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?DRV8300-Q1 三相BLDC柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)

科技綠洲 ? 2025-10-13 17:23 ? 次閱讀
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DRV8300 -Q1 是 100V 三半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè) N 溝道功率 MOSFET。DRV8300 -Q1 使用集成自舉二極管和用于高側(cè) MOSFET 的外部電容器產(chǎn)生正確的柵極驅(qū)動(dòng)電壓。GVDD 用于為低側(cè) MOSFET 產(chǎn)生柵極驅(qū)動(dòng)電壓。柵極驅(qū)動(dòng)架構(gòu)支持峰值高達(dá)750mA的源電流和1.5A的灌電流。
*附件:drv8300-q1.pdf

相位引腳 SHx 能夠承受顯著的負(fù)電壓瞬變;而高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器電源 BSTx 和 GHx 能夠支持更高的正電壓瞬變 (115V) abs 最大電壓,從而提高系統(tǒng)的穩(wěn)健性。小傳播延遲和延遲匹配規(guī)格最大限度地減少了死區(qū)時(shí)間要求,從而進(jìn)一步提高了效率。通過(guò) GVDD 和 BST 欠壓鎖定為低側(cè)和高側(cè)提供欠壓保護(hù)。

特性

  • 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn),適用于汽車應(yīng)用
    • 溫度等級(jí) 1:–40°C ≤ TA ≤ 125°C
  • 100V 三相半橋柵極驅(qū)動(dòng)器
    • 驅(qū)動(dòng) N 溝道 MOSFET (NMOS)
    • 柵極驅(qū)動(dòng)器電源 (GVDD):5-20 V
    • MOSFET 電源 (SHx) 支持高達(dá) 100 V
  • 集成自舉二極管
  • Bootstrap 柵極驅(qū)動(dòng)架構(gòu)
    • 750mA 源電流
    • 1.5A 灌電流
  • 支持高達(dá) 48V 的汽車系統(tǒng)
  • SHx 引腳上的低漏電流 (<55 μA)
  • 絕對(duì)最大 BSTx 電壓高達(dá) 115V
  • 在 SHx 上支持高達(dá) -22V 的負(fù)瞬變
  • 內(nèi)置交叉?zhèn)鲗?dǎo)預(yù)防
  • 固定死區(qū)時(shí)間插入 215 ns
  • 支持 3.3V 和 5V 邏輯輸入,最大 20 V 絕對(duì)值
  • 4 nS典型傳播延遲匹配
  • 緊湊的 TSSOP 封裝
  • 使用電源塊進(jìn)行高效的系統(tǒng)設(shè)計(jì)
  • 集成保護(hù)功能
    • BST 欠壓鎖定 (BSTUV)
    • GVDD 欠壓 (GVDDUV)

參數(shù)

image.png

方框圖

image.png
?1. 核心特性?

  • ?汽車級(jí)認(rèn)證?:符合AEC-Q100 Grade 1標(biāo)準(zhǔn)(-40°C至125°C工作溫度)。
  • ?高壓驅(qū)動(dòng)?:支持100V三相半橋驅(qū)動(dòng),集成自舉二極管,柵極驅(qū)動(dòng)電源(GVDD)范圍5-20V。
  • ?驅(qū)動(dòng)能力?:750mA源電流/1.5A灌電流,支持48V汽車系統(tǒng),耐受-22V負(fù)瞬態(tài)電壓。
  • ?保護(hù)功能?:自舉欠壓鎖存(BSTUV)、GVDD欠壓保護(hù)(GVDDUV),內(nèi)置交叉導(dǎo)通預(yù)防和215ns固定死區(qū)時(shí)間。

?2. 關(guān)鍵參數(shù)?

  • ?電氣特性?:
    • 邏輯輸入兼容3.3V/5V,傳播延遲匹配±4ns。
    • 自舉二極管正向壓降0.7V(典型值),動(dòng)態(tài)電阻15Ω。
  • ?熱性能?:TSSOP封裝結(jié)至環(huán)境熱阻97.4°C/W。

?3. 應(yīng)用場(chǎng)景?

  • 電動(dòng)自行車/滑板車、壓縮機(jī)、汽車風(fēng)扇、HVAC鼓風(fēng)機(jī)等48V工業(yè)及汽車系統(tǒng)。

?4. 功能模塊?

  • ?柵極驅(qū)動(dòng)?:非反相邏輯輸入,獨(dú)立高低側(cè)控制,支持PWM頻率達(dá)200kHz。
  • ?電源管理?:需外接自舉電容(推薦100nF)和GVDD電容(≥1μF)。

?5. 封裝與版本?

  • ?封裝?:20引腳TSSOP(6.4mm×4.4mm),帶PowerPAD散熱焊盤(pán)。
  • ?保護(hù)機(jī)制?:故障時(shí)自動(dòng)進(jìn)入高阻態(tài),電壓恢復(fù)后自啟動(dòng)。

?6. 設(shè)計(jì)建議?

  • ?布局?:縮短GHx/SHx/GLx走線,降低寄生電感;GVDD和自舉電容需就近放置。
  • ?典型電路?:需搭配外部MOSFET(如CSD19532Q5B)和電流檢測(cè)放大器
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