TechInsights與SemiWiki近日聯(lián)合發(fā)布了對(duì)英特爾Intel 18A(1.8nm級(jí)別)和臺(tái)積電N2(2nm級(jí)別)工藝的深度分析。結(jié)果顯示，兩者在關(guān)鍵性能指標(biāo)上各有優(yōu)勢(shì)。

據(jù)TechInsights分析，臺(tái)積電N2工藝在晶體管密度方面表現(xiàn)突出，其高密度(HD)標(biāo)準(zhǔn)單元的晶體管密度高達(dá)313MTr/mm2，遠(yuǎn)超英特爾Intel 18A的238MTr/mm2和三星SF2/SF3P的231MTr/mm2。這一數(shù)據(jù)表明，在追求晶體管集成度方面，臺(tái)積電N2工藝具備顯著優(yōu)勢(shì)。

然而，TechInsights同時(shí)指出，臺(tái)積電N2工藝在HD標(biāo)準(zhǔn)單元上的晶體管密度優(yōu)勢(shì)可能并不適用于所有類型的標(biāo)準(zhǔn)單元。在性能方面，英特爾Intel 18A工藝則展現(xiàn)出了領(lǐng)先地位，預(yù)計(jì)其將超越臺(tái)積電的N2工藝和三星的SF2工藝。

綜上所述，英特爾Intel 18A與臺(tái)積電N2工藝各有其獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。臺(tái)積電N2工藝在晶體管密度上占據(jù)上風(fēng)，為追求高度集成的應(yīng)用場(chǎng)景提供了有力支持;而英特爾Intel 18A工藝則在性能方面表現(xiàn)出色，有望滿足對(duì)計(jì)算性能有極高要求的用戶需求。