動(dòng)態(tài)
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發(fā)布了文章 2025-07-22 09:54
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發(fā)布了文章 2025-07-22 09:54
薄膜厚度測(cè)量技術(shù)的綜述：從光譜反射法（SR）到光譜橢偏儀（SE）
薄膜在半導(dǎo)體、顯示和二次電池等高科技產(chǎn)業(yè)中被廣泛使用，其厚度通常小于一微米。對(duì)于這些薄膜厚度的精確測(cè)量對(duì)于質(zhì)量控制至關(guān)重要。然而，能夠測(cè)量薄膜厚度的技術(shù)非常有限，而光學(xué)方法因其非接觸和非破壞性特點(diǎn)而被廣泛采用。Flexfilm全光譜橢偏儀不僅能夠滿足工業(yè)生產(chǎn)中對(duì)薄膜厚度和光學(xué)性質(zhì)的高精度測(cè)量需求，還能為科研人員提供豐富的光譜信息，助力新材料的研發(fā)和應(yīng)用。1光 -
發(fā)布了文章 2025-07-22 09:53
基于像散光學(xué)輪廓儀與單點(diǎn)膜厚技術(shù)測(cè)量透明薄膜厚度
透明薄膜在生物醫(yī)學(xué)、半導(dǎo)體及光學(xué)器件等領(lǐng)域中具有重要應(yīng)用，其厚度與光學(xué)特性直接影響器件性能。傳統(tǒng)接觸式測(cè)量方法（如觸針輪廓儀）易損傷樣品，而非接觸式光學(xué)方法中，像散光學(xué)輪廓儀（基于DVD激光頭設(shè)計(jì)）雖具備高分辨率全場(chǎng)掃描能力，但對(duì)厚度小于25μm的薄膜存在信號(hào)耦合問題。本研究通過結(jié)合FlexFilm單點(diǎn)膜厚儀的光學(xué)干涉技術(shù)，開發(fā)了一種覆蓋15nm至1.2mm -
發(fā)布了文章 2025-07-22 09:53
大面積薄膜光學(xué)映射與成像技術(shù)綜述：全光譜橢偏技術(shù)
在微電子制造與光伏產(chǎn)業(yè)中，大面積薄膜的均勻性與質(zhì)量直接影響產(chǎn)品性能。傳統(tǒng)薄膜表征方法（如濺射深度剖析、橫截面顯微鏡觀察）雖能提供高精度數(shù)據(jù)，但測(cè)量范圍有限且效率較低，難以滿足工業(yè)級(jí)大面積表面的快速檢測(cè)需求。本文聚焦光學(xué)表征技術(shù)的革新，重點(diǎn)闡述橢偏儀等光學(xué)方法在大面積薄膜映射與成像中的突破性應(yīng)用。其中，F(xiàn)lexfilm全光譜橢偏儀以其獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，在大面積薄 -
發(fā)布了文章 2025-07-22 09:53
生物聚合物薄膜厚度測(cè)定：從傳統(tǒng)觸探輪廓儀到全光譜橢偏儀
生物聚合物薄膜（如纖維素、甲殼素、木質(zhì)素）因其可調(diào)控的吸水性、結(jié)晶度和光學(xué)特性，在涂層、傳感器和生物界面模型等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。薄膜厚度是決定其性能的關(guān)鍵參數(shù)，例如溶脹行為、分子吸附和光學(xué)響應(yīng)。然而，生物聚合物的高親水性、軟質(zhì)結(jié)構(gòu)及表面異質(zhì)性使厚度精確測(cè)定面臨挑戰(zhàn)。本文系統(tǒng)總結(jié)了現(xiàn)有測(cè)定技術(shù)，以纖維素為代表性案例，探討方法優(yōu)勢(shì)與局限性。近年來，F(xiàn)lexfilm全 -
發(fā)布了文章 2025-07-22 09:53
白光色散干涉：實(shí)現(xiàn)薄膜表面輪廓和膜厚的高精度測(cè)量
薄膜結(jié)構(gòu)在半導(dǎo)體制造中扮演著至關(guān)重要的角色，廣泛應(yīng)用于微電子器件、光學(xué)涂層、傳感器等領(lǐng)域。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷進(jìn)步，對(duì)薄膜結(jié)構(gòu)的檢測(cè)精度和效率提出了更高的要求。傳統(tǒng)的檢測(cè)方法，如橢圓偏振法、反射法和白光掃描干涉法等，雖然在一定程度上能夠滿足測(cè)量需求，但存在一些局限性。針對(duì)這些現(xiàn)有技術(shù)的不足，本文提出了一種基于白光色散干涉法（WLDI）的高精度測(cè)量系統(tǒng)。該系統(tǒng) -
發(fā)布了文章 2025-07-22 09:53
臺(tái)階高度的測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)丨在臺(tái)階儀校準(zhǔn)下半導(dǎo)體金屬鍍層實(shí)現(xiàn)測(cè)量誤差<1%
在半導(dǎo)體芯片制造過程中，臺(tái)階結(jié)構(gòu)的精確測(cè)量至關(guān)重要，通常采用白光干涉儀或步進(jìn)儀等非接觸式測(cè)量設(shè)備進(jìn)行監(jiān)控。然而，SiO?/Si臺(tái)階高度標(biāo)準(zhǔn)在測(cè)量中存在的問題顯著影響了測(cè)量精度。傳統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)的上表面（SiO?）和下表面（Si）的折射率（n）和消光系數(shù)（k）差異導(dǎo)致了反射光的干涉相消現(xiàn)象，進(jìn)而影響白光干涉儀的測(cè)量結(jié)果。為解決這一問題，本研究結(jié)合半導(dǎo)體濺射工藝，提出在 -
發(fā)布了文章 2025-07-22 09:53
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發(fā)布了文章 2025-07-22 09:53
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發(fā)布了文章 2025-07-22 09:52
觸針式輪廓儀 | 臺(tái)階儀 | 納米級(jí)多臺(tái)階高度的精準(zhǔn)測(cè)量
臺(tái)階高度作為納米結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵參數(shù)，其測(cè)量精度直接影響相關(guān)研究與應(yīng)用。本文利用觸針式輪廓儀對(duì)三臺(tái)階高度樣品進(jìn)行測(cè)量與表征的方法。原始測(cè)量數(shù)據(jù)通過多項(xiàng)式擬合與低通濾波處理消除低頻偽影和高頻噪聲。實(shí)現(xiàn)了納米級(jí)三臺(tái)階高度樣本（8nm/18nm/26nm）的高精度測(cè)量。并應(yīng)用于薄膜沉積速率的計(jì)算與驗(yàn)證，結(jié)果顯示輪廓儀與光譜橢偏儀的沉積速率測(cè)量結(jié)果一致。1觸針輪廓儀測(cè)量f
