DRV8353M系列器件是高度集成的柵極驅(qū)動(dòng)器，適用于三相無(wú)刷直流 （BLDC） 電機(jī)應(yīng)用。這些應(yīng)用包括 BLDC 電機(jī)的磁場(chǎng)定向控制 （FOC）、正弦電流控制和梯形電流控制。這些器件型號(hào)提供可選的集成電流分流放大器以支持不同的電機(jī)控制方案，以及用于為柵極驅(qū)動(dòng)器或外部控制器供電的降壓穩(wěn)壓器。
*附件：drv8353m.pdf

該DRV8353M采用智能柵極驅(qū)動(dòng) （SGD） 架構(gòu)，以減少 MOSFET 壓擺率控制和保護(hù)電路通常所需的外部元件數(shù)量。SGD 架構(gòu)還優(yōu)化了死區(qū)時(shí)間以防止擊穿情況，通過(guò) MOSFET 壓擺率控制提供降低電磁干擾 （EMI） 的靈活性，并通過(guò) VGS的顯示器。 強(qiáng)大的柵極下拉電路有助于防止不必要的 dV/dt 寄生柵導(dǎo)通事件

支持各種PWM控制模式（6x、3x、1x和獨(dú)立），可與外部控制器進(jìn)行簡(jiǎn)單接口。這些模式可以減少控制器對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器PWM控制信號(hào)所需的輸出數(shù)量。該系列器件還包括1x PWM模式，用于使用內(nèi)部模塊換向表對(duì)BLDC電機(jī)進(jìn)行簡(jiǎn)單的傳感器梯形控制。

特性

• 9 至 100V，三重半橋柵極驅(qū)動(dòng)器
  • 加長(zhǎng)T一個(gè)工作溫度 -55 °C 至 125 °C
  • 可選三重低側(cè)電流分流放大器
• 智能門(mén)驅(qū)動(dòng)架構(gòu)
  • 可調(diào)節(jié)壓擺率控制，實(shí)現(xiàn) EMI 性能
  • VGS的握手和最小死區(qū)時(shí)間插入，以防止擊穿
  • 50 mA 至 1 A 峰值源電流
  • 100mA 至 2A 峰值灌電流
  • 通過(guò)強(qiáng)下拉緩解 dV/dt
• 集成柵極驅(qū)動(dòng)器電源
  • 高側(cè)倍增器電荷泵用于 100% PWM 占空比控制
  • 低側(cè)線(xiàn)性穩(wěn)壓器
• 集成三電流分流放大器
  • 可調(diào)增益 （5、10、20、40 V/V）
  • 雙向或單向支持
• 6x、3x、1x 和獨(dú)立 PWM 模式
  • 支持 120° 傳感器作
• 提供 SPI 或硬件接口
• 低功耗睡眠模式（V 時(shí)為 20 μA 虛擬機(jī) = 48-V）
• 集成保護(hù)功能
  • VM 欠壓鎖定 （UVLO）
  • 柵極驅(qū)動(dòng)電源欠壓 （GDUV）
  • MOSFET VDS過(guò)流保護(hù) （OCP）
  • MOSFET 擊穿預(yù)防
  • 柵極驅(qū)動(dòng)器故障 （GDF）
  • 熱警告和關(guān)斷 （OTW/OTSD）
  • 故障狀態(tài)指示器 （nFAULT）

參數(shù)

?1. 核心特性?

• ?高集成度設(shè)計(jì)?
  • 集成三路半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，支持9-100V寬電壓輸入，工作溫度范圍-55°C至125°C。
  • 可選集成三路低側(cè)電流檢測(cè)放大器（增益可調(diào)5/10/20/40 V/V），支持雙向/單向電流檢測(cè)。
• ?智能柵極驅(qū)動(dòng)架構(gòu)?
  • 可調(diào)柵極驅(qū)動(dòng)電流（50mA-1A源極/100mA-2A漏極），支持動(dòng)態(tài)調(diào)整MOSFET開(kāi)關(guān)速率以?xún)?yōu)化EMI。
  • 內(nèi)置死區(qū)時(shí)間控制、VGS握手防直通、強(qiáng)下拉電路抑制dV/dt寄生導(dǎo)通。
• ?集成電源管理?
  • 高壓側(cè)電荷泵（支持100% PWM占空比）和低壓側(cè)線(xiàn)性穩(wěn)壓器，簡(jiǎn)化外部供電設(shè)計(jì)。
• ?多模式PWM控制?
  • 支持6x/3x/1x及獨(dú)立PWM模式，兼容120°有感控制和無(wú)感BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)。

?2. 關(guān)鍵功能?

• ?保護(hù)機(jī)制?
  • 電源欠壓鎖定（UVLO）、MOSFET VDS過(guò)流保護(hù)（OCP）、柵極驅(qū)動(dòng)故障檢測(cè)（GDF）、熱警告/關(guān)斷（OTW/OTSD）。
  • 支持故障自動(dòng)重試（8ms或50μs）和軟關(guān)斷功能，降低瞬態(tài)電壓沖擊。
• ?SPI/硬件雙接口?
  • SPI接口支持寄存器配置（如IDRIVE、死區(qū)時(shí)間、增益等），硬件接口通過(guò)電阻配置常用參數(shù)。
• ?低功耗模式?
  • 睡眠模式靜態(tài)電流低至20μA（VM=48V時(shí)）。

?3. 應(yīng)用場(chǎng)景?

• ?電機(jī)驅(qū)動(dòng)?：三相BLDC電機(jī)（如風(fēng)扇、泵、電動(dòng)工具）、無(wú)刷伺服系統(tǒng)。
• ?工業(yè)控制?：支持磁場(chǎng)定向控制（FOC）、正弦/梯形電流控制算法。

?4. 封裝與版本?

• ?封裝選項(xiàng)?：40引腳WQFN（6mm×6mm），帶散熱焊盤(pán)。
• ?版本差異?：
  • ?DRV8353HM?：硬件接口，通過(guò)電阻配置參數(shù)。
  • ?DRV8353SM?：SPI接口，支持寄存器編程和故障診斷。

?5. 設(shè)計(jì)要點(diǎn)?

• ?電源設(shè)計(jì)?
  • VM需并聯(lián)0.1μF陶瓷電容（靠近引腳）和≥10μF電解電容。
  • 電荷泵電容：CPH-CPL=47nF，VCP-VM=1μF/16V。
• ?布局建議?
  • 縮短?hào)艠O驅(qū)動(dòng)回路（GHx-SHx/GLx-SPx），降低寄生電感。
  • 電流檢測(cè)電阻需Kelvin連接以提高精度。
• ?熱管理?
  • WQFN封裝RθJA=26.6°C/W，建議采用多層PCB并優(yōu)化散熱布局。