18video性欧美19sex,欧美高清videosddfsexhd,性少妇videosexfreexxx片中国,激情五月激情综合五月看花,亚洲人成网77777色在线播放

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

存儲(chǔ)DRAM:擴(kuò)張與停產(chǎn)雙重奏

花茶晶晶 ? 來源:電子發(fā)燒友 ? 作者:黃晶晶 ? 2025-05-10 00:58 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)高帶寬存儲(chǔ)HBM因數(shù)據(jù)中心AI訓(xùn)練而大熱,HBM三強(qiáng)不同程度地受益于這一存儲(chǔ)產(chǎn)品的營(yíng)收增長(zhǎng),甚至就此改變了DRAM市場(chǎng)的格局。根據(jù)CFM閃存市場(chǎng)的分析數(shù)據(jù),2025年一季度,SK海力士憑借在HBM領(lǐng)域的絕對(duì)優(yōu)勢(shì),終結(jié)三星長(zhǎng)達(dá)四十多年的市場(chǎng)統(tǒng)治地位,以36.7%的市場(chǎng)份額首度登頂全球DRAM市場(chǎng)第一。

當(dāng)前國(guó)際存儲(chǔ)大廠轉(zhuǎn)向更多投資HBM、并逐步放棄部分DRAM產(chǎn)品的產(chǎn)能,疊加關(guān)稅出口等這些因素對(duì)存儲(chǔ)的后續(xù)市場(chǎng)產(chǎn)生影響。

HBM重構(gòu)DRAM市場(chǎng)格局,HBM仍是投入重點(diǎn)

CFM閃存市場(chǎng)指出,從2024年SK海力士與三星在DRAM上的差距就已經(jīng)開始減小,在4Q23和1Q24他們還保持有11%的份額差距,而到4Q24已經(jīng)減小到1%;與之相對(duì)應(yīng)的是,在HBM市場(chǎng)份額上,SK海力士與三星從最初的幾乎五五分,到2025年一季度已經(jīng)擴(kuò)大到兩倍以上的差距。

另一方面,HBM市場(chǎng)滲透率已經(jīng)從2023年的9%翻倍躍升至2024年的18%。經(jīng)歷數(shù)代的HBM產(chǎn)品演進(jìn),當(dāng)前SK海力士、美光、三星主要聚焦于HBM3E的競(jìng)爭(zhēng),預(yù)計(jì)到2025年隨著這三家存儲(chǔ)廠商HBM4量產(chǎn)落地,HBM產(chǎn)品在全部DRAM產(chǎn)業(yè)中的占比將接近30%,市場(chǎng)將達(dá)到2880億Gb當(dāng)量,并且在服務(wù)器內(nèi)存消耗方面,其應(yīng)用還在持續(xù)增長(zhǎng)。

SK海力士2025財(cái)年第一季度財(cái)報(bào)顯示,公司2025財(cái)年第一季度結(jié)合并收入為17.6391萬億韓元,營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為7.4405萬億韓元,凈利潤(rùn)為8.1082萬億韓元。2025財(cái)年第一季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率為42%,凈利潤(rùn)率為46%。公司本季度的收入和營(yíng)業(yè)利潤(rùn)是在繼前一季度創(chuàng)下歷史最高業(yè)績(jī)后,達(dá)到了第二高的業(yè)績(jī)水平。營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率環(huán)比改善了1個(gè)百分點(diǎn),增至42%,并以連續(xù)八個(gè)季度呈現(xiàn)出穩(wěn)健上升趨勢(shì)。

SK海力士表示:“第一季度,受人工智能開發(fā)競(jìng)爭(zhēng)加劇和庫存補(bǔ)充需求等影響,存儲(chǔ)器市場(chǎng)情況改善速度顯著快于預(yù)期。順應(yīng)這一趨勢(shì),公司擴(kuò)大了12層HBM3E、DDR5等高附加值產(chǎn)品的銷售?!?br />
SK海力士認(rèn)為,全球不確定性加劇,導(dǎo)致需求前景的多變性增加。為滿足客戶要求,公司決定加強(qiáng)與供應(yīng)鏈的協(xié)作。

