'ALVTH16374器件是16位邊沿觸發(fā)D型觸發(fā)器，具有3態(tài)輸出，設(shè)計(jì)用于2.5V或3.3VV < sub> CC 操作，但能夠?yàn)? V系統(tǒng)環(huán)境提供TTL接口。這些器件特別適用于實(shí)現(xiàn)緩沖寄存器，I /O端口，雙向總線驅(qū)動(dòng)器和工作寄存器。

這些器件可用作兩個(gè)8位觸發(fā)器或一個(gè)16位翻轉(zhuǎn)器。翻牌。在時(shí)鐘（CLK）的正跳變時(shí)，觸發(fā)器存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)（D）輸入處設(shè)置的邏輯電平。

緩沖輸出使能（OE）輸入可用于將8個(gè)輸出置于正常邏輯狀態(tài)（高或低邏輯電平）或高阻態(tài)。在高阻抗?fàn)顟B(tài)下，輸出既不會(huì)加載也不會(huì)顯著驅(qū)動(dòng)總線。高阻抗?fàn)顟B(tài)和增加的驅(qū)動(dòng)提供了驅(qū)動(dòng)總線的能力，而無(wú)需接口或上拉組件。

OE不影響觸發(fā)器的內(nèi)部操作。當(dāng)輸出處于高阻態(tài)時(shí)，可以保留舊數(shù)據(jù)或輸入新數(shù)據(jù)。

提供有源總線保持電路，用于保持有效邏輯電平的未使用或浮動(dòng)數(shù)據(jù)輸入。 /p>

當(dāng)VCC介于0和1.2 V之間時(shí)，器件在上電或斷電期間處于高阻態(tài)。但是，為了確保1.2 V以上的高阻態(tài)，OE應(yīng)通過(guò)上拉電阻連接到VCC;電阻的最小值由驅(qū)動(dòng)器的電流吸收能力決定。

SN54ALVTH16374的特點(diǎn)是在-55°C至125°C的整個(gè)軍用溫度范圍內(nèi)工作。

SN74ALVTH16374的工作溫度范圍為-40°C至85°C。

• 最先進(jìn)的高級(jí)BiCMOS技術(shù)（ABT）Widebus？設(shè)計(jì)用于2.5V和3.3V工作以及低靜態(tài)功耗
• 支持混合模式信號(hào)操作（5V輸入和輸出電壓，2.3V至3.6VVCC）
• 典型VOLP（輸出接地反彈）＆lt; 0.8 V，VCC= 3.3 V，TA= 25°C
• 高驅(qū)動(dòng)（2.5 VVCC時(shí)為-24/24 mA，3.3 V時(shí)為-32/64 mA）
• 關(guān)閉電源禁用輸出，允許實(shí)時(shí)插入
• 上電和斷電期間的高阻抗?fàn)顟B(tài)可防止驅(qū)動(dòng)程序沖突
• 使用數(shù)據(jù)輸入上的總線保持代替外部上拉/下拉電阻防止總線浮動(dòng)
• 當(dāng)輸出超過(guò)VCC+ 0.5 V
時(shí)，Auto3狀態(tài)消除總線電流負(fù)載
• 閂鎖性能超過(guò)每個(gè)250 mA JESD 17
• ESD保護(hù)
  • 按照MIL-STD-883超過(guò)2000 V，方法3015
  • 使用機(jī)器型號(hào)超過(guò)200 V
  • 超過(guò)1000 V使用充電設(shè)備模型，機(jī)器人方法
• Flow-Throug h架構(gòu)便于印刷電路板布局
• 分布式VCC和GND引腳配置可最大限度地降低高速開(kāi)關(guān)噪聲
• 封裝選項(xiàng)包括塑料收縮小外形（ DL），薄收縮小外形（DGG），超薄外形（DGV）封裝和380密耳細(xì)間距陶瓷扁平（WD）封裝

Widebus是德州儀器的商標(biāo)。