C2M1000170D為1700 V 分立碳化硅 MOSFET。為下一代電源轉(zhuǎn)換提供更快的開關(guān)和更高的可靠性。1700 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 可實現(xiàn)更小、更高效的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。與基于硅的解決方案相比；碳化硅技術(shù)可提高系統(tǒng)功率密度；更高的開關(guān)頻率；較小的設(shè)計；冷卻器組件；減小電感器等組件的尺寸；電容器；濾波器和變壓器；和總體成本效益。
優(yōu)點(diǎn)
? 更高的系統(tǒng)效率
? 提高系統(tǒng)開關(guān)頻率
? 降低冷卻要求
? 提高系統(tǒng)可靠性
特征
? 低電容的高速開關(guān)
? 高阻斷電壓和低 RDS(on)
? 易于并聯(lián)且易于驅(qū)動
? 超低漏柵電容
? 無鹵素，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
應(yīng)用
? 輔助電源
? 開關(guān)模式電源
? 高壓容性負(fù)載
漏源電壓:1700V
柵極 - 源極電壓：-10/+25
柵極 - 源極電壓：-5/+20
脈沖漏極電流：15A
功耗：69W
工作結(jié)溫和存儲溫度:-55to+150?C
焊接溫度:260?C
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