公司針對(duì)HBM需求,因其產(chǎn)品特性,通常需要提前一年與客戶進(jìn)行供應(yīng)量協(xié)商。預(yù)計(jì)今年該產(chǎn)品將持續(xù)保持同比增長(zhǎng)約一倍。因此,12層HBM3E的銷售將穩(wěn)步增長(zhǎng),預(yù)計(jì)在第二季度其銷售將占整個(gè)HBM3E比重的一半以上。

財(cái)報(bào)顯示,2024年三星電子公司實(shí)現(xiàn)收入300.9萬億韓元 (約1.52萬億元人民幣),同比增長(zhǎng)16%;而歸母凈利潤(rùn)則飆升至33.6萬億韓元 (約1692.43億元人民幣),同比增長(zhǎng)131%。其中,三星內(nèi)存業(yè)務(wù)成為主要增長(zhǎng)引擎,銷售額達(dá)84.5萬億韓元,同比增長(zhǎng)91%,HBM及DDR5產(chǎn)品貢獻(xiàn)顯著。

三星電子Q1存儲(chǔ)營(yíng)收為19.1萬億韓元(約合133.8億美元),環(huán)比減少17%,同比增長(zhǎng)9%;存儲(chǔ)業(yè)務(wù)所在的DS部門Q1經(jīng)營(yíng)利潤(rùn)為1.1萬億韓元(約合7.7億美元),環(huán)比減少62%,同比減少42%。

對(duì)于存儲(chǔ)業(yè)務(wù),三星表示,營(yíng)收同比實(shí)現(xiàn)增長(zhǎng)主要得益于服務(wù)器 DRAM 銷售的擴(kuò)大以及市場(chǎng)價(jià)格觸底反彈下滿足了額外的NAND需求。然而,由于平均售價(jià)(ASP)下降、AI 芯片出口管制和對(duì)即將推出的增強(qiáng)型 HBM3E 產(chǎn)品需求延遲導(dǎo)致HBM 銷售下降,從而影響了整體盈利。

第二季度預(yù)期與新產(chǎn)品規(guī)劃

SK海力士表示,從今年第一季度開始,公司向部分PC領(lǐng)域客戶供應(yīng)面向人工智能PC的高性能存儲(chǔ)器模塊LPCAMM2。LPCAMM2(Low-Power Compression Attached Memory Module 2)是基于LPDDR5X的模組解決方案產(chǎn)品,其性能表現(xiàn)相當(dāng)于兩個(gè)現(xiàn)有DDR5 SODIMM的性能水平,同時(shí)能夠有效節(jié)省空間,且具備低功耗、高性能特性。

同時(shí),公司也計(jì)劃與客戶緊密合作,在需求正式啟動(dòng)時(shí),及時(shí)供應(yīng)面向人工智能服務(wù)器的低功耗DRAM模塊SOCAMM。SOCAMM(Small Outline Compression Attached Memory Module)是一種基于低功耗DRAM的內(nèi)存模組,特別適用于AI服務(wù)器。

就NAND閃存業(yè)務(wù)領(lǐng)域,公司將積極響應(yīng)高容量企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(eSSD)的市場(chǎng)需求,同時(shí)秉持謹(jǐn)慎的投資基調(diào),持續(xù)實(shí)施以盈利為導(dǎo)向的運(yùn)營(yíng)策略。

展望二季度,三星電子預(yù)計(jì)AI服務(wù)器需求將強(qiáng)勁,將通過以服務(wù)器為中心的產(chǎn)品組合,加強(qiáng)在高附加值市場(chǎng)的地位,并加大增強(qiáng)型12層堆疊HBM3E的產(chǎn)能以滿足初期需求。在NAND方面,致力于加速所有應(yīng)用向第八代V-NAND的過渡,以增強(qiáng)成本競(jìng)爭(zhēng)力。

另外,據(jù)公開報(bào)道,2025年,三星將HBM3E產(chǎn)能提升三倍,并將QLC SSD的市場(chǎng)占比目標(biāo)設(shè)定為30%,相比2024年的15%大幅提高。

