（電子發(fā)燒友網報道 文/章鷹） 3月14日，在英飛凌ICIC2025峰會上，英飛凌首次在國內展示英飛凌發(fā)布兩項技術創(chuàng)新，分別是英飛凌300mm氮化鎵功率半導體晶圓和20μm超薄硅功率晶圓。

英飛凌全球高級副總裁及大中華區(qū)總裁、英飛凌科技消費、計算與通訊業(yè)務大中華區(qū)負責人潘大偉

為什么要做這么薄的12英寸晶圓？英飛凌全球高級副總裁及大中華區(qū)總裁、英飛凌科技消費、計算與通訊業(yè)務大中華區(qū)負責人潘大偉分析說有兩大考慮：一是更薄的晶圓可以減少電流傳輸路徑中的電阻，降低能量損耗，從而提升整體能效；二是這兩款突破性技術的晶圓采用12英寸，主要是12英寸比較8英寸在單位面積上可以產出更多芯片，從而提升生產效率，還顯著降低了生產成本。憑借這兩項創(chuàng)新技術，英飛凌在功率半導體領域持續(xù)鞏固和增強了領先地位。

氮化鎵應用新場景興起！從消費領域向AI服務器、人形機器人擴展

GaN作為一種性能優(yōu)異的寬禁帶半導體材料，近年來在功率半導體市場備受關注，從消費電子快充領域崛起，到如今的AI服務器、人形機器人等新興市場應用，氮化鎵器件正在顯示強大的發(fā)展?jié)摿ΑH調研機構Yole Group數據顯示，到 2029 年，預計 WBG 將占全球電力電子市場的近 33%，其中 SiC 和 GaN 分別占 26.8% 和 6.3%。從消費電子、數據中心到新能源汽車帶動GaN市場需求的增長，2029年GaN的市場容量會達到22億美元。

西安電子科技大學廣州研究院教授弓小武表示，與第一代、第二代、第三代材料相比較，在禁帶寬度、相對介電常數、絕緣擊穿場強、電子漂移飽和速度、熱導率及功率密度方面，氮化鎵材料都具有非常優(yōu)異的特性。當然，氮化鎵在材料高頻率、高功率、高效率等應用中具有廣闊的應用前景。

氮化鎵器件目前已經從消費類快充、自動駕駛領域向人形機器人、光伏等多個應用場景擴充。中功率應用1kW-10kW，比如充電器、48V輕混動力系統(tǒng)；在10KW以上的大功率應用，比如數據中心電源、800V動力平臺、家用光伏等。在人形機器人領域，從馬達驅動、電機控制、DC-DC轉換器到電池管理（BMS），氮化鎵都能充分的發(fā)揮其性能優(yōu)勢。

在ICIC 2025峰會上，英飛凌重磅發(fā)布了新一代中壓CoolGaN? 半導體器件。

英飛凌科技消費、計算與通訊業(yè)務大中華區(qū)高級技術總監(jiān)郭晶虹表示，這個系列產品具備出色的性能、更高的功率密度和高可靠性，可以將系統(tǒng)效率提升至96%，同時有助于降低能耗與運營成本。該系列半導體器件能夠助力中壓電機系統(tǒng)實現(xiàn)更小的尺寸，為電信和數據中心提供更高的效率，在音頻應用中實現(xiàn)更高的功率密度、更輕量級的系統(tǒng)和更佳的音頻性能。

圖：英飛凌科技消費、計算與通訊業(yè)務大中華區(qū)高級技術總監(jiān)郭晶虹

據悉，今年大熱的人形機器人當中，英飛凌的氮化鎵功率器件能夠用于馬達驅動，會將系統(tǒng)的體積變得更小，也將使系統(tǒng)效率提升。如果應用到機器人當中的30到50個關節(jié)，每個關節(jié)體積比較小，整個機器人的重量就會大大降低。

早在去年PCIM展會上，英飛凌展出了三款氮化鎵功率器件解決方案。一是雷蛇280W氮化鎵充電器；二是英飛凌中壓氮化鎵馬達驅動方案；三是650V CoolGaN?雙向開關BDS演示版。

郭晶虹指出，英飛凌在氮化鎵技術方面的創(chuàng)新是全方位的，涵蓋了400V以下的中低壓氮化鎵功率器件，以及600V以上的高壓氮化鎵功率器件，針對400V以下的中低壓氮化鎵門級，英飛凌采用的是業(yè)界通用的肖特基技術，開關頻率可以推到1MHz以上。對于高壓氮化鎵功率器件，英飛凌在門極驅動技術方面已經有自己獨特的混合驅動方式，可以減少門級對于噪聲的敏感度，同時也盡量減少開通時動態(tài)導通電阻產生的影響。在制程方面，英飛凌的氮化鎵產線已經從6英寸過渡到了8英寸，英飛凌是唯一一家將來要做12英寸，我們將來也有布局12英寸氮化鎵的產能。英飛凌預計，隨著12英寸氮化鎵量產，能夠大幅度提高氮化鎵產能也能降低氮化鎵產品的成本和價格。

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