傾佳電子推動(dòng)SiC模塊全面替代IGBT模塊的技術(shù)動(dòng)因與SiC模塊應(yīng)用系統(tǒng)級(jí)優(yōu)勢(shì)深度研究

傾佳電子（Changer Tech）是一家專(zhuān)注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車(chē)連接器的分銷(xiāo)商。主要服務(wù)于中國(guó)工業(yè)電源、電力電子設(shè)備和新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車(chē)連接器。?

傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)！

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然，勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭：

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢(shì)！

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管和大于650V的高壓硅MOSFET的必然趨勢(shì)！

傾佳電子楊茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET單管全面取代SJ超結(jié)MOSFET和高壓GaN 器件的必然趨勢(shì)！

一、引言：第三代半導(dǎo)體替代浪潮與國(guó)產(chǎn)突破的時(shí)代大勢(shì)

近年來(lái)，隨著全球能源結(jié)構(gòu)向低碳化、清潔化和智能化轉(zhuǎn)型，電力電子行業(yè)作為支撐新能源、交通電動(dòng)化和高端制造的基石，正經(jīng)歷深刻技術(shù)變革。以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體器件，憑借高壓、高頻、高溫和低損耗的物理特性，正加速取代以絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）為代表的第二代硅基半導(dǎo)體，從而推動(dòng)光伏、儲(chǔ)能、電鍍電源、新能源汽車(chē)等關(guān)鍵應(yīng)用場(chǎng)景的系統(tǒng)升級(jí)和國(guó)產(chǎn)替代。傾佳電子作為國(guó)內(nèi)BASiC（基本半導(dǎo)體）官方一級(jí)代理，通過(guò)多年方案推廣和市場(chǎng)深化，成為推動(dòng)SiC模塊全面替代IGBT的排頭兵之一，其在高頻、高溫、低損耗等維度上的技術(shù)積累和推廣模式對(duì)電力電子行業(yè)影響深遠(yuǎn)。

高頻高效、系統(tǒng)級(jí)降本、供應(yīng)鏈自主可控與國(guó)家戰(zhàn)略高度支撐，促使SiC模塊成為兼具商業(yè)價(jià)值和戰(zhàn)略意義的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。本報(bào)告基于傾佳電子代理的BASiC SiC模塊相關(guān)技術(shù)文獻(xiàn)、產(chǎn)業(yè)分析、公開(kāi)報(bào)道和應(yīng)用實(shí)證，系統(tǒng)梳理國(guó)產(chǎn)SiC模塊在技術(shù)性能、系統(tǒng)效益、供應(yīng)鏈安全、政策生態(tài)等方面對(duì)IGBT的全面超越，并結(jié)合各主流落地場(chǎng)景，剖析其在推動(dòng)中國(guó)電力電子自主可控和高質(zhì)量發(fā)展中的核心地位。

二、SiC與IGBT模塊關(guān)鍵性能對(duì)比分析

2.1 材料物理與器件結(jié)構(gòu)

碳化硅（SiC）作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體，對(duì)比硅（Si）基IGBT在材料層面實(shí)現(xiàn)了突破性進(jìn)步：

禁帶寬度：SiC為3.26 eV，硅為1.12 eV，帶來(lái)更高的本征耐壓和高溫可靠性；

臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)：SiC達(dá)3-4 MV/cm，是硅基材料的約10倍，使其適用于更高電壓的功率應(yīng)用；

熱導(dǎo)率：SiC（約3.3～4.9 W/cm·K）是硅（1.5 W/cm·K）的3倍以上，顯著改善高溫運(yùn)行的散熱設(shè)計(jì)；

電子飽和遷移率：SiC高于Si，有利于高頻應(yīng)用的快速開(kāi)關(guān)。

從器件結(jié)構(gòu)看，SiC MOSFET為單極型、寬帶隙器件，無(wú)“拖尾電流”（尾電流）；IGBT則為MOS+雙極型混合，存在載流子注入和拖尾電流問(wèn)題，限制了高頻性能和效率。

