TPS51604-Q1 用于高頻 CPU 內(nèi)核功率應(yīng)用的同步降壓·FET 驅(qū)動(dòng)器

數(shù)據(jù)： TPS51604-Q1 汽車應(yīng)用中用于高頻 CPU 內(nèi)核功率的同步降壓場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表 (Rev. A)

描述

TPS51604-Q1驅(qū)動(dòng)器針對(duì)高頻CPU V _CORE應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。具有精簡(jiǎn)死區(qū)時(shí)間驅(qū)動(dòng)和自動(dòng)零交叉等高級(jí)特性，可用于在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)優(yōu)化效率。

SKIP 引腳提供立即CCM操作以支持輸出電壓的受控制理。此外，TPS51604-Q1還支持兩種低功耗模式。借助于三態(tài)PWM輸入，靜態(tài)電流可減少至130μA，并支持立即響應(yīng)。當(dāng)跳過保持在三態(tài)時(shí)，電流可減少至8μA。此驅(qū)動(dòng)器與適當(dāng)?shù)牡轮輧x器（TI）控制器配對(duì)使用，能夠成為出色的高性能電源系統(tǒng)。

TPS51604-Q1器件采用節(jié)省空間的耐熱增強(qiáng)型8引腳2mm x 2mm WSON封裝，工作溫度范圍為-40°C至125°C。

特性

符合汽車應(yīng)用要求
具有符合AEC-Q100的下列結(jié)果：
- 器件溫度等級(jí)1：-40°C至125°C
- 器件人體模型靜電放電（ESD）分類等級(jí)H2
- 器件的充電器件模型ESD分類等級(jí)C3B
針對(duì)已優(yōu)化連續(xù)傳導(dǎo)模式（CCM）的精簡(jiǎn)死區(qū)時(shí)間驅(qū)動(dòng)電路
針對(duì)已優(yōu)化斷續(xù)傳導(dǎo)模式（DCM）效率的自動(dòng)零交叉檢測(cè)
針對(duì)已優(yōu)化輕負(fù)載效率的多個(gè)低功耗模式
為了實(shí)現(xiàn)高效運(yùn)行的經(jīng)優(yōu)化信號(hào)路徑延遲
針對(duì)超級(jí)本（超極）FET的集成BST開關(guān)驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度
針對(duì)5V FET驅(qū)動(dòng)而進(jìn)行了優(yōu)化
轉(zhuǎn)換輸入電壓范圍（V _IN）：4.5V至28V
2mm x 2mm 8引腳晶圓級(jí)小外形無(wú)引線（WSON）Power-Pad封裝

應(yīng)用

汽車后座娛樂（RSE）平板電腦采用高頻CPU，配合以下電源輸入使用：
- 適配器
- 電池
- NVDC
- 5V至12V電源軌

所有商標(biāo)是他們各自所有者的財(cái)產(chǎn)。

參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?半橋驅(qū)動(dòng)器

?
Number of Channels (#)
Power Switch
Bus Voltage (V)
Peak Output Current (A)
Input VCC (Min) (V)
Input VCC (Max) (V)
Rise Time (ns)
Fall Time (ns)
Prop Delay (ns)
Iq (uA)
Channel Input Logic
Negative Voltage Handling at HS Pin (V)
Features
Rating
Operating Temperature Range (C)
Package Group
?

TPS51604-Q1
2 ? ?
MOSFET ? ?
28 ? ?
4 ? ?
4.5 ? ?
5.5 ? ?
15 ? ?
10 ? ?
15 ? ?
500 ? ?
TTL ? ?
-0.1 ? ?
Dead Time Control Single Supply Synchronous Rectification ? ?
Automotive ? ?
-40 to 125 ? ?
WSON ? ?