CG2H40045F氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Cree 晶體管

型號： CG2H40045F

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

頻率高達 4 GHz 的操作
增益 2.0 GHz 時 18 dB 小信號增益
增益 4.0 GHz 時 14 dB 小信號增益
PSAT功率 55 W 典型 PSAT
PSA效率 PSAT 60% 的效率
電壓 28 伏操作

--- 產(chǎn)品詳情 ---

CG2H40045 是無與倫比的；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CG2H40045；從 28 伏電壓軌運行；提供一般用途；適用于各種射頻和微波應用的寬帶解決方案。GaN HEMT 提供高效率；高增益和寬帶寬能力使 CG2H40045 成為線性和壓縮放大器電路的理想選擇。該晶體管采用法蘭和藥丸封裝。

特征
高達 4 GHz 的操作
2.0 GHz 時 18 dB 小信號增益
4.0 GHz 時 14 dB 小信號增益
55 W 典型 PSAT
PSAT 60% 的效率
28 伏操作

應用
2路私人收音機
寬帶放大器
蜂窩基礎設施
測試儀器
A類；乙; 適用于OFDM的線性放大器；W-CDMA；邊緣; CDMA波形

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