2.2 核心電氣性能對(duì)比表

注：具體參數(shù)會(huì)隨型號(hào)/應(yīng)用變化略有不同，上表體現(xiàn)主流趨勢(shì)，BASiC為主國(guó)產(chǎn)模塊代表。

2.3 詳細(xì)對(duì)比說(shuō)明

導(dǎo)通與開(kāi)關(guān)損耗方面，SiC模塊因單極導(dǎo)電與低Rds(on)特性，高壓大電流下?lián)p耗遠(yuǎn)低于IGBT（如實(shí)際應(yīng)用中SiC模塊導(dǎo)通損耗可低60-80%），且關(guān)斷無(wú)尾電流，適合高頻與動(dòng)態(tài)工況。高頻時(shí)，IGBT開(kāi)關(guān)損耗呈幾何倍數(shù)增長(zhǎng)，應(yīng)用受限。

高溫與高壓能力上，SiC的熱導(dǎo)率和高擊穿場(chǎng)使其支持更高結(jié)溫（175~200℃），更快散熱，電路模塊可承受更苛刻環(huán)境而無(wú)需大幅增加散熱系統(tǒng)，整體系統(tǒng)體積/成本降低。

系統(tǒng)級(jí)優(yōu)化表現(xiàn)為高頻小型化（可減少電感、電容和散熱體體積30~50%）、高效率和超可靠性，尤其適用于對(duì)能效、功率密度和連續(xù)運(yùn)行要求極高的新興領(lǐng)域，如新能源車(chē)、集中式儲(chǔ)能/電解、光伏/風(fēng)儲(chǔ)等。

成本方面，目前SiC初期采購(gòu)價(jià)已與進(jìn)口IGBT持平甚至更低，長(zhǎng)期運(yùn)行能效和維護(hù)、體積等因素使其LCC（全生命周期成本）更優(yōu)。

系統(tǒng)級(jí)創(chuàng)新在于采用低電感、高絕緣、高兼容性封裝（如BASiC 62mm/HPD平臺(tái)），對(duì)高壓大功率系統(tǒng)可平滑升級(jí)。

三、BASiC SiC模塊關(guān)鍵技術(shù)性能與驅(qū)動(dòng)配套創(chuàng)新

3.1 BASiC模塊技術(shù)亮點(diǎn)與國(guó)際對(duì)標(biāo)

BASiC（基本半導(dǎo)體）作為國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體研發(fā)制造的頭部企業(yè)，通過(guò)自主芯片設(shè)計(jì)、車(chē)規(guī)級(jí)封裝、工藝流程迭代，打造了具有國(guó)際對(duì)標(biāo)能力的SiC模組/分立器件。傾佳電子作為其一級(jí)代理，實(shí)現(xiàn)了高效分銷(xiāo)與場(chǎng)景化推廣。

關(guān)鍵技術(shù)性能及亮點(diǎn)主要包括：

超低導(dǎo)通電阻：如BMF540R12KA3 1200V/540A模塊@25°C Rds(on)僅2.5mΩ，175°C下4.3mΩ，負(fù)載能力出色；

高速開(kāi)關(guān)特性：tr=60ns、tf=41ns，Eon+Eoff極低；

高溫穩(wěn)定性：支持175~200°C持續(xù)結(jié)溫運(yùn)行，熱阻低至0.07K/W；

高封裝一體化：Si?N?陶瓷基板+銅底板，超低雜散電感（14nH），抗彎強(qiáng)度優(yōu)于AlN封裝，器件壽命2~3倍于IGBT；

可靠性：通過(guò)AQG324等車(chē)規(guī)級(jí)認(rèn)證，典型工業(yè)應(yīng)用中無(wú)分層/失效；

多標(biāo)準(zhǔn)封裝：全面兼容62mm、HPD、TPAK、DCM、EconoDual等國(guó)際工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，便于平滑產(chǎn)業(yè)導(dǎo)入與跨平臺(tái)升級(jí)。

