UCC2773x 是一款 700V 半橋柵極驅(qū)動器，具有 3.5A 源電流和 4A 灌電流能力，適用于驅(qū)動功率 MOSFET 和 IGBT。該器件由一個接地基準(zhǔn)通道 （LO） 和一個浮動通道 （HO） 組成，設(shè)計用于驅(qū)動半橋配置的 MOSFET 和使用自舉電源工作的 IGBT。該器件具有強(qiáng)大的驅(qū)動功能，具有出色的噪聲和瞬態(tài)抗擾度，包括其輸入端的大負(fù)電壓容限、高 dV/dt 容差、開關(guān)節(jié)點(diǎn) （HS） 上的寬負(fù)瞬態(tài)安全工作區(qū) （NTSOA） 和互鎖。
*附件：ucc27735.pdf

該器件接受 10V 至 21V 的寬偏置電源輸入，并為 VDD 和 HB 偏置電源引腳提供 UVLO 保護(hù)。UCC2773x 采用多種封裝，額定工作溫度范圍為 –40°C 至 150°C。

特性

• 高側(cè)、低側(cè)配置，具有獨(dú)立輸入
• 最大自舉電壓為 +700V（HB 引腳）
• 4A 灌電流峰值輸出電流，3.5A 源電流
• 典型 32ns 傳播延遲
• HO/LO之間的傳播延遲匹配在最大6ns以內(nèi)
• VDD 偏置電源范圍為 10V 至 21V
• 能夠處理 –6V 的輸入引腳
• 專為引導(dǎo)作而設(shè)計的浮動通道
• HS引腳上最大共模瞬態(tài)抗擾度為200V/ns
• 輸入聯(lián)鎖功能（UCC2773x）
• 兩個通道均內(nèi)置 8V 欠壓鎖定 （UVLO）
• SOIC 14引腳封裝，SOIC 8引腳封裝

參數(shù)

方框圖

?1. 核心特性?

• ?高壓驅(qū)動能力?：支持最大700V自舉電壓（HB引腳），200V/ns共模瞬態(tài)抗擾度（HS引腳）。
• ?高性能輸出?：峰值輸出電流4A（灌電流）/3.5A（源電流），傳播延遲低至32ns（典型值），通道間延遲匹配≤6ns。
• ?寬電壓范圍?：VDD偏置電壓10V-21V，兼容TTL/CMOS輸入邏輯。
• ?保護(hù)功能?：
  • 雙通道欠壓鎖定（UVLO）：監(jiān)測VDD與HB電壓。
  • 輸入互鎖功能：防止上下管直通。
  • 負(fù)瞬態(tài)安全工作區(qū)（NTSOA）：HS引腳支持-9V瞬態(tài)（HB-HS=12V時）。
• ?封裝選項?：SOIC-8（UCC27734）和SOIC-14（UCC27735），后者支持EN引腳快速關(guān)斷。

?2. 應(yīng)用場景?

• ?新能源?：電動汽車充電器（OBC）、儲能系統(tǒng)（BESS）的DC/AC轉(zhuǎn)換。
• ?工業(yè)電源?：服務(wù)器/電信電源、白色家電PFC及電機(jī)驅(qū)動。
• ?橋式拓?fù)?/strong>?：半橋/全橋LLC、移相全橋、雙晶體管正激變換器。

?3. 關(guān)鍵設(shè)計要點(diǎn)?

• ?自舉電路?：
  • 推薦CBOOT≥10倍柵極電容（典型值100nF），DBOOT選用快恢復(fù)二極管。
  • 可選RBOOT（如2.2Ω）限制充電電流。
• ?布局優(yōu)化?：
  • 縮短HO/LO至MOSFET的走線，降低寄生電感。
  • VDD與HB引腳就近放置低ESR陶瓷電容（如1μF X7R）。
• ?柵極電阻?：典型值3.01Ω，平衡開關(guān)速度與振鈴抑制。

?4. 功耗與效率?

• ?動態(tài)損耗主導(dǎo)?：驅(qū)動87nC柵極電荷的MOSFET時，總損耗≈111mW（100kHz開關(guān)頻率）。
• ?靜態(tài)損耗?：靜態(tài)電流低至150μA（VDD=15V時）。

?總結(jié)?：UCC2773x系列是專為高壓、高噪聲環(huán)境設(shè)計的半橋驅(qū)動器，適用于汽車和工業(yè)應(yīng)用，兼具高開關(guān)速度與魯棒性，文檔提供了從選型到布板的完整工程指導(dǎo)。