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芯片塑封工藝過(guò)程解析

中科院半導(dǎo)體所 ? 來(lái)源:學(xué)習(xí)那些事 ? 2025-06-12 14:09 ? 次閱讀
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文章來(lái)源:學(xué)習(xí)那些事

原文作者:前路漫漫

本文介紹了芯片封裝中的塑封工藝。

所謂塑封,是指將構(gòu)成電子元器件集成電路的各部件按規(guī)范要求進(jìn)行合理布置、組裝與連接,并通過(guò)隔離技術(shù)使其免受水分、塵埃及有害氣體的侵蝕,同時(shí)具備減緩振動(dòng)、防止外來(lái)?yè)p傷以及穩(wěn)定元器件參數(shù)的作用。塑封料通過(guò)流動(dòng)包覆的方式,將完成內(nèi)互聯(lián)的裸芯片半成品進(jìn)行包封,使其與外界環(huán)境隔絕,固化后形成保護(hù)性封裝體,為后續(xù)電子組裝提供可加工的標(biāo)準(zhǔn)化電子個(gè)體。通常而言,封裝工藝多以塑封環(huán)節(jié)為核心代表。

塑封工藝過(guò)程解析

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塑封工藝主要包含以下步驟:

合模:將預(yù)處理后的芯片框架精準(zhǔn)固定于模具型腔,通過(guò)閉合模具形成密封的封裝空間。

塑封料加壓流動(dòng):在500-1000PSI的壓力作用下,將預(yù)熱至80-90℃的塑封料壓入模具型腔,使其充分填充芯片及引腳間隙。

塑封料固化:將模具溫度升至175℃,塑封料在此溫度下發(fā)生不可逆的交聯(lián)反應(yīng),由液態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)楣虘B(tài),完成封裝體的固化成型。

脫模:待模具冷卻后開(kāi)啟,取出已完成封裝的電子元件。

高性能塑封料的特性與組成

性能優(yōu)良的塑封料需具備多重關(guān)鍵性能:較低的介電常數(shù)與介電損耗因子(降低介電常數(shù)可縮小信號(hào)線路間距,進(jìn)而提升運(yùn)行速度)、較高的耐熱性、導(dǎo)熱性與絕緣性、優(yōu)異的力學(xué)性能、阻燃性以及與硅等元器件相匹配的可調(diào)熱線脹系數(shù),同時(shí)還需擁有良好的化學(xué)穩(wěn)定性與機(jī)械性能。常見(jiàn)的塑封料主要由環(huán)氧樹(shù)脂、填料及其他微量添加劑組成。

1. 環(huán)氧樹(shù)脂:其成分之前介紹裝片的文章中所提及的環(huán)氧樹(shù)脂一致,作為塑封料的基體,提供化學(xué)交聯(lián)骨架。

2. 填料:填料在塑封料中占比較大,不同類(lèi)型的填料對(duì)封裝的散熱性與絕緣性影響顯著,主要包括SiO?、Si?N?、Al?O?和AIN等。填料需具備熱膨脹系數(shù)低、絕緣性能優(yōu)良的特點(diǎn),能夠提高塑封體的硬度、耐熱性、耐磨性與力學(xué)強(qiáng)度,降低固化物內(nèi)應(yīng)力,防止開(kāi)裂變形,并降低機(jī)電產(chǎn)品的溫升。

Si?N?填料:不僅適用于塑封填料,也可用于封裝基板。納米氮化硅具有極高的化學(xué)穩(wěn)定性、耐高溫性能,同時(shí)具備良好的力學(xué)性能與優(yōu)異的介電性能,主要應(yīng)用于集成度較高的芯片、光電子和光學(xué)器件,可有效降低線膨脹系數(shù)、熱應(yīng)力、吸水性和成型收縮率,提升力學(xué)性能、熱導(dǎo)率、阻燃性和熱形變溫度,增強(qiáng)耐磨性。

Al?O?填料:具有較高硬度,耐化學(xué)腐蝕,適用于高壓環(huán)境,能降低固化收縮率,提高塑封體的導(dǎo)熱性、硬度和強(qiáng)度等性能,但添加量過(guò)多時(shí),在固化過(guò)程中易形成應(yīng)力集中。

AIN填料:導(dǎo)熱性極為優(yōu)異,可達(dá)150-300W/(m·K),是SiO?的百倍、Al?O?的5倍,同時(shí)具備優(yōu)良的電性能與機(jī)械性能。