3.2 全棧驅(qū)動(dòng)方案創(chuàng)新與配套生態(tài)

BASiC及傾佳電子圍繞主流SiC模塊推出完整驅(qū)動(dòng)與配套方案，攻克了SiC在極高頻、硬開(kāi)關(guān)、EMI和系統(tǒng)安全的一系列難題，提升了工程適配與批量落地能力：

專(zhuān)用門(mén)極驅(qū)動(dòng)芯片（如BTD5350MCWR）：峰值輸出10A，無(wú)需推挽環(huán)節(jié)，集成米勒鉗位，有效抑制直通誤開(kāi)通，大幅降低EMI風(fēng)險(xiǎn)；

高頻DCDC輔助電源BTP1521x系列：輸出6W，支持-4V/+18V雙極供電，頻率可達(dá)1.5MHz，滿(mǎn)足多通道、高EMI場(chǎng)景供電要求；

保護(hù)與互鎖設(shè)計(jì)：集成直通保護(hù)、軟啟動(dòng)、欠壓與過(guò)流保護(hù)，適配寬功率平臺(tái)；

應(yīng)用級(jí)參考設(shè)計(jì)：如工業(yè)級(jí)BSRD-2503方案，開(kāi)放參考設(shè)計(jì)、仿真模型和EMC優(yōu)化支持，解決客戶(hù)導(dǎo)入時(shí)的驅(qū)動(dòng)、熱仿真、電磁兼容等各類(lèi)實(shí)際難題，極大縮短項(xiàng)目驗(yàn)證周期。

3.3 驅(qū)動(dòng)與系統(tǒng)設(shè)計(jì)差異化分析

SiC相較IGBT，在驅(qū)動(dòng)、并聯(lián)、板級(jí)設(shè)計(jì)等方面具有根本性變化：

需要更高的柵壓和更小的寄生參數(shù)控制，強(qiáng)調(diào)-4V~+18V負(fù)壓關(guān)斷和高dV/dt能力；

板級(jí)布局強(qiáng)調(diào)“近距離+對(duì)稱(chēng)性”，減少開(kāi)關(guān)尖峰和環(huán)路電感損耗；

并聯(lián)能力增強(qiáng)，正溫度系數(shù)自然均流，易于實(shí)現(xiàn)高可靠并聯(lián)輸出；

驅(qū)動(dòng)與主控協(xié)同設(shè)計(jì)，利于LLC拓?fù)?、ANPC三電平等新一代高頻硬開(kāi)關(guān)架構(gòu)系統(tǒng)集成。

四、系統(tǒng)級(jí)效益與成本分析

4.1 高頻、高功率密度效應(yīng)帶來(lái)的系統(tǒng)革新

系統(tǒng)級(jí)損耗與功率密度是SiC替代IGBT的直接體現(xiàn)，如BASiC-BMF160R12RA3 50kW高頻感應(yīng)電源應(yīng)用案例：

導(dǎo)通損耗：SiC約為30W/IGBT約234W，降低87%；

開(kāi)關(guān)損耗：SiC約187W/IGBT約800W，降低76%；

總損耗：SiC約216W/IGBT超1034W，整體僅21%，系統(tǒng)效率提升顯著，壽命延長(zhǎng)且散熱需求銳減，適用更大功率密度場(chǎng)景。

高頻化帶來(lái)了模塊整體、散熱、磁性元件（如電感電容）體積減少，設(shè)備小型化程度達(dá)30~50%，極大節(jié)約了系統(tǒng)配套及空間成本。

4.2 成本優(yōu)化路徑與經(jīng)濟(jì)性提升

目前SiC模塊采購(gòu)成本已趨于IGBT或低于進(jìn)口IGBT，但其真正價(jià)值體現(xiàn)在全生命周期TCO（總擁有成本）優(yōu)化：

