傾佳電子交錯并聯(lián)（Interleaved Parallel）技術(shù)：原理、優(yōu)勢及其在SiC碳化硅MOSFET大功率應(yīng)用中的協(xié)同增效分析

傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源、電力電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。?

傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級！

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然，勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭：

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢！

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管和大于650V的高壓硅MOSFET的必然趨勢！

傾佳電子楊茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET單管全面取代SJ超結(jié)MOSFET和高壓GaN 器件的必然趨勢！

1. 引言：大功率電力電子轉(zhuǎn)換的時代挑戰(zhàn)與技術(shù)演進

1.1 功率轉(zhuǎn)換技術(shù)的發(fā)展趨勢

現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)正朝著高功率密度、高效率、高可靠性及小型化的方向快速演進。特別是在新能源汽車充電樁、光伏逆變器、工業(yè)儲能系統(tǒng)和高頻感應(yīng)加熱等大功率應(yīng)用場景中，對功率轉(zhuǎn)換器的性能要求達到了前所未有的高度。單一功率器件的性能瓶頸已成為制約系統(tǒng)功率提升的關(guān)鍵因素。為了滿足這些苛刻的需求，業(yè)界普遍采用兩種主要策略：一是采用更先進的寬禁帶半導(dǎo)體器件，二是利用多器件協(xié)同工作的拓撲結(jié)構(gòu)來突破單體限制。

1.2 寬禁帶半導(dǎo)體SiC MOSFET的崛起

碳化硅（SiC）MOSFET作為新一代寬禁帶半導(dǎo)體功率器件，因其卓越的物理特性，正在電力電子領(lǐng)域引發(fā)一場技術(shù)革命。相較于傳統(tǒng)的硅（Si）基功率器件，SiC MOSFET擁有更寬的禁帶寬度、更高的臨界電場強度和更高的熱導(dǎo)率，這使其具備了低導(dǎo)通電阻、極快的開關(guān)速度、極低的開關(guān)損耗以及更高的工作溫度承受能力。例如，基本半導(dǎo)體（BASiC）的BMF系列SiC MOSFET模塊，其結(jié)溫可高達175°C ，遠超傳統(tǒng)硅器件。這些特性使得SiC MOSFET特別適合在高頻、大功率密度、高溫等嚴苛環(huán)境下工作，為電力電子系統(tǒng)的小型化和高效化提供了堅實的器件基礎(chǔ) 。

1.3 交錯并聯(lián)技術(shù)：從功率擴展到性能優(yōu)化的關(guān)鍵策略

交錯并聯(lián)（Interleaved Parallel）技術(shù)是一種將多個相同的功率轉(zhuǎn)換器并聯(lián)運行，并通過相移控制信號使其交替工作的拓撲。該技術(shù)不僅能簡單地實現(xiàn)功率擴展，更重要的是，它能夠從系統(tǒng)層面優(yōu)化性能，解決大功率應(yīng)用中的諸多難題。當交錯并聯(lián)與SiC MOSFET結(jié)合時，其角色已不僅僅是簡單的功率疊加，而是通過拓撲結(jié)構(gòu)上的巧妙設(shè)計，有效解決SiC器件在應(yīng)用中面臨的固有挑戰(zhàn)，從而將SiC的性能優(yōu)勢發(fā)揮到極致，實現(xiàn)系統(tǒng)性能的質(zhì)的飛躍。

2. 交錯并聯(lián)技術(shù)的核心原理與固有優(yōu)勢的深度剖析

2.1 技術(shù)溯源與基本拓撲原理

2.1.1 起源與基本概念

交錯并聯(lián)技術(shù)在電力電子領(lǐng)域已有廣泛應(yīng)用，尤其是在高功率的DC/DC變換器和功率因數(shù)校正（PFC）電路中。其核心思想是將多個完全相同的功率轉(zhuǎn)換器（稱為“相”或“通道”）并聯(lián)起來，并通過對每個通道的控制信號進行等角度的相移，使其在時間上交替導(dǎo)通 。這種方法將總功率需求分散到多個小功率通道上，從而實現(xiàn)總功率的擴展。