對(duì)于下半年,三星電子表示,隨著新款GPU的上市,預(yù)計(jì)AI相關(guān)需求將持續(xù)保持高位;將擴(kuò)大高附加值產(chǎn)品的銷售,包括增強(qiáng)型12層堆疊HBM3E產(chǎn)品和128GB及以上的高密度DDR5模塊。

在Mobile和PC市場(chǎng),預(yù)計(jì)終端設(shè)備AI將得到普及,三星電子計(jì)劃通過其業(yè)界領(lǐng)先的10.7Gbps LPDDR5x產(chǎn)品積極響應(yīng)市場(chǎng)環(huán)境的轉(zhuǎn)變。

部分存儲(chǔ)產(chǎn)品停產(chǎn)

此前,市場(chǎng)傳三星電子通知客戶于2025年4月終止1z制程8Gb LPDDR4存儲(chǔ)器生產(chǎn)(End of Life),并要求客戶在6月前完成最后買進(jìn)訂單,預(yù)計(jì)最遲于10月前出貨,主要原因是國(guó)內(nèi)手機(jī)LPDDR4存儲(chǔ)芯片訂單轉(zhuǎn)到本土工廠制造,三星將聚焦LPDDR5以上的高端產(chǎn)品。對(duì)此傳聞,三星半導(dǎo)體回應(yīng)稱,不評(píng)論業(yè)界傳言,生產(chǎn)在按序進(jìn)行。另外,消息稱,公司計(jì)劃減少超過20%的傳統(tǒng)DRAM產(chǎn)能,轉(zhuǎn)向生產(chǎn)LPDDR5x及HBM等高端產(chǎn)品。
近期,國(guó)際存儲(chǔ)大廠紛紛停產(chǎn)DDR3、DDR4,退出的市場(chǎng)無疑將為中小容量的存儲(chǔ)廠商帶來機(jī)會(huì)。

而另一方面,從數(shù)據(jù)來看,韓國(guó)銷往中國(guó)的半導(dǎo)體占比持續(xù)下降。韓國(guó)貿(mào)易協(xié)會(huì)(KITA)數(shù)據(jù)顯示,中國(guó)大陸和中國(guó)香港2024年占韓國(guó)半導(dǎo)體出口的比率為51.7%,低于2020年的61.6%。其中,出口到中國(guó)內(nèi)地的份額從2020年的40.2%降至33.3%,出口到中國(guó)香港的份額從20.9%降至18.4%。

韓國(guó)貿(mào)易部發(fā)布的報(bào)告顯示,2月韓國(guó)芯片對(duì)中國(guó)大陸(包括中國(guó)香港)的出口額同比下降31.8%,這一降幅大于1月份報(bào)告的22.5%的降幅。同時(shí),韓國(guó)對(duì)越南、美國(guó)的出口有所增加。也有韓國(guó)產(chǎn)業(yè)相關(guān)人士認(rèn)為,由于中國(guó)企業(yè)半導(dǎo)體技術(shù)和生產(chǎn)能力的提高,韓國(guó)以DRAM為主的出口大幅減少。

可以看到,當(dāng)前SK海力士、美光、三星主要投入到HBM的競(jìng)爭(zhēng),此前HBM需求旺、價(jià)格上漲等讓廠商們收益頗豐,未來HBM也將是它們的重點(diǎn)。隨之而來的是對(duì)DRAM產(chǎn)能的重新分配、停產(chǎn)部分DDR產(chǎn)品等舉措。同時(shí),從進(jìn)出口數(shù)據(jù)以及關(guān)稅對(duì)整個(gè)產(chǎn)業(yè)造成的不確定性來看,存儲(chǔ)大廠留下的市場(chǎng)空間給了其他存儲(chǔ)廠商更多的發(fā)展機(jī)會(huì)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • DRAM
    +關(guān)注

    關(guān)注

    40

    文章

    2362

    瀏覽量

    187449
  • 存儲(chǔ)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    13

    文章

    4629

    瀏覽量

    89099
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    SSD為何需要DRAM緩存?天碩工業(yè)級(jí)SSD帶來深度解析!