高效率直接降低能耗，年均運(yùn)行電費(fèi)節(jié)省5~20%；

體積小、散熱系統(tǒng)簡(jiǎn)化（風(fēng)冷可替代水冷），初裝成本下降5~10%；

高壽命、低故障率，運(yùn)維與更換成本降半；

投資回報(bào)周期（ROI）例證：儲(chǔ)能/光伏/工商業(yè)系統(tǒng)普遍縮短至1~2年，后續(xù)收益更快兌現(xiàn)；

隨著規(guī)?；?英寸晶圓國(guó)產(chǎn)突破，SiC模塊單價(jià)正持續(xù)逼近硅基器件，使大批量應(yīng)用經(jīng)濟(jì)性突破臨界點(diǎn)。

4.3 系統(tǒng)方案進(jìn)化與未來(lái)趨勢(shì)

隨著行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化，“平臺(tái)+模塊化”趨勢(shì)日益明顯。以致BASiC平臺(tái)為代表的行業(yè)新一代封裝，積極推動(dòng)通用封裝、工藝極簡(jiǎn)化和全工況適配，進(jìn)一步降低系統(tǒng)開(kāi)發(fā)與適配門(mén)檻；BASiC配套設(shè)計(jì)有效解決實(shí)際產(chǎn)品場(chǎng)景落地的問(wèn)題，推動(dòng)SiC大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化。

五、主流應(yīng)用場(chǎng)景的示范及落地案例

5.1 光伏逆變器應(yīng)用

全國(guó)產(chǎn)SiC光伏逆變器方案現(xiàn)已在工商業(yè)、分布式、集中式等場(chǎng)景廣泛落地。

SiC模塊（如BASiC B2M040120Z）替代傳統(tǒng)IGBT，支持60kHz至>100kHz高頻開(kāi)關(guān)，系統(tǒng)體積減半，滿(mǎn)載效率突破98.8%（高于IGBT方案2%），成為高端市場(chǎng)標(biāo)配；

支持主流三電平T型、ANPC等新型高效拓?fù)?，現(xiàn)場(chǎng)實(shí)測(cè)通過(guò)中國(guó)/歐盟等多項(xiàng)并網(wǎng)與EMC標(biāo)準(zhǔn)，兼容多路MPPT和分布式拓?fù)洌?/p>

逆變平臺(tái)尺寸大幅縮小，BOM與散熱成本合計(jì)下降超20%，助推大規(guī)模光伏平價(jià)上網(wǎng)進(jìn)程。

5.2 儲(chǔ)能變流器（PCS）的標(biāo)配升級(jí)

SiC模塊已成為國(guó)內(nèi)工商業(yè)儲(chǔ)能和電網(wǎng)/大規(guī)模儲(chǔ)能PCS的首選核心器件：

125kW及以上PCS，BASiC SiC模塊導(dǎo)入帶來(lái)能效提升12%、功率密度提升25%、系統(tǒng)體積降2550%，主要核心指標(biāo)顯著優(yōu)于IGBT；

實(shí)際場(chǎng)景中，PCS-PCS一體柜數(shù)量減少8-10臺(tái)，布設(shè)更緊湊，運(yùn)行費(fèi)用降低，年節(jié)電可達(dá)20萬(wàn)度以上；

維護(hù)周期倍增，可靠性與環(huán)境適應(yīng)性大幅提升，支持2000V及以上高壓系統(tǒng)，適配未來(lái)超大規(guī)模新能源場(chǎng)景。

5.3 高頻電鍍/感應(yīng)/焊接電源升級(jí)

高頻電鍍電源采用BASiC 62mm SiC模塊（如BMF160R12RA3）替代IGBT（如富士2MBI300HJ-120-50/英飛凌FF300R12KS4），導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗降低約60-80%，設(shè)備體積縮小30%，年電費(fèi)/運(yùn)維費(fèi)用節(jié)省可觀，成為電鍍、電泳、氫能制備等高耗能工業(yè)項(xiàng)目首選升級(jí)路徑；