2.1.2 工作原理

交錯并聯(lián)的核心機制是利用多個頻率相同但相位相差360°/n的脈寬調(diào)制（PWM）信號來控制n個并聯(lián)的功率支路（相），使其交錯導(dǎo)通 。以兩相交錯并聯(lián)Boost變換器為例，其兩個支路使用相位相差180度的PWM信號控制，從而使兩相電流脈沖在時間上交錯，實現(xiàn)平滑的功率傳輸 。這種相移控制模式是大功率系統(tǒng)中實現(xiàn)性能優(yōu)化的基礎(chǔ)。

2.2 核心優(yōu)勢一：紋波抵消機制與濾波器小型化

交錯并聯(lián)技術(shù)最引人注目的優(yōu)勢之一是其固有的紋波抵消能力。在多相交錯并聯(lián)拓撲中，每個支路產(chǎn)生的開關(guān)脈沖電流，在總輸入或輸出端會因相位差而相互疊加。由于電流脈沖的相位是錯開的，它們在很大程度上會相互抵消。這種抵消機制使得總電流的紋波頻率成倍提高，而紋波幅值則顯著降低 。

在某些特定占空比條件下，甚至可以實現(xiàn)“零紋波電流” 。紋波電流的顯著減小意味著輸入和輸出濾波器所需的電感和電容的容量可以大幅降低 。例如，在多相Buck變換器中，交錯并聯(lián)可以減小輸入濾波電容的用量，并延長其壽命 。這不僅直接帶來了系統(tǒng)體積和重量的減小，也降低了制造成本，從而顯著提升了系統(tǒng)的功率密度 。

這種紋波抵消的深層價值，遠不止于濾波器尺寸的縮小。首先，更小的電感可以使電源在負載變化時更快地響應(yīng)，從而提高瞬態(tài)響應(yīng)速度 。這是為高性能微處理器供電等對動態(tài)響應(yīng)有極高要求的應(yīng)用場景所必需的。交錯并聯(lián)通過其拓撲優(yōu)勢，在不犧牲穩(wěn)態(tài)紋波性能的前提下，允許設(shè)計者使用更小的電感，從而優(yōu)化了系統(tǒng)的動態(tài)性能。其次，這一優(yōu)勢與SiC MOSFET的高頻特性形成了完美的協(xié)同。SiC器件本身就具備極低的開關(guān)損耗，使其能夠工作在更高的開關(guān)頻率。交錯并聯(lián)在此基礎(chǔ)上，通過拓撲層面將紋波頻率再次成倍提升，進一步壓縮了濾波器元件的尺寸，實現(xiàn)了系統(tǒng)性能的指數(shù)級優(yōu)化。

2.3 核心優(yōu)勢二：功率的分布式傳輸與熱管理優(yōu)化

在大功率應(yīng)用中，熱量管理是決定系統(tǒng)可靠性和壽命的關(guān)鍵因素。交錯并聯(lián)拓撲通過將總功率流分散到多個并聯(lián)的功率支路中，有效地將總電流應(yīng)力分布到多個器件上 。每個開關(guān)管只需處理總電流的一部分，從而顯著降低了單個器件的電流應(yīng)力，避免了因電流集中而導(dǎo)致的過熱現(xiàn)象 。

功率損耗在物理空間上的均勻分布，極大地簡化了熱設(shè)計 。它避免了熱量在單個器件上集中形成“熱點”，從而降低了散熱的難度和成本。這種分布式散熱的理念與某些先進的散熱器結(jié)構(gòu)設(shè)計，如交錯翅片和并聯(lián)散熱流道，不謀而合，通過在結(jié)構(gòu)上實現(xiàn)熱量分流，增強了整體的散熱效果 。

這種分布式散熱的價值，也體現(xiàn)在多個層面。首先，它不僅能提高系統(tǒng)能效，更重要的是可以提升系統(tǒng)的長期可靠性。SiC器件的結(jié)溫（Tvj?）是其壽命和可靠性的關(guān)鍵指標。通過有效的熱管理，可以使器件工作在更低的結(jié)溫下，從而延長其使用壽命，并提高在極端工況下的魯棒性。其次，功率的分散使得設(shè)計者可以采用更常規(guī)、更具成本效益的散熱方案，而不是依賴于昂貴的、定制化的超大或特殊散熱器，從而在系統(tǒng)層面平衡性能、可靠性和成本。例如，多相變換器將電流應(yīng)力分布到多個相位，使得熱耗散和功率損耗更易于管理 。