塑封料流動(dòng)性及其影響因素

塑封料的流動(dòng)性與其中固體顆粒的含量密切相關(guān)。一般來(lái)說(shuō),固體顆粒含量越少,黏度越低,流動(dòng)性相應(yīng)越好,塑封料也更易流入封裝型腔。在塑封或預(yù)熱過(guò)程中,初始階段塑封料中的大部分成分尚未軟化,主要呈固態(tài)。隨著溫度升高,成分逐漸變?yōu)橐簯B(tài)參與反應(yīng),固體顆粒減少。但由于反應(yīng)不可逆,液態(tài)轉(zhuǎn)化為固態(tài)后,顆粒不再變回液態(tài),因此塑封料中始終存在固體,并隨著反應(yīng)進(jìn)行,經(jīng)過(guò)臨界點(diǎn)后固體顆粒增多,導(dǎo)致塑封料的流動(dòng)性呈現(xiàn)先變好后變差的趨勢(shì)。通常情況下,塑封料的流動(dòng)性應(yīng)保持在24in以上。影響塑封料流動(dòng)性的主要因素包括塑封料的預(yù)熱程度、金型溫度、型腔傳導(dǎo)壓力和速度等。其反應(yīng)狀態(tài)如下圖。

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玻璃化狀態(tài)持續(xù)時(shí)間越長(zhǎng),塑封料在金型中的流動(dòng)時(shí)間越久,越有利于型腔填充。其中,溫度是影響玻璃化狀態(tài)持續(xù)時(shí)間的關(guān)鍵因素,溫度越高,反應(yīng)速度越快,玻璃化狀態(tài)持續(xù)時(shí)間越短。在實(shí)際生產(chǎn)中,可通過(guò)控制塑封溫度與預(yù)熱溫度,有效調(diào)整玻璃化狀態(tài)持續(xù)時(shí)間。此外,塑封料的密度在生產(chǎn)過(guò)程中也會(huì)對(duì)其實(shí)際流動(dòng)性及玻璃化狀態(tài)持續(xù)時(shí)間產(chǎn)生影響。

塑封料的存儲(chǔ)與使用規(guī)范

由于塑封料在常溫下會(huì)發(fā)生緩慢固化反應(yīng),且溫度越高反應(yīng)速度越快,同時(shí)水分對(duì)塑封成型質(zhì)量影響顯著,因此需盡量減少塑封料中的水分含量。塑封料應(yīng)存儲(chǔ)于5℃以下的干燥環(huán)境中,在此條件下有效期為6個(gè)月至1年。使用前,塑封料需經(jīng)歷升溫過(guò)程。由于其存儲(chǔ)于5℃以下的冷藏室,與外界使用環(huán)境溫差較大,空氣中的水分遇冷會(huì)在塑封料表面凝聚形成水珠,即“結(jié)露”現(xiàn)象。塑封料結(jié)構(gòu)為顆粒狀混合物,吸濕性能強(qiáng),水分易被吸入內(nèi)部。在塑封時(shí),水分遇170℃左右的高溫會(huì)迅速汽化,在塑封料中形成氣泡,導(dǎo)致空洞、溢料等不良問(wèn)題。為避免此類(lèi)現(xiàn)象,需將塑封料在密封狀態(tài)下于常溫放置24h,使其逐漸達(dá)到常溫,該過(guò)程稱(chēng)為醒料時(shí)間(Aging Time),以防止使用時(shí)結(jié)露。常溫下塑封料的固化反應(yīng)需控制使用期限,通常規(guī)定升溫結(jié)束后一定時(shí)間內(nèi)使用完畢。未用完的塑封料可密封后與未開(kāi)封的一同重新冷藏,再次使用需冷藏24h后按正常方法使用,且有效期為24h,僅可重新使用一次。

塑封常見(jiàn)不良現(xiàn)象及原因

塑封過(guò)程中常見(jiàn)的不良現(xiàn)象主要有以下幾種:

1. 封裝體成型不完整:主要原因包括氣道堵塞、金型內(nèi)有異物、塑封料注射時(shí)間過(guò)長(zhǎng)等。

2. 封裝體破裂/芯片露出/裂紋:多由封裝體受外力撞擊、框架變形等因素引起。

3. 封裝體上下或左右錯(cuò)位:可能是由于上下金型前后左右錯(cuò)位、框架在金型上定位不準(zhǔn)、上下金型前后左右溫差過(guò)大等原因?qū)е隆?/p>

4. 封裝體上有小氣泡:塑封料質(zhì)量問(wèn)題、成型參數(shù)不正確、模具壓力不夠、氣道堵塞等均可能引發(fā)該現(xiàn)象。

5. 塑封溢飛邊(FLASH):引腳上出現(xiàn)塑封薄膜或封裝體上有薄飛邊,主要原因包括引腳變形導(dǎo)致尺寸偏差、塑封金型磨損、密封性不佳、成型壓力不足、塑封料流動(dòng)性過(guò)高等。

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原文標(biāo)題:芯片塑封工藝

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