DRV835xF 系列器件是高度集成的柵極驅(qū)動(dòng)器，適用于三相無刷直流 （BLDC） 電機(jī)應(yīng)用。這些器件型號(hào)提供可選的集成電流分流放大器，以支持不同的電機(jī)控制方案。

DRV835xF 使用智能柵極驅(qū)動(dòng) （SGD） 架構(gòu)來減少 MOSFET 壓擺率控制和保護(hù)電路通常所需的外部元件數(shù)量。SGD 架構(gòu)還優(yōu)化了死區(qū)時(shí)間以防止擊穿情況，通過 MOSFET 壓擺率控制靈活地降低電磁干擾 （EMI），并通過 V 防止柵極短路情況GS的顯示器。強(qiáng)大的柵極下拉電路有助于防止不必要的 dV/dt 寄生柵導(dǎo)通事件
*附件：drv8353f.pdf

支持各種PWM控制模式（6x、3x、1x和獨(dú)立），以便與外部控制器進(jìn)行簡(jiǎn)單接口。這些模式可以減少控制器對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器PWM控制信號(hào)所需的輸出數(shù)量。該系列器件還包括 1x PWM 模式，用于使用內(nèi)部模塊換向表對(duì) BLDC 電機(jī)進(jìn)行簡(jiǎn)單的傳感器梯形控制。

特性

• 9 至 100V，三重半橋柵極驅(qū)動(dòng)器
  • 可選三重低側(cè)電流分流放大器
• 功能安全質(zhì)量管理
  • 可用于幫助 IEC 61800-5-2 功能安全系統(tǒng)設(shè)計(jì)的文檔
• 智能門驅(qū)動(dòng)架構(gòu)
  • 可調(diào)節(jié)壓擺率控制，實(shí)現(xiàn) EMI 性能
  • VGS的握手和最小死區(qū)時(shí)間插入，以防止擊穿
  • 50 mA 至 1 A 峰值源電流
  • 100mA 至 2A 峰值灌電流
  • 通過強(qiáng)下拉緩解 dV/dt
• 集成柵極驅(qū)動(dòng)器電源
  • 高側(cè)倍增器電荷泵用于 100% PWM 占空比控制
  • 低側(cè)線性穩(wěn)壓器
• 集成三電流分流放大器
  • 可調(diào)增益 （5、10、20、40 V/V）
  • 雙向或單向支持
• 6x、3x、1x 和獨(dú)立 PWM 模式
  • 支持 120° 傳感器作
• 提供 SPI 或硬件接口
• 低功耗睡眠模式（V 時(shí)為 20 μA 虛擬機(jī) = 48-V）
• 集成保護(hù)功能
  • VM 欠壓鎖定 （UVLO）
  • 柵極驅(qū)動(dòng)電源欠壓 （GDUV）
  • MOSFET VDS過流保護(hù) （OCP）
  • MOSFET 擊穿預(yù)防
  • 柵極驅(qū)動(dòng)器故障 （GDF）
  • 熱警告和關(guān)斷 （OTW/OTSD）
  • 故障狀態(tài)指示器 （nFAULT）

參數(shù)

方框圖

?1. 核心特性?

• ?高集成度?：集成3個(gè)半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，支持9-100V寬電壓范圍，可選集成3路低側(cè)電流檢測(cè)放大器（DRV8353F）。
• ?智能柵極驅(qū)動(dòng)架構(gòu)?：
  • 可調(diào)柵極驅(qū)動(dòng)電流（50mA-1A源/100mA-2A灌）優(yōu)化MOSFET開關(guān)速率，降低EMI。
  • 自動(dòng)死區(qū)時(shí)間插入和VGS握手防止直通。
  • 強(qiáng)下拉電路抑制dV/dt導(dǎo)致的寄生導(dǎo)通。
• ?集成電源管理?：
  • 高壓側(cè)電荷泵（VCP=VDRAIN+10.5V）支持100%占空比。
  • 低側(cè)線性穩(wěn)壓器（VGLS=14.5V）。
• ?保護(hù)功能?：
  • 欠壓鎖定（UVLO）、柵極驅(qū)動(dòng)故障（GDF）、MOSFET VDS過流保護(hù)（OCP）、熱關(guān)斷（OTSD）等。
  • 故障指示引腳（nFAULT）和SPI寄存器詳細(xì)診斷（僅SPI版本）。

?2. 關(guān)鍵參數(shù)?

• ?驅(qū)動(dòng)能力?：
  • 峰值驅(qū)動(dòng)電流：1A源/2A灌（24V/25°C）。
  • 支持PWM頻率高達(dá)200kHz。
• ?電流檢測(cè)?（DRV8353F）：
  • 可編程增益（5/10/20/40 V/V），支持雙向/單向檢測(cè)。
  • 輸入共模范圍：-0.15V至100V。
• ?熱性能?：
  • 32引腳WQFN封裝RθJA=29.2°C/W，40引腳封裝RθJA=26.1°C/W。

?3. 功能模式?

• ?PWM控制模式?：
  • ?6x PWM?：獨(dú)立控制高低側(cè)MOSFET。
  • ?3x PWM?：簡(jiǎn)化輸入邏輯。
  • ?1x PWM?：內(nèi)置6步換相表，支持霍爾傳感器直接輸入。
  • ?獨(dú)立模式?：高低側(cè)獨(dú)立控制，適合非電機(jī)負(fù)載。
• ?接口選項(xiàng)?：
  • ?SPI版本?：可配置寄存器調(diào)節(jié)參數(shù)，讀取詳細(xì)故障信息。
  • ?硬件版本?：通過電阻配置關(guān)鍵參數(shù)（如IDRIVE、VDS閾值）。

?4. 典型應(yīng)用?

• ?電機(jī)驅(qū)動(dòng)?：BLDC電機(jī)、伺服驅(qū)動(dòng)器、工業(yè)機(jī)器人。
• ?電源管理?：支持單電源（VM=VDRAIN）或雙電源（VM由外部DC/DC提供）架構(gòu)。
• ?保護(hù)設(shè)計(jì)?：
  • VDS過流閾值可調(diào)（0.06V-2V），支持自動(dòng)重試或鎖存關(guān)斷。
  • 電流檢測(cè)放大器支持MOSFET RDS(on)監(jiān)測(cè)模式（SPI版本）。

?5. 設(shè)計(jì)要點(diǎn)?

• ?布局建議?：
  • 高頻回路最小化（GHx-SHx和GLx-SPx路徑）。
  • 電荷泵電容（CPH-CPL）需47nF/VDRAIN評(píng)級(jí)。
• ?熱管理?：
  • 單電源配置需計(jì)算總功耗（PVCP+PVGLS+PVM）。
  • 示例：48V單電源下，2W功耗時(shí)結(jié)溫約112°C（TA=60°C）。

?6. 文檔結(jié)構(gòu)?

• ?功能描述?：智能柵極驅(qū)動(dòng)、電流檢測(cè)、保護(hù)電路。
• ?電氣特性?：絕對(duì)最大額定值、ESD等級(jí)、時(shí)序參數(shù)。
• ?機(jī)械規(guī)格?：封裝尺寸（5x5mm或6x6mm QFN）、焊盤布局。