2.4 核心優(yōu)勢三：模塊化、冗余與輕載效率提升

交錯并聯(lián)拓撲天然支持模塊化設(shè)計，這使得系統(tǒng)易于進行功率擴展和維護，提高了系統(tǒng)的可制造性和可靠性 。當需要更高功率時，只需增加并聯(lián)的功率通道即可。此外，它還能夠?qū)崿F(xiàn)在線熱備份，進一步提升系統(tǒng)的可用性。

在系統(tǒng)輕載工作時，交錯并聯(lián)的優(yōu)勢尤為突出。通過減少并聯(lián)工作的通道數(shù)，可以有效地消除不工作通道的開關(guān)和導(dǎo)通損耗，從而提高整體效率 。這種“按需工作”的策略使得變換器能夠在整個負載范圍內(nèi)實現(xiàn)高效率，進一步提升了系統(tǒng)性能。

3. SiC MOSFET的獨特特性與直接硬并聯(lián)的內(nèi)在缺陷

3.1 SiC器件的電學(xué)與熱學(xué)特性

SiC MOSFET憑借其優(yōu)異的材料特性，在大功率應(yīng)用中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢。

高速開關(guān)能力： SiC器件具備極快的開關(guān)速度和極低的開關(guān)損耗，這使其能夠在兆赫茲（MHz）甚至更高的頻率下工作 。

熱學(xué)性能： SiC器件能承受高達175°C的結(jié)溫，這為高功率密度設(shè)計提供了可能 。然而，其導(dǎo)通電阻（ RDS(on)?）隨溫度的升高而增大，這一正向溫度系數(shù)在一定程度上利于靜態(tài)電流的被動均衡 。

3.2 直接硬并聯(lián)的致命缺陷

盡管SiC MOSFET性能卓越，但當多個分立器件直接硬并聯(lián)以實現(xiàn)大功率輸出時，會面臨一系列嚴峻挑戰(zhàn)，這些挑戰(zhàn)主要源于器件的制造離散性和電路的寄生參數(shù)。

3.2.1 靜態(tài)電流不均衡

由于生產(chǎn)工藝的限制，多個SiC MOSFET的門極閾值電壓（VGS(th)?）和導(dǎo)通電阻（RDS(on)?）無法做到完全一致。當這些器件直接并聯(lián)時，這些參數(shù)的微小差異會導(dǎo)致在導(dǎo)通狀態(tài)下，不同器件所承載的電流不均勻 。雖然SiC的正向R_{DS(on)}溫度系數(shù)有助于在溫升后進行一定程度的電流再分配，但這并不能從根本上解決初始的均流問題，若離散性過大，仍然可能導(dǎo)致某些器件過載，影響系統(tǒng)可靠性。

3.2.2 動態(tài)電流不均衡

這是SiC器件直接硬并聯(lián)中最具破壞性的問題。在器件的開關(guān)瞬間，由于PCB走線和封裝內(nèi)部的寄生電感（Lσ?）和電容（Ciss?, Crss?）無法做到完全匹配 ，不同器件的開關(guān)速度會存在差異。例如，基本半導(dǎo)體BMF120R12RB3模塊的雜散電感 Lσ?為40nH ，而BMF240R12E2G3模塊則為20nH ，這說明封裝設(shè)計對寄生電感有顯著影響。這些不匹配的寄生參數(shù)會導(dǎo)致器件在同一納秒級瞬間無法同步開關(guān)，從而產(chǎn)生嚴重的動態(tài)電流不均衡 。動態(tài)不均衡會使某些器件在極短時間內(nèi)承受遠超其額定值的電流尖峰，直接導(dǎo)致器件損壞 。此外，高di/dt和寄生參數(shù)的交互作用還會引發(fā)嚴重的電壓尖峰和振蕩，威脅到系統(tǒng)的電磁兼容性（EMI）和長期穩(wěn)定性 。

