DRV8424/25 是適用于工業(yè)和消費類應(yīng)用的步進電機驅(qū)動器。該器件完全集成了兩個 N 溝道功率 MOSFET H 橋驅(qū)動器、一個微步進索引器和集成電流檢測。該DRV8424能夠驅(qū)動高達 2.5A 的滿量程輸出電流;該DRV8425能夠驅(qū)動高達 2A 的滿量程輸出電流（取決于 PCB 設(shè)計）。

DRV8424/25 采用內(nèi)部電流檢測架構(gòu)，無需兩個外部功率檢測電阻，從而節(jié)省 PCB 面積和系統(tǒng)成本。這些器件使用內(nèi)部 PWM 電流調(diào)節(jié)方案，可在智能調(diào)諧、慢速衰減和混合衰減選項之間進行選擇。智能調(diào)諧可自動調(diào)整以實現(xiàn)最佳電流調(diào)節(jié)，補償電機變化和老化效應(yīng)，并降低電機發(fā)出的可聽噪聲。
*附件：drv8424.pdf

簡單的 STEP/DIR 接口允許外部控制器管理步進電機的方向和步進速率。該器件可配置為全步至1/256微步進。使用專用的nSLEEP引腳提供低功耗睡眠模式。為電源欠壓、電荷泵故障、過流、短路和過熱提供保護功能。故障情況由nFAULT引腳指示。

特性

• PWM微步進步進電機驅(qū)動器
  • 簡單的 STEP/DIR 接口
  • 高達 1/256 微步進分度器
• 集成電流檢測功能
  • 無需檢測電阻
  • ±5% 滿量程電流精度
• 智能調(diào)諧衰減技術(shù)，固定慢速和混合衰減選項
• 4.5 至 33V 工作電源電壓范圍
• 低R DS（開） :
  • DRV8424：24 V、25°C 時為 330 mΩ HS + LS
  • DRV8425：550 mΩ HS + LS，24 V，25°C
• 每個橋的高電流容量
  • DRV8424：4 A 峰值、2.5 A 滿量程、1.8 A rms
  • DRV8425：3.2 A 峰值，2 A 滿量程，1.4 A rms
• 引腳對引腳兼容 -
  • DRV8426：33V，900 mΩ HS + LS
  • DRV8436：48V，900 mΩ HS + LS
  • DRV8434：48V，330 mΩ HS + LS
• 可配置的關(guān)斷時間PWM斬波
  • 7 微秒、16 微秒、24 微秒或 32 微秒。
• 支持1.8V、3.3V、5.0V邏輯輸入
• 低Ccrrent睡眠模式（2 μA）
• 用于低電磁干擾 （EMI） 的擴頻時鐘
• 小封裝和占地面積
• 保護功能
  • VM 欠壓鎖定 （UVLO）
  • 電荷泵欠壓 （CPUV）
  • 過流保護 （OCP）
  • 熱關(guān)斷 （OTSD）
  • 故障條件輸出 （nFAULT）

參數(shù)

方框圖

?1. 核心特性?

• ?集成電流檢測?：無需外部檢測電阻，節(jié)省PCB空間和成本，電流精度±5%。
• ?智能調(diào)節(jié)技術(shù)?：
  • ?Smart tune動態(tài)衰減?：自動優(yōu)化衰減模式（慢/混合/快衰減），降低電機噪聲。
  • ?Smart tune紋波控制?：通過可變關(guān)斷時間實現(xiàn)精準電流調(diào)節(jié)。
• ?高分辨率微步進?：支持1/256微步進，STEP/DIR接口簡化控制。
• ?寬電壓范圍?：4.5-33V工作電壓，支持DRV8424（2.5A全量程）和DRV8425（2A全量程）。
• ?低導通電阻?：DRV8424為330mΩ（HS+LS），DRV8425為550mΩ（HS+LS）。

?2. 關(guān)鍵功能?

• ?電流調(diào)節(jié)?：
  • PWM斬波控制，關(guān)斷時間可調(diào)（7/16/24/32μs）。
  • VREF引腳設(shè)置參考電流，公式：IFS(A) = VREF(V)/1.32(V/A)。
• ?衰減模式?：
  • 支持慢衰減、混合衰減（30%/60%快衰減）、Smart tune動態(tài)/紋波控制。
• ?保護機制?：
  • 欠壓鎖定（UVLO）、電荷泵故障（CPUV）、過流保護（OCP）、熱關(guān)斷（OTSD）。
  • 故障指示通過nFAULT引腳輸出，支持自動重試或鎖存關(guān)斷模式。

?3. 應(yīng)用場景?

• ?工業(yè)設(shè)備?：打印機、紡織機、ATM機、機器人。
• ?消費電子?：3D打印機、舞臺燈光、家居自動化。
• ?醫(yī)療設(shè)備?：精密儀器驅(qū)動。

?4. 設(shè)計要點?

• ?布局建議?：
  • VM引腳需并聯(lián)0.01μF陶瓷電容和電解電容。
  • 電荷泵電容（CPH-CPL）選用0.022μF陶瓷電容。
• ?熱管理?：
  • HTSSOP封裝RθJA=31°C/W，VQFN封裝RθJA=40.7°C/W。
  • 示例：24V供電下，DRV8424總功耗1.644W時結(jié)溫約76°C（TA=25°C）。

?5. 封裝選項?

• ? HTSSOP-28（PWP） ?：9.7mm×4.4mm，支持PowerPAD散熱。
• ? VQFN-24（RGE） ?：4mm×4mm，超小尺寸。