DRV8351-SEP是一款三相半橋柵極驅(qū)動器，能夠驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。DRV8351-SEPD 使用集成自舉二極管和用于高端 MOSFET 的外部電容器產(chǎn)生正確的柵極驅(qū)動電壓。GVDD 用于為低側(cè) MOSFET 產(chǎn)生柵極驅(qū)動電壓。柵極驅(qū)動架構(gòu)支持高達(dá) 750mA 的峰值源電流和 1.5A 灌電流。
*附件：drv8351-sep.pdf

相位引腳 SHx 能夠承受顯著的負(fù)電壓瞬變;而高側(cè)柵極驅(qū)動器電源 BSTx 和 GHx 可以支持更高的正電壓瞬變 （57.5V） abs 最大電壓，從而提高系統(tǒng)的魯棒性。小傳播延遲和延遲匹配規(guī)格最大限度地減少了死區(qū)時間要求，從而進(jìn)一步提高了效率。通過 GVDD 和 BST 欠壓鎖定為低側(cè)和高側(cè)提供欠壓保護(hù)。

特性

• 40V 三相半橋柵極驅(qū)動器
  • 驅(qū)動 N 溝道 MOSFET （NMOS）
  • 柵極驅(qū)動器電源 （GVDD）：5-15V
  • MOSFET 電源 （SHx） 支持高達(dá) 40V 的電壓
• 輻射性能
  • 耐 SEL、SEB 和 SET 高達(dá) LET = 43 MeV-cm2 /mg
  • SET 和 SEFI 表征高達(dá) LET = 43 MeV-cm2 /mg
  • 每批硅片提供 TID 保證，最高可達(dá) 30 krad（Si）
  • TID 表征高達(dá) 30 krad（Si）
  • 在 SEE 和 SEB 期間觀察到交叉?zhèn)鲗?dǎo)事件。有關(guān)更多詳細(xì)信息，請參閱 SEE 報告。
• 空間增強塑料（太空 EP）：
  • 受控基線
  • 一個裝配/測試站點
  • 一個制造現(xiàn)場
  • 延長產(chǎn)品生命周期
  • 產(chǎn)品可追溯性
• 集成自舉二極管
• 支持反相和同相 INLx 輸入
• Bootstrap 柵極驅(qū)動架構(gòu)
  • 750mA 源電流
  • 1.5- 灌電流
• SHx引腳上的低漏電流（<55μA）
• 絕對最大 BSTx 電壓高達(dá) 57.5V
• 在SHx上支持高達(dá)-22V的負(fù)瞬變
• 固定死區(qū)時間插入 200nS
• 支持 3.3V 和 5V 邏輯輸入，最大絕對值為 20V
• 4nS典型傳播延遲匹配
• 緊湊的 TSSOP 封裝
• 使用電源塊進(jìn)行高效的系統(tǒng)設(shè)計
• 集成保護(hù)功能
  • BST 欠壓鎖定 （BSTUV）
  • GVDD 欠壓 （GVDDUV）

參數(shù)

方框圖

?一、核心產(chǎn)品概述?

• ?型號?：DRV8351-SEP（AEC-Q100認(rèn)證，符合汽車及航天應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)）
• ?功能?：集成自舉二極管的三相半橋柵極驅(qū)動器，專為驅(qū)動N溝道MOSFET設(shè)計
• ?關(guān)鍵特性?：
  • ?寬電壓支持?：GVDD供電5-15V，MOSFET電源（SHx）支持40V
  • ?高驅(qū)動能力?：750mA源電流/1.5A灌電流峰值輸出
  • ?抗輻射設(shè)計?：LET=43 MeV-cm2/mg下抗單粒子效應(yīng)，30krad(Si)總劑量耐受
  • ?保護(hù)功能?：BST/GVDD欠壓鎖定、-22V負(fù)瞬態(tài)耐受（SHx引腳）
  • ?低延遲?：4ns典型傳播延遲匹配，固定200ns死區(qū)時間
  • ?封裝?：20引腳TSSOP（6.5×4.4mm）

?二、關(guān)鍵技術(shù)創(chuàng)新?

1. ?雙輸入模式?
   • 支持INLx引腳可配置為同相/反相輸入（通過不同型號實現(xiàn)）
2. ?抗輻射架構(gòu)?
   • 采用Space-EP工藝，單晶圓廠/單測試站點全流程管控
3. ?動態(tài)保護(hù)機制?
   • 獨立比較器監(jiān)測每相BST電壓，欠壓時自動關(guān)閉對應(yīng)GHx輸出
   • 負(fù)瞬態(tài)耐受能力（SHx引腳支持-22V/2μs瞬態(tài)）

?三、典型應(yīng)用場景?

• ?航天/國防?：推進(jìn)器萬向節(jié)、天線指向機構(gòu)
• ?工業(yè)?：無刷電機控制、反應(yīng)輪驅(qū)動
• ?醫(yī)療設(shè)備?：精密運動控制系統(tǒng)

?四、電氣特性與設(shè)計要點?

?設(shè)計建議?：

1. ?電容選型?
   • 自舉電容≥100nF（建議X7R材質(zhì)）
   • GVDD去耦電容≥1μF（與100nF高頻電容并聯(lián)）
2. ?布局要點?
   • 柵極電阻盡量靠近MOSFET放置
   • 功率回路面積最小化以降低寄生電感

?五、輻射性能數(shù)據(jù)?

• ?單粒子效應(yīng)?：LET=43 MeV-cm2/mg下未發(fā)生閂鎖（但存在交叉導(dǎo)通現(xiàn)象，需外置保護(hù)電路）
• ?總劑量測試?：30krad(Si)下參數(shù)漂移<10%
• ?SEE報告?：需參考獨立測試文檔獲取詳細(xì)輻射事件數(shù)據(jù)