BMF240R12E2G3在三相四線制儲(chǔ)能變流器PCS中深受電力電子制造商青睞的根本性優(yōu)勢(shì)
BMF240R12E2G3作為一款1200V/240A的SiC MOSFET功率模塊，在三相四線制儲(chǔ)能變流器（PCS）中備受青睞，其根本性優(yōu)勢(shì)源于以下核心技術(shù)創(chuàng)新與系統(tǒng)級(jí)性能突破：
? 一、高頻低損耗特性，突破效率瓶頸
超低導(dǎo)通與開(kāi)關(guān)損耗
導(dǎo)通損耗優(yōu)化：常溫下導(dǎo)通電阻（RDS(on)）僅5.5mΩ，高溫（150℃）下仍保持8.5mΩ，顯著低于IGBT的飽和壓降（2-3V）。
開(kāi)關(guān)損耗負(fù)溫度特性：開(kāi)通損耗（Eon）隨溫度升高而下降（125℃時(shí)比常溫降低11.3%），抵消了導(dǎo)通損耗的溫升影響，高溫重載時(shí)總損耗僅增約5%39。這一特性在硬開(kāi)關(guān)拓?fù)渲杏葹殛P(guān)鍵。
零反向恢復(fù)損耗：內(nèi)置SiC SBD二極管，反向恢復(fù)電荷（Qrr）低至0.59–0.63μC（競(jìng)品通常>1.2μC），消除體二極管反向恢復(fù)導(dǎo)致的EMI和損耗。
高頻支持能力（40kHz+）
高開(kāi)關(guān)頻率使濾波電感體積減少36%，功率密度提升25%，同時(shí)降低磁性元件成本。
實(shí)測(cè)PCS整機(jī)效率達(dá)≥98.8%（不含電抗器），較IGBT方案提升1%以上，年均充放電循環(huán)損耗顯著降低。
審核編輯 黃宇
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