CGH21120F高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Cree 晶體管

型號(hào)： CGH21120F

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

頻率 1.8 – 2.3 GHz 操作
增益 15分貝增益
功率 -35 dBc ACLR，20 W PAVE
PAVE效率 20 W PAVE 時(shí)效率為 35 %
應(yīng)用可應(yīng)用高度 DPD 校正

--- 產(chǎn)品詳情 ---

CGH21120F 是一種氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)，專為高效率而設(shè)計(jì)；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGH21120F 非常適合 1.8 – 2.3-GHz WCDMA 和 LTE 放大器應(yīng)用。該晶體管采用陶瓷/金屬法蘭封裝。

特征
1.8 – 2.3 GHz 操作
15分貝增益
-35 dBc ACLR，20 W PAVE
20 W PAVE 時(shí)效率為 35 %
可應(yīng)用高度 DPD 校正

應(yīng)用
碼分多址
LTE
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