納微半導(dǎo)體正式發(fā)布專為英偉達(dá)800 VDC AI工廠電源架構(gòu)打造的全新100V氮化鎵，650V氮化鎵和高壓碳化硅功率器件，以實(shí)現(xiàn)突破性效率、功率密度與性能表現(xiàn)。

加利福尼亞州托倫斯2025年10月13日訊——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）今日宣布其在先進(jìn)中高壓（800 VDC）氮化鎵與碳化硅功率器件研發(fā)方面取得重要進(jìn)展，此舉將助力英偉達(dá)（NVIDIA）打造面向下一代AI工廠計(jì)算平臺(tái)的800 VDC電源架構(gòu)。

AI工廠的興起催生了一類全新的數(shù)據(jù)中心，旨在為大規(guī)模并行人工智能和高速計(jì)算（HPC）實(shí)現(xiàn)高效的算力服務(wù)。這類全新數(shù)據(jù)中心的誕生，帶來(lái)了功率傳輸?shù)男绿魬?zhàn)。而依賴于54V機(jī)架內(nèi)配電輸送的傳統(tǒng)企業(yè)級(jí)和云端數(shù)據(jù)中心，已無(wú)法滿足當(dāng)下高速運(yùn)算平臺(tái)所需要的兆瓦級(jí)機(jī)架的功率密度要求, 新的功率挑戰(zhàn)正在推動(dòng)數(shù)據(jù)中心電源構(gòu)架的基礎(chǔ)革新。

800 VDC配電系統(tǒng)具備以下優(yōu)勢(shì)：

降低電阻損耗與銅材用量，實(shí)現(xiàn)更高能效；

基礎(chǔ)設(shè)施具備可擴(kuò)展性，能以高緊湊性方案為兆瓦級(jí)機(jī)架供電；

與國(guó)際電工委員會(huì)（IEC）低壓直流（LVDC）分類標(biāo)準(zhǔn)（≤1,500 VDC）保持全球一致；

通過(guò)高效的熱管理，實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單可靠的電力分配。

800 VDC架構(gòu)支持在數(shù)據(jù)中心電力機(jī)房或周邊區(qū)域，將13.8 kVAC的市電直接變換為800 VDC。通過(guò)采用固態(tài)變壓器與工業(yè)級(jí)整流器，該方案可省去傳統(tǒng)AC/DC及DC/DC的多級(jí)變換，最大限度提升能效、減少損耗，并增強(qiáng)整體系統(tǒng)的可靠性。

800 VDC配電系統(tǒng)直接為IT機(jī)房?jī)?nèi)的服務(wù)器機(jī)架供電，省去了額外的傳統(tǒng)AC-DC變換級(jí)。電力隨后通過(guò)兩級(jí)高效DC-DC變換（從800 VDC降至54V/12 VDC，再轉(zhuǎn)換至GPU所需電壓），以驅(qū)動(dòng)英偉達(dá)Rubin Ultra平臺(tái)等先進(jìn)基礎(chǔ)設(shè)施。

這類先進(jìn)的AI工廠對(duì)功率密度、能效及可擴(kuò)展性提出了前所未有的要求，而納微半導(dǎo)體高性能GaNFast氮化鎵與GeneSiC碳化硅技術(shù)，恰恰能滿足這些需求。

圖1：從電網(wǎng)到GPU，納微先進(jìn)的氮化鎵和碳化硅技術(shù)為AI數(shù)據(jù)中心功率轉(zhuǎn)換的每一級(jí)提供支持

專注于寬禁帶功率半導(dǎo)體的納微，始終致力于突破性的氮化鎵和碳化硅技術(shù)研發(fā)，助力AI數(shù)據(jù)中心從電網(wǎng)到GPU的每一級(jí)，實(shí)現(xiàn)高效、高功率密度的功率轉(zhuǎn)換。

納微半導(dǎo)體全新100V氮化鎵FET產(chǎn)品系列，采用先進(jìn)雙面散熱封裝，具備卓越的能效、功率密度與熱性能。該系列產(chǎn)品專為GPU電源板上的DC-DC變換級(jí)進(jìn)行了優(yōu)化—— 在該環(huán)節(jié)中，超高密度與熱管理能力是滿足下一代AI計(jì)算平臺(tái)需求的關(guān)鍵。目前，該系列產(chǎn)品的樣品、數(shù)據(jù)手冊(cè)及評(píng)估板已就緒，可供客戶申請(qǐng)。

此外，全新高效的納微100V氮化鎵FET產(chǎn)品基于和力積電的戰(zhàn)略合作，誕生于8英寸晶圓制程之上，適合大規(guī)模量產(chǎn)。

納微的650V氮化鎵產(chǎn)品組合包括一條全新的大功率氮化鎵FET產(chǎn)品線，以及集成了控制、驅(qū)動(dòng)、感測(cè)和內(nèi)置保護(hù)功能的先進(jìn)GaNSafe功率芯片，以卓越的魯棒性和可靠性，滿足下一代AI基礎(chǔ)架構(gòu)對(duì)性能和安全性的嚴(yán)苛要求。

