種特性。

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圖3:第四代溝槽柵SiC MOSFET的MOS元胞的立體截面圖

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圖4(a):三菱電機(jī)溝槽柵SiC MOSFET與平面柵SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻比較(室溫)

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圖4(b):三菱電機(jī)溝槽柵SiC MOSFET與平面柵SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻比較(高溫)

三菱電機(jī)的第四代溝槽柵SiC MOSFET非常適合要求高閾值電壓和低導(dǎo)通電阻的xEV,正計劃開發(fā)用于xEV的SiC模塊作為其首批應(yīng)用產(chǎn)品。未來,我們將推動溝槽柵SiC MOSFET應(yīng)用于各種其他用途。

正文完

<關(guān)于三菱電機(jī)>

三菱電機(jī)創(chuàng)立于1921年,是全球知名的綜合性企業(yè)。截止2024年3月31日的財年,集團(tuán)營收52579億日元(約合美元348億)。作為一家技術(shù)主導(dǎo)型企業(yè),三菱電機(jī)擁有多項專利技術(shù),并憑借強(qiáng)大的技術(shù)實力和良好的企業(yè)信譽在全球的電力設(shè)備、通信設(shè)備、工業(yè)自動化、電子元器件、家電等市場占據(jù)重要地位。尤其在電子元器件市場,三菱電機(jī)從事開發(fā)和生產(chǎn)半導(dǎo)體已有68年。其半導(dǎo)體產(chǎn)品更是在變頻家電、軌道牽引、工業(yè)與新能源、電動汽車、模擬/數(shù)字通訊以及有線/無線通訊等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。

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原文標(biāo)題:第11講:三菱電機(jī)工業(yè)SiC芯片技術(shù)

文章出處:【微信號:三菱電機(jī)半導(dǎo)體,微信公眾號:三菱電機(jī)半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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