    在當(dāng)今數(shù)字化轉(zhuǎn)型的浪潮中,工業(yè)存儲(chǔ)設(shè)備的選擇直接關(guān)系到整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。天碩工業(yè)級(jí)SSD固態(tài)硬盤憑借其卓越的DRAM緩存技術(shù),在眾多應(yīng)用場(chǎng)景中展現(xiàn)出獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。本文將采用問答形式,深入探討這一關(guān)
    的頭像 發(fā)表于 10-20 17:59 ?316次閱讀
    SSD為何需要<b class='flag-5'>DRAM</b>緩存?天碩工業(yè)級(jí)SSD帶來深度解析!

    車載音響EMC整改:“濾波-屏蔽-接地”的三重奏

    車載音響EMC整改:“濾波-屏蔽-接地”的三重奏|南柯電子
    的頭像 發(fā)表于 10-15 10:34 ?109次閱讀

    雙重驅(qū)動(dòng)的新型直線電機(jī)研究

    摘罷:大行程、高精度,同時(shí)易于小型化的移動(dòng)機(jī)構(gòu)是先進(jìn)制造業(yè)等領(lǐng)域要解決的關(guān)鍵問題之一,綜述了現(xiàn)有宏/微雙重驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)和直線超聲電機(jī)的研究進(jìn)展和存在問題,提出了一種宏微雙重驅(qū)動(dòng)新型直線壓電電機(jī),使其既能
    發(fā)表于 06-24 14:17

    半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片核心解析

    ,是信息時(shí)代的基石。 2. 核心分類:斷電后數(shù)據(jù)還在嗎? 這是最根本的分類依據(jù): 易失性存儲(chǔ)器:斷電后數(shù)據(jù)立刻消失。 特點(diǎn):速度快,通常用作系統(tǒng)運(yùn)行的“工作臺(tái)”。 代表:DRAM (動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)
    發(fā)表于 06-24 09:09

    貞光科技代理紫光國(guó)芯存儲(chǔ)芯片(DRAM),讓國(guó)產(chǎn)替代更簡(jiǎn)單

    貞光科技作為業(yè)內(nèi)知名的車規(guī)及工業(yè)元器件供應(yīng)商,現(xiàn)已成為紫光國(guó)芯存儲(chǔ)芯片的授權(quán)代理商。在半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片國(guó)產(chǎn)化的關(guān)鍵時(shí)期,這一合作為推動(dòng)DRAM等關(guān)鍵器件的國(guó)產(chǎn)替代開辟了新的渠道。紫光國(guó)芯在存儲(chǔ)
    的頭像 發(fā)表于 06-13 15:41 ?910次閱讀
    貞光科技代理紫光國(guó)芯<b class='flag-5'>存儲(chǔ)</b>芯片(<b class='flag-5'>DRAM</b>),讓國(guó)產(chǎn)替代更簡(jiǎn)單

    扇出型封裝材料:技術(shù)突破與市場(chǎng)擴(kuò)張雙重奏

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道,從臺(tái)積電InFO封裝在蘋果A10芯片的首次商用,到中國(guó)廠商在面板級(jí)封裝領(lǐng)域的集體突圍,材料創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)鏈重構(gòu)共同推動(dòng)著一場(chǎng)封裝材料領(lǐng)域的技術(shù)革命。 ? 據(jù)Yole數(shù)據(jù),2025年全球扇出型封裝材料市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)突破8.7億美元,其中中國(guó)市場(chǎng)以21.48%的復(fù)合增長(zhǎng)率領(lǐng)跑全球,展現(xiàn)出強(qiáng)大的產(chǎn)業(yè)韌性。 ? 扇出型封裝的核心材料體系包含三大關(guān)鍵層級(jí):重構(gòu)載板材料、重布線層(RDL)材料和封裝防護(hù)材料。在重構(gòu)載板領(lǐng)域,傳統(tǒng)BT樹脂正面
    發(fā)表于 06-12 00:53 ?1388次閱讀

    2025存儲(chǔ)國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程加速:存儲(chǔ)芯片主要廠商介紹

    DRAM、嵌入式存儲(chǔ)等領(lǐng)域布局各具特色,推動(dòng)國(guó)產(chǎn)替代提速。貞光科技代理的品牌紫光國(guó)芯,專注DRAM技術(shù),覆蓋嵌入式存儲(chǔ)與模組解決方案,為多領(lǐng)域客戶提供高可靠性產(chǎn)品
    的頭像 發(fā)表于 05-12 16:01 ?3195次閱讀
    2025<b class='flag-5'>存儲(chǔ)</b>國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程加速:<b class='flag-5'>存儲(chǔ)</b>芯片主要廠商介紹

