CMPA0060002D氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Cree

型號(hào)： CMPA0060002D

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

增益 17 dB 小信號(hào)增益
工作電壓 2 W 典型 PSAT 工作電壓高達(dá) 28 V
電壓高擊穿電壓
操作高溫操作
尺寸尺寸 0.169 x 0.066 x 0.004 英寸

--- 產(chǎn)品詳情 ---

Cree 的 CMPA0060002D 是一種氮化鎵 (GaN) 高電子基于移動(dòng)晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路（MMIC）。與硅相比，GaN 具有更優(yōu)越的性能或砷化鎵，包括更高的擊穿電壓，更高的飽和電子漂移速度和更高的熱導(dǎo)率。GaN HEMT 還提供更高的功率密度和更寬的帶寬與 Si 和 GaAs 晶體管相比。該 MMIC 采用分布式（行波）放大器設(shè)計(jì)方法，使極寬的帶寬可以在很小的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)。

特征
17 dB 小信號(hào)增益
2 W 典型 PSAT 工作電壓高達(dá) 28 V
高擊穿電壓
高溫操作
尺寸 0.169 x 0.066 x 0.004 英寸

應(yīng)用
超寬帶放大器
光纖驅(qū)動(dòng)器
測(cè)試儀器
EMC 放大器驅(qū)動(dòng)器

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