DRV8340-Q1 器件是一款用于三相應(yīng)用的集成柵極驅(qū)動(dòng)器。該器件提供三個(gè)半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,每個(gè)驅(qū)動(dòng)器能夠驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè) N 溝道功率 MOSFET。專用的源極和漏極引腳支持獨(dú)立的 MOSFET 控制,用于螺線管應(yīng)用。DRV8340-Q1 使用足以用于高側(cè) MOSFET 的集成電荷泵和用于低側(cè) MOSFET 的線性穩(wěn)壓器產(chǎn)生正確的柵極驅(qū)動(dòng)電壓。智能柵極驅(qū)動(dòng)架構(gòu)支持高達(dá) 1A 源極和 2A 的峰值柵極驅(qū)動(dòng)電流。DRV8340-Q1 可采用單個(gè)電源供電,并支持柵極驅(qū)動(dòng)器的 5.5 至 60 V 寬輸入電源范圍。
*附件:drv8340-q1.pdf
6x、3x、1x 和獨(dú)立輸入 PWM 模式允許與控制器電路進(jìn)行簡(jiǎn)單接口。柵極驅(qū)動(dòng)器和器件的配置設(shè)置可通過 SPI 或硬件 (H/W) 接口進(jìn)行高度配置。
提供低功耗睡眠模式以實(shí)現(xiàn)低靜態(tài)電流。為欠壓鎖定、電荷泵故障、MOSFET過流、MOSFET短路、相節(jié)點(diǎn)電源和接地短路、柵極驅(qū)動(dòng)器故障和過熱提供內(nèi)部保護(hù)功能。
特性
- 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn),適用于汽車應(yīng)用
- 溫度等級(jí) 1:–40°C ≤ T
一個(gè)≤ 125°C
- 溫度等級(jí) 1:–40°C ≤ T
- 三個(gè)獨(dú)立的半橋柵極驅(qū)動(dòng)器
- 專用源極 (SHx) 和漏極 (DLx) 引腳,支持獨(dú)立的 MOSFET 控制
- 驅(qū)動(dòng) 3 個(gè)高側(cè)和 3 個(gè)低側(cè) N 溝道 MOSFET (NMOS)
- 智能門驅(qū)動(dòng)架構(gòu)
- 可調(diào)節(jié)的壓擺率控制
- 1.5mA 至 1A 峰值源電流
- 3mA 至 2A 峰值灌電流
- 柵極驅(qū)動(dòng)器電荷泵,實(shí)現(xiàn) 100% 占空比
- 提供SPI(S)和硬件(H)接口
- 6x、3x、1x 和獨(dú)立 PWM 模式
- 支持 3.3V 和 5V 邏輯輸入
- 電荷泵輸出可用于驅(qū)動(dòng)反向電源保護(hù)MOSFET
- 線性穩(wěn)壓器,3.3 V,30 mA
- 集成保護(hù)功能
參數(shù)
方框圖
?1. 產(chǎn)品概述?
DRV8340-Q1 是德州儀器(TI)推出的12V/24V汽車級(jí)三半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片,專為BLDC/BDC電機(jī)控制設(shè)計(jì),符合AEC-Q100 Grade 1標(biāo)準(zhǔn)(-40°C至125°C)。其核心特性包括:
- ?獨(dú)立半橋控制?:支持3路高邊和低邊N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng),每路配備專用源極(SHx)和漏極(DLx)引腳。
- ?智能柵極驅(qū)動(dòng)架構(gòu)?:可調(diào)壓擺率控制(1.5mA至1A源電流,3mA至2A灌電流),集成電荷泵支持100%占空比。
- ?多種接口模式?:提供SPI(S版)和硬件(H版)配置選項(xiàng),支持6x/3x/1x PWM及獨(dú)立MOSFET驅(qū)動(dòng)模式。
- ?集成保護(hù)功能?:包括欠壓鎖定(UVLO)、電荷泵故障(CPUV)、MOSFET過流(OCP)、柵極故障(GDF)及熱關(guān)斷(OTSD)等。
?2. 關(guān)鍵特性?
- ?電源管理?:5.5V至60V寬輸入范圍,集成3.3V/30mA線性穩(wěn)壓器(DVDD)。
- ?驅(qū)動(dòng)能力?:峰值驅(qū)動(dòng)電流達(dá)1A(源)/2A(灌),支持動(dòng)態(tài)IDRIVE調(diào)整以優(yōu)化MOSFET開關(guān)損耗。
- ?診斷功能?:開路負(fù)載檢測(cè)(OLP/OLA)、離線短路診斷(SHT_BAT/SHT_GND),故障狀態(tài)通過nFAULT引腳或SPI寄存器反饋。
- ?封裝?:48引腳HTQFP(7mm×7mm),帶裸露散熱焊盤。
?3. 應(yīng)用場(chǎng)景?
- ?汽車電機(jī)控制?:風(fēng)扇、燃油泵、水泵、電磁閥驅(qū)動(dòng)等。
- ?三相驅(qū)動(dòng)拓?fù)?/strong>?:支持BLDC/BDC電機(jī)模塊,兼容霍爾傳感器或無傳感器控制。
?4. 功能模塊詳解?
- ?柵極驅(qū)動(dòng)?:電荷泵為高邊MOSFET提供偏置電壓,低邊由線性穩(wěn)壓器供電,支持可調(diào)死區(qū)時(shí)間(tDEAD)和強(qiáng)下拉(ISTRONG)防寄生導(dǎo)通。
- ?保護(hù)機(jī)制?:VDS監(jiān)測(cè)實(shí)現(xiàn)逐周期過流保護(hù),可配置為鎖存、自動(dòng)重試或僅報(bào)告模式。
- ?SPI配置?(僅S版):16位寄存器可編程驅(qū)動(dòng)參數(shù)、保護(hù)閾值及故障處理策略。
?5. 設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)?
- ?布局建議?:優(yōu)先縮短高/低側(cè)驅(qū)動(dòng)回路,VM引腳需就近放置低ESR電容(推薦0.1μF+4.7μF+10μF)。
- ?熱管理?:RθJA為26.5°C/W,需確保PCB散熱設(shè)計(jì)滿足結(jié)溫要求。
- ?典型應(yīng)用電路?:需外接飛跨電容(CPH-CPL)、VCP旁路電容及柵極電阻(可選)。
?6. 文檔結(jié)構(gòu)?
數(shù)據(jù)手冊(cè)包含引腳定義、電氣特性、時(shí)序圖、寄存器映射及典型應(yīng)用電路,附錄提供機(jī)械封裝尺寸和訂購(gòu)信息。
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