3.2.3 門極驅(qū)動面臨的挑戰(zhàn)

SiC MOSFET的高速開關(guān)特性也對其門極驅(qū)動提出了特殊要求。

米勒效應(yīng)（Miller Effect）： SiC器件在關(guān)斷時，其漏極-源極電壓（Vds?）會快速上升，產(chǎn)生極高的dVds?/dt。這個快速變化的電壓會通過器件內(nèi)部的米勒電容（$C_{rss}$或$C_{gd}$）向門極注入電流，從而在相鄰器件的門極上產(chǎn)生電壓尖峰，甚至可能導(dǎo)致其意外誤導(dǎo)通，形成災(zāi)難性的直通短路 。

短路保護： 在大功率應(yīng)用中，短路故障的瞬態(tài)電流巨大且上升速度極快，需要具備快速、可靠的短路保護機制來防止器件損壞 。

4. 交錯并聯(lián)技術(shù)如何解決SiC硬并聯(lián)劣勢并實現(xiàn)性能飛躍

交錯并聯(lián)技術(shù)與SiC MOSFET的結(jié)合，并非簡單的性能疊加，而是一種系統(tǒng)級的協(xié)同增效策略。該拓撲的結(jié)構(gòu)優(yōu)勢，能夠從根本上解決SiC器件在直接并聯(lián)時面臨的諸多挑戰(zhàn)，從而將SiC的高性能潛力完全釋放。

4.1 核心矛盾的消解：動態(tài)均流問題的根本解決

交錯并聯(lián)技術(shù)通過其相移工作模式，從根本上消除了SiC直接硬并聯(lián)時最危險的動態(tài)電流不均衡問題 。在交錯并聯(lián)拓撲中，任何一個時刻，只有一個功率支路處于開關(guān)轉(zhuǎn)換狀態(tài)，而其他支路則要么處于完全導(dǎo)通，要么處于完全關(guān)斷狀態(tài)。這意味著多個SiC器件不會在同一納秒級瞬間同時經(jīng)歷高di/dt和高dV/dt的嚴苛挑戰(zhàn)。通過這種拓撲設(shè)計，交錯并聯(lián)將高難度的動態(tài)均流問題，有效地降維為相對易于管理的靜態(tài)電流均流問題。靜態(tài)均流問題可以通過器件篩選、調(diào)整門極電阻，或利用SiC器件固有的正向?qū)娮铚囟认禂?shù)來有效緩解，從而避免了因動態(tài)不均而導(dǎo)致的器件損壞。

4.2 交錯并聯(lián)與SiC專用門極驅(qū)動的協(xié)同作用

交錯并聯(lián)拓撲的每個獨立支路都配備了專用的門極驅(qū)動器，這使得每個SiC器件的門極控制可以被精確且獨立地管理。這種獨立控制機制，能夠與SiC專用門極驅(qū)動器的高級保護功能完美配合，有效應(yīng)對SiC器件單體固有的電學(xué)挑戰(zhàn)。

以基本半導(dǎo)體（BASiC）的BTD5452R智能隔離型門極驅(qū)動器為例，其功能可為交錯并聯(lián)系統(tǒng)提供堅實可靠的保障 。

有源米勒鉗位（Active Miller Clamp）： 該驅(qū)動器集成了有源米勒鉗位功能，可在SiC MOSFET關(guān)斷時，當其門極電壓降至1.8V（相對于VEE）以下時自動激活。此時，門極鉗位引腳（CLAMP）將提供高達1A的鉗位電流，形成一個低阻抗路徑，有效吸收米勒電流，從而抑制高dVds?/dt引起的門極電壓尖峰，防止器件誤導(dǎo)通 。這對于高速開關(guān)的交錯并聯(lián)系統(tǒng)至關(guān)重要。

軟關(guān)斷（Soft Shutdown）： BTD5452R驅(qū)動器具備退飽和（DESAT）短路保護功能。當檢測到短路故障（DESAT電壓大于9V）時，它會啟動軟關(guān)斷程序，以150mA的受控電流將門極緩慢關(guān)斷，而不是突然硬關(guān)斷 。這種受控的關(guān)斷方式能夠有效限制短路電流的di/dt，避免產(chǎn)生毀滅性的電壓尖峰，從而保護器件和整個系統(tǒng) 。

