C3M0040120J11200 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 系列經(jīng)過優(yōu)化，可用于 UPS 等大功率應(yīng)用；電機控制和驅(qū)動；開關(guān)電源；太陽能和儲能系統(tǒng)；電動汽車充電；高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器；和更多?；诘谌夹g(shù)；各種各樣的導(dǎo)通電阻和封裝選項使設(shè)計人員能夠為他們的應(yīng)用選擇正確的部件。將的 1200 V 碳化硅二極管與碳化硅 MOSFET 配對，為要求苛刻的應(yīng)用創(chuàng)造了更高效率的強大組合。
優(yōu)點
? 降低開關(guān)損耗并最大限度地減少柵極振鈴
? 更高的系統(tǒng)效率
? 降低冷卻要求
? 提高功率密度
? 提高系統(tǒng)開關(guān)頻率
特征
? 第三代 SiC MOSFET 技術(shù)
? 具有獨立驅(qū)動源引腳的優(yōu)化封裝
? 漏極和源極之間的爬電距離為 8mm
? 高阻斷電壓和低導(dǎo)通電阻
? 低電容的高速開關(guān)
? 具有低反向恢復(fù) (Qrr) 的快速本征二極管
? 無鹵素，符合 RoHS 標準
應(yīng)用
? 數(shù)據(jù)中心和電信電源
? 電動汽車電池充電器
? 高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
? 儲能系統(tǒng)
? 太陽能逆變器
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