在50kW高頻電源對(duì)比仿真中，SiC方案總損耗僅為傳統(tǒng)方案的30%，系統(tǒng)效率提升到98.4%，節(jié)能環(huán)保優(yōu)勢(shì)突出20；

SiC模塊可支持高達(dá)100~150kHz高頻，滿(mǎn)足焊機(jī)、電解等多變負(fù)載和復(fù)雜控制需求，拓寬了工業(yè)領(lǐng)域技術(shù)升級(jí)的廣度和深度。

5.4 新能源汽車(chē)主驅(qū)/電控/充電系統(tǒng)

六、供應(yīng)鏈安全、國(guó)家戰(zhàn)略與政策支撐

6.1 國(guó)產(chǎn)化率提升與產(chǎn)業(yè)安全

SiC模塊已覆蓋上游襯底、外延、中游芯片/模塊/驅(qū)動(dòng)、下游系統(tǒng)方案全鏈條；天岳先進(jìn)、三安光電、士蘭微、BASiC等頭部企業(yè)打破國(guó)際壟斷；

國(guó)產(chǎn)6英寸SiC襯底年均產(chǎn)能超100萬(wàn)片，8英寸正批量投產(chǎn)（國(guó)內(nèi)企業(yè)2024年出貨10萬(wàn)片），設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率持續(xù)提升，價(jià)格已至國(guó)際售價(jià)的35-60%；

SiC器件模塊國(guó)產(chǎn)化率2023年已達(dá)38.8%，在儲(chǔ)能、新能源汽車(chē)等領(lǐng)域突破50%，供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn)顯著降低。

6.2 國(guó)家戰(zhàn)略、政策創(chuàng)新與應(yīng)用推廣

十四五及多輪專(zhuān)項(xiàng)政策將第三代半導(dǎo)體列為戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)，明確提出SiC為重點(diǎn)攻關(guān)方向；

政策紅利：補(bǔ)貼、產(chǎn)業(yè)基金、技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)落地（如中國(guó)主導(dǎo)的IEC國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)）、優(yōu)先采購(gòu)權(quán)及稅收、金融支持等全方位推動(dòng)產(chǎn)業(yè)升級(jí)；

國(guó)內(nèi)頭部企業(yè)（BASiC、比亞迪半導(dǎo)、方正微等）批量中標(biāo)儲(chǔ)能、汽車(chē)、軌道交通等國(guó)家級(jí)項(xiàng)目，有效促進(jìn)自主可控和供應(yīng)鏈安全；

以車(chē)規(guī)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)向工業(yè)/儲(chǔ)能/電網(wǎng)場(chǎng)景外溢，為“雙碳”目標(biāo)下中國(guó)新型電力系統(tǒng)升級(jí)提供科技基礎(chǔ)底座。

6.3 國(guó)際格局下的中國(guó)機(jī)遇

SiC產(chǎn)業(yè)中國(guó)占全球晶圓產(chǎn)能比重由35%提升至2025年預(yù)計(jì)超60%，價(jià)格戰(zhàn)與規(guī)模化反向影響國(guó)際價(jià)格，逐步主導(dǎo)全球產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)與市場(chǎng)體系；

國(guó)內(nèi)SiC產(chǎn)業(yè)鏈專(zhuān)利年授權(quán)增速達(dá)58%，技術(shù)壁壘、標(biāo)準(zhǔn)規(guī)則制定能力大幅增強(qiáng)，為中國(guó)產(chǎn)業(yè)脫離“卡脖子”狀態(tài)提供戰(zhàn)略縱深。

七、傾佳電子與BASiC代理業(yè)務(wù)創(chuàng)新實(shí)踐

7.1 傾佳電子企業(yè)定位與市場(chǎng)服務(wù)