4.3 封裝技術(shù)對交錯并聯(lián)的貢獻：從分立器件到功率模塊

封裝技術(shù)是實現(xiàn)交錯并聯(lián)高性能的物理基礎(chǔ)。分立器件（如TO-247-4）的挑戰(zhàn)在于，多個器件并聯(lián)時，PCB走線會引入不可控的、不匹配的寄生電感，加劇動態(tài)不均衡問題。而功率模塊通過內(nèi)部集成，從物理層面解決了這一問題。

提供的技術(shù)資料中，基本半導(dǎo)體的BMF系列SiC功率模塊采用先進的封裝技術(shù)，為交錯并聯(lián)提供了理想的物理平臺。

低寄生電感設(shè)計： 功率模塊將多個SiC芯片集成到優(yōu)化的低寄生電感布局中，顯著降低了內(nèi)部雜散電感。例如，BMF240R12E2G3的雜散電感為20nH，低于BMF120R12RB3的40nH 。

卓越的熱管理： 這些模塊通常采用氮化硅（Si3?N4?）陶瓷基板和銅基板，提供了優(yōu)異的導(dǎo)熱性能，顯著降低了結(jié)到殼的熱阻（Rth(j?c)?）。例如，BMF540R12KA3的熱阻典型值為0.07 K/W ，為交錯并聯(lián)的分布式熱管理提供了最佳物理平臺。

5. 實證分析與設(shè)計考量：基于數(shù)據(jù)的論證

為了更直觀地展示SiC功率模塊在交錯并聯(lián)應(yīng)用中的優(yōu)勢，本報告對基本半導(dǎo)體系列器件和驅(qū)動器的關(guān)鍵參數(shù)進行了整理和對比。

5.1 表格一：基本半導(dǎo)體SiC功率模塊核心參數(shù)對比

下表直觀地展示了基本半導(dǎo)體BMF系列SiC功率模塊在不同電流等級下的性能參數(shù)，為設(shè)計者進行器件選型提供了重要參考。

*注：部分數(shù)據(jù)在不同溫度下測得，因此不能直接線性對比，但可反映其整體性能趨勢。

從表格中可以看出，隨著額定電流的增大，SiC功率模塊的導(dǎo)通電阻和熱阻呈下降趨勢。熱阻的顯著降低，特別是大電流模塊，為交錯并聯(lián)拓撲的分布式熱管理提供了優(yōu)異的物理基礎(chǔ)。

5.2 表格二：SiC分立器件與功率模塊性能基礎(chǔ)對比

為了說明封裝技術(shù)在交錯并聯(lián)中的重要性，我們對比了一款分立器件（B3M013C120Z）和一款功率模塊（BMF540R12KA3）的關(guān)鍵電學(xué)參數(shù)。

這個對比清楚地說明，功率模塊通過高集成度的封裝，從物理上解決了分立器件并聯(lián)時由于PCB走線和器件離散性帶來的寄生參數(shù)不匹配問題。模塊的低熱阻也為交錯并聯(lián)拓撲的分布式熱管理提供了最佳平臺，從而實現(xiàn)更高功率密度和可靠性。

5.3 表格三：BTD5452R門極驅(qū)動器關(guān)鍵保護功能概覽

SiC專用門極驅(qū)動器在交錯并聯(lián)系統(tǒng)中的作用不可或缺。以下是BTD5452R驅(qū)動器的關(guān)鍵保護功能，這些功能直接解決了SiC器件的固有挑戰(zhàn)。

這些保護功能在交錯并聯(lián)的每個獨立支路中發(fā)揮作用，為整個大功率系統(tǒng)提供了分級的、獨立的、高可靠性的保護，是實現(xiàn)SiC器件性能最大化的關(guān)鍵。

5.4 PCB布局與熱設(shè)計建議

在交錯并聯(lián)SiC MOSFET的設(shè)計中，除了器件和驅(qū)動器的選擇，PCB布局和熱設(shè)計也至關(guān)重要。建議采取以下措施：