作為全球氮化鎵技術(shù)安全巔峰，GaNSafe具備以下特性：

超高速短路保護(hù)（最快350ns的響應(yīng)時(shí)間）；

所有引腳均具備2kV靜電放電（ESD）防護(hù)；

無(wú)需負(fù)柵極電壓驅(qū)動(dòng)；

可編程的壓擺率（slew-rate）控制。

以上功能可通過(guò)芯片4個(gè)引腳實(shí)現(xiàn)，使得封裝可以像一個(gè)分立式氮化鎵FET一樣使用，不需要額外的VCC引腳。

憑借超過(guò)20年在碳化硅領(lǐng)域積累的創(chuàng)新經(jīng)驗(yàn)，納微旗下的GeneSiC技術(shù)擁有自主研發(fā)的溝槽輔助平面柵技術(shù)，可為大功率、高可靠性的應(yīng)用在全溫度范圍內(nèi)提供卓越的高速，低溫升運(yùn)行能力。GeneSiC技術(shù)提供從650V到6,500V的行業(yè)最廣電壓范圍，應(yīng)用于包括與美國(guó)能源部合作的在內(nèi)的，諸多兆瓦級(jí)儲(chǔ)能與并網(wǎng)逆變器項(xiàng)目。

納微半導(dǎo)體總裁兼首席執(zhí)行官Chris Allexandre：“在英偉達(dá)驅(qū)動(dòng)AI基礎(chǔ)設(shè)施轉(zhuǎn)型的過(guò)程中，納微非常榮幸能運(yùn)用我們的氮化鎵和碳化硅方案來(lái)幫助其實(shí)現(xiàn)效率，可拓展性和可靠性的提升，以滿足下一代數(shù)據(jù)中心的需求。

隨著行業(yè)快速向兆瓦級(jí)AI計(jì)算平臺(tái)邁進(jìn)，對(duì)更高效、可擴(kuò)展和更可靠的電力輸送的需求變得至關(guān)重要。從傳統(tǒng)的54V架構(gòu)向800 VDC架構(gòu)轉(zhuǎn)型，不僅僅是革命性的，更是顛覆性的行業(yè)革新。

納微半導(dǎo)體正經(jīng)歷根本性轉(zhuǎn)型，通過(guò)氮化鎵與碳化硅技術(shù)的融合為全球最先進(jìn)的系統(tǒng)提供支持。如今，我們的關(guān)注范圍已遠(yuǎn)超消費(fèi)電子，延伸至從電網(wǎng)到GPU的全鏈路環(huán)節(jié) —— 通過(guò)差異化的高性能電源方案，滿足AI工廠、智慧能源基礎(chǔ)設(shè)施及工業(yè)平臺(tái)的兆瓦級(jí)需求。”

如需納微全新100V和650V氮化鎵FET的信息，樣品，產(chǎn)品規(guī)格書，評(píng)估板以及納微旗下高壓碳化硅MOSFET產(chǎn)品系列信息，請(qǐng)發(fā)送郵件至info@navitassemi.com

如需了解更多關(guān)于納微氮化鎵和碳化硅技術(shù)在800 VDC架構(gòu)的數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施相關(guān)應(yīng)用，請(qǐng)點(diǎn)擊文末的閱讀原文查看納微最新白皮書。

關(guān)于納微半導(dǎo)體

納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）是新一代功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者，專注于氮化鎵（GaN）與集成電路（IC）器件，以及高壓碳化硅（SiC）技術(shù)研發(fā)，旨在推動(dòng)人工智能與數(shù)據(jù)中心、能源與電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施、高性能計(jì)算及工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域的創(chuàng)新。憑借在寬禁帶技術(shù)領(lǐng)域超過(guò)30年的經(jīng)驗(yàn)積累，納微旗下的GaNFast功率芯片將氮化鎵功率器件、驅(qū)動(dòng)、控制、感測(cè)與保護(hù)功能高度集成，實(shí)現(xiàn)更快的功率傳輸、更高的系統(tǒng)功率密度及更卓越的能效表現(xiàn)。GeneSiC高壓碳化硅器件采用受專利保護(hù)的溝槽輔助平面技術(shù)，為中壓電網(wǎng)及基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用提供業(yè)界領(lǐng)先的耐壓能力、效率與可靠性。納微半導(dǎo)體已擁有或正在申請(qǐng)的專利超過(guò)300項(xiàng)，是全球首家獲得CarbonNeutral碳中和認(rèn)證的半導(dǎo)體公司。