隨著晶圓代工廠臺積電及記憶體廠三星電子的7納米邏輯制程均支援極紫外光（EUV）微影技術，并會在2019年進入量產階段，半導體龍頭英特爾也確定正在開發(fā)中的7納米制程會支援新一代EUV技術。

英特爾10納米制程推進不如預期，導致14納米產能供不應求，并造成2018年第四季以來的處理器缺貨問題，預期要等到2019年第二季才會獲得紓解。英特爾日前已宣布將擴大資本支出提升產能，并且預期10納米Ice Lake處理器將在今年第四季量產出貨。

至于英特爾未來制程微縮計劃，據(jù)外電報導，掌管英特爾制程及制造業(yè)務技術及系統(tǒng)架構事業(yè)的總裁兼首席工程師Murthy Renduchintala日前指出，10納米制程與2014年訂定的制程標準相同，不論性能、密度、功耗等都保持不變。另外，有了10納米的制程研發(fā)經驗，英特爾7納米發(fā)展良好，并將加入新一代EUV微影技術，由于10納米及7納米是由不同團隊開發(fā)，7納米EUV制程不會受到10納米制程延遲影響。不過，英特爾未提及7納米何時可進入量產。

據(jù)猜測，英特爾原原計劃10nm后第四年推出，所以就是2020年底，假如真能做到，那么10nm制程將會是最短命的一代制程。

按照估計，Intel可能還要配置多20~40臺ASML的7nm EUV***來達到月產10萬片的能力。（7nm EUV***單臺售價1.2億美元。）

業(yè)界指出，臺積電及三星的7納米EUV制程2019年逐步提升產能，但要開始真正大量進行投片量產，應該要等到2020年之后。英特爾的7納米EUV制程要真正進入生產階段，預期也要等到2020年或2021年之后。不過，以三大半導體廠的計劃來看，EUV微影技術將成為7納米及更先進制程的主流。

EUV光刻技術發(fā)展態(tài)勢

光刻（lithography）為集成電路微細化的最關鍵技術。當前在16/14nm節(jié)點乃至10及7nm節(jié)點，芯片制造商普遍還在使用193nm ArF浸潤式***+多重成像技術，但采用多重成像技術后將增加曝光次數(shù)，導致成本顯著上升及良率、產出下降等問題。根據(jù)相關企業(yè)的規(guī)劃，在7/5nm節(jié)點，芯片生產將導入極紫外（EUV）光刻技術，EUV光刻使用13.5nm波長的極紫外光，能夠形成更為精細的曝光圖像。芯片廠商計劃將EUV光刻應用到最困難的光刻工序，即金屬1層以及過孔生成工序，而其他大部分工序則仍將延用193nm ArF浸潤式***+多重成像來制作。據(jù)EUV***生產商阿斯麥（ASML）稱，相比浸潤式光刻+三重成像技術，EUV光刻技術能夠將金屬層的制作成本降低9%，過孔的制作成本降低28%。

EUV光刻的關鍵技術包括EUV光源和高數(shù)值孔徑（NA）鏡頭，前者關乎***的吞吐量（Throughput），后者關乎***的分辨率（Resolution）和套刻誤差（Overlay）能力等。目前，全球EUV***生產基本上由荷蘭阿斯麥公司所壟斷，其最新 NXE:3400B EUV機型，采用245W光源，在實驗條件下，未使用掩膜保護膜（pellicle），已實現(xiàn)每小時曝光140片晶圓的吞吐量；該機型在用戶端的測試中，可達到每小時曝光125片晶圓的吞吐量，套刻誤差2nm；按照阿斯麥公司EUV技術路線規(guī)劃，公司將在2018年底前，通過技術升級使NXE:3400B EUV機型的套刻誤差減小到1.7nm以下，滿足5nm制程的工藝需求；在2019年中，采用250W EUV光源，達到每小時145片晶圓的量產吞吐量；在2020年，推出升級版的NXE:3400C EUV機型，采用250W EUV光源達到155片/時的量產吞吐量?？傮w上，目前的250W EUV光源已經可以滿足7nm甚至5nm制程的要求，但針對下一代的EUV光源仍有待開發(fā)。據(jù)估算，在3nm技術節(jié)點，對EUV光源的功率要求將提升到500W，到了1nm技術節(jié)點，光源功率要求甚至將達到1KW。

高數(shù)值孔徑（High-NA）光學系統(tǒng)方面，由于極紫外光會被所有材料（包括各種氣體）吸收，因此極紫外光光刻必需在真空環(huán)境下，并且使用反射式透鏡進行。目前，阿斯麥公司已開發(fā)出數(shù)值孔徑為0.33的EUV***鏡頭，阿斯麥正在為3nm及以下制程采開發(fā)更高數(shù)值孔徑（NA）光學系統(tǒng)，公司與卡爾蔡司公司合作開發(fā)的數(shù)值孔徑為0.5的光學系統(tǒng)，預計在2023-2024年后量產，該光學系統(tǒng)分辨率（Resolution）和生產時的套刻誤差（Overlay）比現(xiàn)有系統(tǒng)高出70%，每小時可以處理 185 片晶圓。

除***之外，EUV光刻要在芯片量產中應用仍有一些技術問題有待進一步解決，如：光刻膠、掩膜、掩膜保護薄膜（pellicle）。

光刻膠方面，要實現(xiàn)大規(guī)模量產要求光刻膠的照射反應劑量水平必須不高于20mJ/cm2。而目前要想得到完美的成像，EUV光刻膠的照射劑量普遍需要達到30-40mJ/cm2。在30mJ/cm2劑量水平，250w光源的EUV***每小時吞吐量只能達到90片，顯著低于理想的125片。由于EUV光刻產生的一些光子隨機效應，要想降低光刻膠的照射劑量水平仍需克服一系列挑戰(zhàn)。其中之一是所謂的光子發(fā)射噪聲現(xiàn)象。光子是光的基本粒子，成像過程中照射光光子數(shù)量的變化會影響EUV光刻膠的性能，因此會產生一些不希望有的成像缺陷，比如：線邊緣粗糙（line-edge roughness:LER）等。

光掩膜版，EUV光刻使用鏡面反射光而不是用透鏡折射光，因此EUV光刻采用的光掩膜版也需要改成反射型，改用覆蓋在基體上的硅和鉬層來制作。同時，EUV光刻對光掩膜版的準確度、精密度、復雜度要求比以往更高。當前制作掩膜版普遍使用的可變形狀電子束設備（VSB），其寫入時間成為最大的挑戰(zhàn)，解決方案之一是采用多束電子束設備。包括IMS公司、NuFlare公司等已在開發(fā)相關多束電子束產品，多束電子束設備能夠提高光掩膜版制作效率，降低成本，還有助于提高光掩膜版的良率。未來，大部分EUV光掩膜版仍可以使用可變形狀電子束設備來制作，但是對少數(shù)復雜芯片而言，要想保持加工速度，必須使用多束電子束設備。

EUV薄膜，EUV薄膜作為光掩膜的保護層，提供阻隔外界污染的實體屏障，可以防止微塵或揮發(fā)氣體污染光掩膜表面，減少光掩膜使用時的清潔和檢驗。阿斯麥公司已經開發(fā)出83%透射率的薄膜，在采用245W光源，測試可達到100 片晶圓/時吞吐量，阿斯麥的目標是開發(fā)出透射率90%的透明薄膜，可承受300W的EUV光源，實現(xiàn)125片晶圓/時的吞吐量。

初期，EUV光刻還是主要應用于高端邏輯芯片、存儲芯片的生產，主要芯片企業(yè)已相繼宣布了各自導入EUV光刻的計劃。