傾佳電子作為BASiC?官方授權(quán)一級(jí)代理，服務(wù)新能源、數(shù)字電力、交通電動(dòng)化等戰(zhàn)略新興行業(yè)，聚焦SiC MOSFET模塊應(yīng)用推廣及供應(yīng)鏈平臺(tái)打造，是中國(guó)SiC模塊全面替代IGBT的重要推動(dòng)者與創(chuàng)新者；

核心覆蓋產(chǎn)品線(xiàn)：光伏/儲(chǔ)能、工業(yè)電源、新能源汽車(chē)主驅(qū)/OBC、AI算力中心、高頻感應(yīng)、焊機(jī)、軌道交通等領(lǐng)域多系列標(biāo)準(zhǔn)模塊與分立器件，配套全棧驅(qū)動(dòng)IC、輔助電源芯片及連接器系統(tǒng)；

戰(zhàn)略服務(wù)體系：通過(guò)全國(guó)多地本地化工程支持、現(xiàn)貨調(diào)配、技術(shù)仿真和EMC服務(wù)，加速SiC應(yīng)用落地進(jìn)程，實(shí)現(xiàn)“器件+方案+交付”一體化賦能；

領(lǐng)先的方案推廣經(jīng)驗(yàn)獲BASiC“年度市場(chǎng)拓展進(jìn)步獎(jiǎng)”，典型項(xiàng)目實(shí)現(xiàn)行業(yè)首批量產(chǎn)導(dǎo)入。

7.2 技術(shù)推廣理念與生態(tài)協(xié)同創(chuàng)新

主張“技術(shù)替代+系統(tǒng)平臺(tái)化”，以BASiC第三代SiC產(chǎn)品為武器，推動(dòng)主流工業(yè)和新能源場(chǎng)景徹底革新傳統(tǒng)IGBT；

搭建“供應(yīng)鏈+工程服務(wù)”平臺(tái)，驅(qū)動(dòng)創(chuàng)新器件、智能驅(qū)動(dòng)、模塊化方案全鏈融合，催生降本增效的系統(tǒng)級(jí)價(jià)值；

積極聯(lián)合客戶(hù)、行業(yè)協(xié)會(huì)、院校機(jī)構(gòu)，推動(dòng)標(biāo)準(zhǔn)共創(chuàng)、產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同和全生命周期生態(tài)閉環(huán)；

著力推動(dòng)本土化、可信交付、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)的供應(yīng)鏈模式，借助平臺(tái)賦能加速?lài)?guó)產(chǎn)SiC模塊產(chǎn)業(yè)生態(tài)壯大，助力中國(guó)制造業(yè)高質(zhì)量躍遷。

八、市場(chǎng)趨勢(shì)、產(chǎn)業(yè)規(guī)模與未來(lái)展望

市場(chǎng)增速與規(guī)模：2023年全球SiC功率器件市場(chǎng)規(guī)模達(dá)30.59億美元，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)增速全球領(lǐng)先；預(yù)計(jì)2028年全球突破100億美元，產(chǎn)業(yè)年均復(fù)合增速達(dá)29%，主驅(qū)SiC市場(chǎng)滲透率持續(xù)提升；

價(jià)格下行與洗牌期到來(lái)：2025年國(guó)內(nèi)SiC市場(chǎng)進(jìn)入價(jià)格與產(chǎn)能雙重洗牌，6英寸模塊已低至1500元，8英寸降本提效加速產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化與龍頭集聚；

頭部企業(yè)脫穎而出：擁有材料、設(shè)計(jì)、封裝和產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同能力的龍頭企業(yè)將主導(dǎo)未來(lái)“中國(guó)方案”向國(guó)際市場(chǎng)反向輸出；

新應(yīng)用場(chǎng)景爆發(fā)：AI數(shù)據(jù)中心、軌道交通、氫能制備、新型電力系統(tǒng)等新領(lǐng)域帶動(dòng)SiC的多元化、智能化應(yīng)用，材料與工藝創(chuàng)新將成核心驅(qū)動(dòng)內(nèi)核；