    存儲(chǔ)器IC的應(yīng)用技巧 【日 桑野雅彥】

    UV-EPROM的結(jié)構(gòu)與使用方法,閃速存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)與使用方法,EEPROM的結(jié)構(gòu)與使用方法, SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法, 特殊的SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法 ,DRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法,
    發(fā)表于 04-16 16:04

    DRAM基本單元最為通俗易懂的圖文解說

    本文要點(diǎn)提示:? ? ? ? ?? 1. DRAM 的工作原理圖文解說,包括讀寫以及存儲(chǔ);? ? ? ? ? 2. 揭秘DRAM便宜但SRAM貴之謎。? ? ?? 內(nèi)存應(yīng)該是每個(gè)硬件工程師都繞不開
    的頭像 發(fā)表于 03-04 14:45 ?1502次閱讀
    <b class='flag-5'>DRAM</b>基本單元最為通俗易懂的圖文解說

    存儲(chǔ)器工藝概覽:常見類型介紹

    ? 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)是現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中不可或缺的核心組件,廣泛應(yīng)用于個(gè)人計(jì)算機(jī)、服務(wù)器、移動(dòng)設(shè)備及高性能計(jì)算領(lǐng)域。本文將探討DRAM的基本工作原理、存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)及制造工藝
    的頭像 發(fā)表于 02-14 10:24 ?1041次閱讀
    <b class='flag-5'>存儲(chǔ)</b>器工藝概覽:常見類型介紹

    索尼2025年2月將全面停產(chǎn)刻錄用藍(lán)光光盤

    報(bào)道稱索尼計(jì)劃“逐步縮減”其存儲(chǔ)介質(zhì)業(yè)務(wù)。經(jīng)過一段時(shí)間的深思熟慮和市場(chǎng)調(diào)研,索尼最終決定正式敲定停產(chǎn)刻錄用藍(lán)光光盤的計(jì)劃。除了藍(lán)光光盤外,索尼還將停產(chǎn)錄音用迷你光盤、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)用MD介質(zhì)
    的頭像 發(fā)表于 01-24 14:02 ?1049次閱讀

    三星電子否認(rèn)1b DRAM重新設(shè)計(jì)報(bào)道

    DRAM內(nèi)存產(chǎn)品面臨的良率和性能雙重挑戰(zhàn),已決定在2024年底對(duì)現(xiàn)有的1b nm工藝進(jìn)行改進(jìn),并從頭開始設(shè)計(jì)新版1b nm DRAM。然而,三星電子現(xiàn)在對(duì)此表示否認(rèn),強(qiáng)調(diào)其并未有重新設(shè)計(jì)1b
    的頭像 發(fā)表于 01-23 15:05 ?767次閱讀

    DRAM的基本構(gòu)造與工作原理

    DRAM)是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中用于短期數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。它由IBM的研究員羅伯特·H·登納德(Robert H. Dennard)于1967年發(fā)明,并在隨后的幾十年間成為了計(jì)算機(jī)和電子設(shè)備中最常用的內(nèi)存類型之一。由于其高密度
    的頭像 發(fā)表于 12-17 14:54 ?4559次閱讀
    <b class='flag-5'>DRAM</b>的基本構(gòu)造與工作原理

    HSSC MicroStar BGA停產(chǎn)并重新設(shè)計(jì)

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《HSSC MicroStar BGA停產(chǎn)并重新設(shè)計(jì).pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 11-25 15:24 ?0次下載
    HSSC MicroStar BGA<b class='flag-5'>停產(chǎn)</b>并重新設(shè)計(jì)

    CTS MicroStar BGA停產(chǎn)并重新設(shè)計(jì)

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《CTS MicroStar BGA停產(chǎn)并重新設(shè)計(jì).pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 11-24 14:24 ?0次下載
    CTS MicroStar BGA<b class='flag-5'>停產(chǎn)</b>并重新設(shè)計(jì)