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DRV8350F三相智能柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)

科技綠洲 ? 2025-10-15 10:44 ? 次閱讀
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DRV835xF 系列器件是高度集成的柵極驅(qū)動(dòng)器,適用于三相無刷直流 (BLDC電機(jī)應(yīng)用。這些器件型號(hào)提供可選的集成電流分流放大器,以支持不同的電機(jī)控制方案。

DRV835xF 使用智能柵極驅(qū)動(dòng) (SGD) 架構(gòu)來減少 MOSFET 壓擺率控制和保護(hù)電路通常所需的外部元件數(shù)量。SGD 架構(gòu)還優(yōu)化了死區(qū)時(shí)間以防止擊穿情況,通過 MOSFET 壓擺率控制靈活地降低電磁干擾 (EMI),并通過 V 防止柵極短路情況GS的顯示器。強(qiáng)大的柵極下拉電路有助于防止不必要的 dV/dt 寄生柵導(dǎo)通事件
*附件:drv8350f.pdf

支持各種PWM控制模式(6x、3x、1x和獨(dú)立),以便與外部控制器進(jìn)行簡(jiǎn)單接口。這些模式可以減少控制器對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器PWM控制信號(hào)所需的輸出數(shù)量。該系列器件還包括 1x PWM 模式,用于使用內(nèi)部模塊換向表對(duì) BLDC 電機(jī)進(jìn)行簡(jiǎn)單的傳感器梯形控制。

特性

  • 9 至 100V,三重半橋柵極驅(qū)動(dòng)器
    • 可選三重低側(cè)電流分流放大器
  • 功能安全質(zhì)量管理
    • 可用于幫助 IEC 61800-5-2 功能安全系統(tǒng)設(shè)計(jì)的文檔
  • 智能門驅(qū)動(dòng)架構(gòu)
    • 可調(diào)節(jié)壓擺率控制,實(shí)現(xiàn) EMI 性能
    • VGS的握手和最小死區(qū)時(shí)間插入,以防止擊穿
    • 50 mA 至 1 A 峰值源電流
    • 100mA 至 2A 峰值灌電流
    • 通過強(qiáng)下拉緩解 dV/dt
  • 集成柵極驅(qū)動(dòng)器電源
  • 集成三電流分流放大器
    • 可調(diào)增益 (5、10、20、40 V/V)
    • 雙向或單向支持
  • 6x、3x、1x 和獨(dú)立 PWM 模式
    • 支持 120° 傳感器作
  • 提供 SPI 或硬件接口
  • 低功耗睡眠模式(V 時(shí)為 20 μA 虛擬機(jī) = 48-V)
  • 集成保護(hù)功能
    • VM 欠壓鎖定 (UVLO)
    • 柵極驅(qū)動(dòng)電源欠壓 (GDUV)
    • MOSFET VDS過流保護(hù) (OCP)
    • MOSFET 擊穿預(yù)防
    • 柵極驅(qū)動(dòng)器故障 (GDF)
    • 熱警告和關(guān)斷 (OTW/OTSD
    • 故障狀態(tài)指示器 (nFAULT)

參數(shù)

image.png

方框圖
image.png

?1. 核心特性?

  • ?高集成度?
    • 集成3個(gè)半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,支持9-100V寬電壓范圍,峰值驅(qū)動(dòng)電流1A(源)/2A(吸)。
    • 可選集成3路低側(cè)電流檢測(cè)放大器(DRV8353F),增益可調(diào)(5/10/20/40 V/V)。
  • ?智能柵極驅(qū)動(dòng)架構(gòu)?
    • 動(dòng)態(tài)調(diào)整MOSFET開關(guān)速率(IDRIVE可調(diào)),優(yōu)化EMI和死區(qū)時(shí)間,防止直通。
    • 強(qiáng)下拉電路抑制dV/dt導(dǎo)致的寄生導(dǎo)通。
  • ?靈活供電設(shè)計(jì)?
    • 支持單電源(VM=VDRAIN)或雙電源(VM獨(dú)立供電)架構(gòu),電荷泵支持100%占空比。
  • ?多重保護(hù)功能?
    • 包括欠壓鎖定(UVLO)、MOSFET VDS過流保護(hù)(OCP)、柵極故障檢測(cè)(GDF)、熱關(guān)斷(OTSD)等。

?2. 關(guān)鍵功能?

  • ?PWM控制模式?
    • ?6x PWM?:獨(dú)立控制高低側(cè)MOSFET,支持高、低、高阻態(tài)。
    • ?3x PWM?:簡(jiǎn)化控制邏輯,INHx控制開關(guān),INLx使能高阻態(tài)。
    • ?1x PWM?:內(nèi)置6步換相表,支持霍爾傳感器直接輸入。
    • ?獨(dú)立PWM?:高低側(cè)獨(dú)立控制,適合單向有刷電機(jī)或獨(dú)立負(fù)載。
  • ?電流檢測(cè)?
    • DRV8353F支持雙向/單向電流檢測(cè),可通過SPI配置放大器增益和偏置。
  • ?SPI與硬件接口?
    • SPI版本支持寄存器配置和故障診斷,硬件版本通過電阻設(shè)置關(guān)鍵參數(shù)。

?3. 典型應(yīng)用?


?4. 設(shè)計(jì)要點(diǎn)?

  • ?電源設(shè)計(jì)?
    • VM需并聯(lián)0.1μF陶瓷電容和≥10μF電解電容
    • 電荷泵電容(CPH-CPL):47nF陶瓷電容;VCP電容:1μF/16V。
  • ?布局建議?
    • 縮短?hào)艠O驅(qū)動(dòng)回路(GHx-SHx/GLx-SPx),優(yōu)化MOSFET VDS檢測(cè)路徑。
  • ?熱管理?
    • RTA封裝(40引腳)RθJA=26.1°C/W,需計(jì)算結(jié)溫(如單電源48V時(shí)功耗約2W,結(jié)溫可達(dá)112°C)。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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