終極目標(biāo)：實(shí)現(xiàn)SiC全線(xiàn)國(guó)產(chǎn)自主可控，從“進(jìn)口替代”躍升為“全球規(guī)則制定者與產(chǎn)業(yè)主導(dǎo)者”，讓國(guó)產(chǎn)SiC模塊成為綠色制造關(guān)鍵底座和全球低碳轉(zhuǎn)型中國(guó)貢獻(xiàn)新名片。

深圳市傾佳電子有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“傾佳電子”）是聚焦新能源與電力電子變革的核心推動(dòng)者：
傾佳電子成立于2018年，總部位于深圳福田區(qū)，定位于功率半導(dǎo)體與新能源汽車(chē)連接器的專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)商，業(yè)務(wù)聚焦三大方向：
新能源：覆蓋光伏、儲(chǔ)能、充電基礎(chǔ)設(shè)施；
交通電動(dòng)化：服務(wù)新能源汽車(chē)三電系統(tǒng)（電控、電池、電機(jī)）及高壓平臺(tái)升級(jí)；
數(shù)字化轉(zhuǎn)型：支持AI算力電源、數(shù)據(jù)中心等新型電力電子應(yīng)用。
公司以“推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC替代進(jìn)口、加速能源低碳轉(zhuǎn)型”為使命，響應(yīng)國(guó)家“雙碳”政策（碳達(dá)峰、碳中和），致力于降低電力電子系統(tǒng)能耗。
需求SiC碳化硅MOSFET單管及功率模塊，配套驅(qū)動(dòng)板及驅(qū)動(dòng)IC，請(qǐng)搜索傾佳電子楊茜

九、結(jié)論與主張

SiC模塊替代IGBT已成歷史必然。從材料性能到系統(tǒng)效益，從產(chǎn)業(yè)鏈安全到國(guó)家戰(zhàn)略，從工程驅(qū)動(dòng)到市場(chǎng)結(jié)構(gòu)，BASiC為代表的國(guó)產(chǎn)SiC模塊正在傾佳電子等業(yè)者推動(dòng)下完成電力電子產(chǎn)業(yè)的躍級(jí)升級(jí)。憑借高頻、高溫、低損耗、高集成度等維度的突出優(yōu)勢(shì)，BASiC SiC模塊已成為光伏、儲(chǔ)能、工業(yè)電源、新能源汽車(chē)等市場(chǎng)的首選核心元件。成本下行與系統(tǒng)高效協(xié)同推動(dòng)其全生命周期經(jīng)濟(jì)性不斷優(yōu)化，應(yīng)用難點(diǎn)正在配套方案創(chuàng)新與供應(yīng)鏈成熟中加速突破。

國(guó)家戰(zhàn)略與政策紅利驅(qū)動(dòng)中國(guó)率先實(shí)現(xiàn)第三代半導(dǎo)體“彎道超車(chē)”——國(guó)產(chǎn)SiC模塊全面替代IGBT不僅重塑電力電子格局，更奠定了中國(guó)制造業(yè)自主可控和全球產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)新優(yōu)勢(shì)。傾佳電子及BASiC的實(shí)踐，為實(shí)現(xiàn)“自主可控、綠色高效、規(guī)?？沙掷m(xù)”的電力電子新時(shí)代提供了系統(tǒng)性解決方案與樣板。

未來(lái)，隨著SiC生態(tài)體系完善及大尺寸晶圓、先進(jìn)封裝新技術(shù)落地，國(guó)產(chǎn)SiC模塊將在更多高端領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)技術(shù)引領(lǐng)和價(jià)值創(chuàng)造，成為中國(guó)新質(zhì)生產(chǎn)力戰(zhàn)略升級(jí)的重要力量和全球能源革命的制高點(diǎn)。

審核編輯 黃宇