最小化驅(qū)動回路和功率回路面積： 驅(qū)動回路的寄生電感會影響開關(guān)速度和門極振蕩，而功率回路的寄生電感則會產(chǎn)生電壓尖峰。通過將柵極驅(qū)動器盡可能靠近SiC功率模塊放置，并優(yōu)化走線，可以最大限度地減小這些寄生電感 。

使用低ESR/ESL的旁路電容： 將旁路電容盡可能靠近器件的電源引腳放置，以實現(xiàn)高頻濾波，抑制振鈴 。

優(yōu)化散熱路徑： 對于功率模塊，應(yīng)在PCB上使用大面積的覆銅以提供有效的散熱路徑，并避免在驅(qū)動芯片下方走線，以確保原副方隔離性能 。

6. 結(jié)論與展望

6.1 總結(jié)交錯并聯(lián)技術(shù)的核心價值

深圳市傾佳電子有限公司（簡稱“傾佳電子”）是聚焦新能源與電力電子變革的核心推動者：
傾佳電子成立于2018年，總部位于深圳福田區(qū)，定位于功率半導(dǎo)體與新能源汽車連接器的專業(yè)分銷商，業(yè)務(wù)聚焦三大方向：
新能源：覆蓋光伏、儲能、充電基礎(chǔ)設(shè)施；
交通電動化：服務(wù)新能源汽車三電系統(tǒng)（電控、電池、電機）及高壓平臺升級；
數(shù)字化轉(zhuǎn)型：支持AI算力電源、數(shù)據(jù)中心等新型電力電子應(yīng)用。
公司以“推動國產(chǎn)SiC替代進口、加速能源低碳轉(zhuǎn)型”為使命，響應(yīng)國家“雙碳”政策（碳達峰、碳中和），致力于降低電力電子系統(tǒng)能耗。
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交錯并聯(lián)技術(shù)在大功率SiC MOSFET應(yīng)用中展現(xiàn)出非凡的價值。它不僅僅是一種功率擴展手段，更是解決SiC固有缺陷、充分發(fā)揮其高頻高速優(yōu)勢的系統(tǒng)級策略。通過將SiC器件的低損耗和高開關(guān)頻率特性與交錯并聯(lián)的拓撲優(yōu)勢相結(jié)合，系統(tǒng)設(shè)計者能夠從多個維度實現(xiàn)性能突破：

動態(tài)均流： 交錯并聯(lián)從根本上消除了SiC硬并聯(lián)中最危險的動態(tài)電流不均衡問題，將設(shè)計難點降維為可控的靜態(tài)均流。

性能優(yōu)化： 紋波抵消機制使得濾波器尺寸大幅減小，從而提高了系統(tǒng)的功率密度、降低了成本，并提升了動態(tài)響應(yīng)速度。

熱管理： 功率的分布式傳輸有效解決了SiC器件的熱點問題，簡化了散熱設(shè)計，并顯著提高了系統(tǒng)可靠性和壽命。

協(xié)同增效： 結(jié)合帶有有源米勒鉗位和軟關(guān)斷等高級保護功能的SiC專用門極驅(qū)動器，交錯并聯(lián)拓撲為每個SiC器件提供了獨立且強大的保護，確保了系統(tǒng)在高速、大功率運行下的穩(wěn)定性和魯棒性。

6.2 技術(shù)融合的未來趨勢

展望未來，交錯并聯(lián)、先進門極驅(qū)動和高集成度模塊化封裝三者的深度融合，將是實現(xiàn)下一代高效、可靠、高功率密度電力電子系統(tǒng)的必然趨勢。隨著SiC器件技術(shù)的不斷成熟，封裝技術(shù)和驅(qū)動芯片的創(chuàng)新將繼續(xù)降低寄生參數(shù)和增強保護功能。交錯并聯(lián)作為一種成熟且高效的拓撲，將持續(xù)作為寬禁帶半導(dǎo)體器件在大功率應(yīng)用中不可或缺的基石，共同推動電力電子技術(shù)的持續(xù)進步。

審核編輯 黃宇